2) NPN형 트렌지스터의 베이스 접지회로에서 I_E, I_B 와 I_C 사이의 관계

             가) α =  I SUB C OVER I SUB E   에서

                   I_C = α I_E 이고

                   I_E = I_B ＋ I_C  이므로

                   I_B = I_E － I_C = I_E － α·I_E = (1 －α)I_E가 된다.   

             나)  그러므로

                   I_E : I_B : I_C = I_E : (1 －α)I_E : α·I_E = 1 : (1 －α) : α

             다) 위의 관계는 <그림 5-27>의 그림 (a)나 (b)에서도 성립한다.

                 즉, 베이스와 에미터간에는 순방향 전압, 베이스와 컬렉터 간에

                 는 역방향이 걸리기만 하면 된다.

사. 트랜지스터의 극 판별법

       1) 컬렉터 마크에 의한 판별법

          트랜지스터를 밑에서 보았을 때 마크(Red Mark)가 있는 쪽이 컬렉터이며 일반적으로 <그림 5-33>과 같이 구별한다.

                                  <그림 5-33>

       2) 테스터에 의한 판별법

          컬렉터 마크가 없는 것 또는 지워진 것은 테스터를 최고저항 레인지에 두고 3 개의 다리중 어느 2 개의 다리를 테스터의 리드선과 연결하여 테스트한 후 리드선을 바꾸어(극성을 반대로 하는 것) 다시 연결하여 테스트했을 때, 그 저항 값이 두번 다 크게 나타나는 2 개의 다리를 제외한 나머지 다리가 베이스이다.

                                                        <그림 5-34>  

          베이스를 찾고나서는 <그림 5-33>을 참고하여 에미터와 컬렉터를 찾으면 된다.             

6.  Thyristor(SCR)

   전력 제어용 스위칭 소자를 사이리스터라고 하는데 대표적인 것으로 SCR이 있는데 N, P형 다이오드를 4층으로 접합한 소형이지만 비교적 큰 전력을 제어할 수 있으며 정류 기능을 가지고 있다. 다이리터에는 SCR(Silicon controlled rectifier), TRIAC(Triode AC switch), 역도통 SCR, SSS등 여러 가지 종류가 있으나 여기서는 SCR과 TRIAC에 대하여만 간략하게 기술한다.  

   가. SCR

       1) 기호 및 기능

          SCR은 PNPN 4층 구조의 중간 P층에서 게이트 단자를 뽑아내어 여기에 전류를 흐르게하여 도통하게 하는 것이다. <그림 5-45 >의 (a)는 기호, (b)는 A-K사이가 스위치의 접접 동작을 한다., (c)는 .전원과 부하와 SCR의 A-K간을 접속해 두면 SCR를 ON, OFF시키는 것에 의하여 부하를 ON, OFF 제어할 수 있게 된다.

<그림 5-45>

       2) 동작: <그림 5-45>의 (c)

          가) 애노드(A)-캐소드(K) 사이에