:: 구조에 따른 분류

트랜지스터의 동작구조상 차이에 따라 바이폴러(bipolar) 트랜지스터와 유니폴라(unipolar) 트랜지스터로 분류 할 수 있습니다.

바이폴러 트랜지스터

Bi(2개) Polar(극성)의 의미로서 트랜지스터를 구성하는 반도체에 정공(플러스극성)과 전자(마이너스극성)에 의해 전류가 흐르게 되어있는것을 바이폴러 트랜지스터라고 합니다. 일반적인 트랜지스터는 실리콘으로 되어 있는 바이폴러 트랜지스터를 가리킵니다.

FET

Field Effect Transistor의 약어로 전계 효과 트랜지스터라 하며 접합형 FET와 MOS형 FET 및 GaAs형 FET가 있습니다. 접합형 FET는 오디오 기기등 아날로그 회로에 많이 이용되며 MOS형 FET는 주로 마이크로컴퓨터 등의 디지탈 IC에 사용도ㅣ고 있습니다. GaAs형FET는 위성방송 수신 등의 마이크로파의 증폭에 사용됩니다.

※MOS

Metal Oxide Semiconductor의 약어로 그 구조가 금속(Metal), 실리콘 산화막(Oxide), 반도체(Semiconductor)의 순으로 되어 있어서 MOS로 불리고 있습니다. MOS에는 P형과 N형, C형이 있으며 소비 전류를 작게 할 수 있기 때문에 마이크로컴퓨터 등 집적도가 높은 IC에 사용됩니다.

:: 허용전력에 따른 분류

주로 최대정격의 콜렉터 손실 Pc에 따라 분류하는 방법입니다. 크게 나누어 소신호 트랜지스터와 파워트랜지스터로 분류하며 일반적으로 파워트랜지스터라 하면 1 W이상의 것을 가리킵니다.

소신호 트랜지스터

최대 콜렉너 전류(IC max)가 500 mA 이하, 최대 콜렉터 손실(PC max) 1 W미만의 트랜지스터를 파워트랜지스터에 비해 소신호 트랜지스터로 부르며 일반적으로 수지몰드 타입이 많은 것이 특색입니다.

파워트랜지스터

일반적으로 파워트랜지스터라고 할 때는 PC 1W 이상의 것을 가리킵니다. 소신호 트랜지스터에 비해 최대 콜렉터 전류와 최대 콜렉터 손실이 크고 발열에 대비하여 형상도 크고 금속으로 쉴드 되어 있거나 방열핀 이 첨부되기도 합니다.

:: 트랜지스터의 세부 분류

트랜지스터는 반도체 가운데에서도 가장 많이 쓰여왔던 기본적인 반도체 부품으로 증폭 작용을 발견하여 사용되기 시작 하였습니다. 트랜지스터에는 상당히 많은 종류가 있으며 용도나 특성에 따라 아주 많은 종류가 만들어지고 있으나 흔히 사용되며 비교적 쉽게 입수할 수 있는 것으로서 기본적인 분류를 한다면 아래와 같습니다.

트랜지스터

접합형의 트랜지스터로「전류」를 증폭하는 작용이 있습니다 ．

NPN 트랜지스터
접합의 구성에 의한 종류로 플러스 전원으로 동작합니다.
２SC××× ：고주파 용（저주파용에도 사용할 수 있다）
２SD××× ：저주파 용

PNP 트랜지스터
접합의 구성에 의한 종류로 마이너스 전원으로 동작합니다．
２SA××× ：고주파 용（저주파용에도 사용할 수 있다）
２SB××× ：저주파 용

고주파용과 저주파용의 구별은 명확하지 않으며 제조업체(등록업체)의 지정에 의해 정해집니다. 예를들면 200MHz 정도의 저주파용도 있는가 하면 30MHz 이하의 고주파용도 있습니다.

전계효과 트랜지스터（FET)

진공관과 비슷한 원리로 입력 전압으로 출력 전류를 제어하는 특성을 갖고 있습니다．

접합형 FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 ＦＥＴ 로 트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작합니다．

ＭＯＳ 형 ＦＥＴ: 입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 ＦＥＴ로 상당히 높은 입력 임피던스전류가 흐르지 않는）를 갖고 있는 것이 특징입니다.

:: 회로도 기호

회로기호	약호	명칭	기능
	TR	PNP 트랜지스터	증폭 및 스위칭
	TR	NPN 트랜지스터	증폭 및 스위칭
	FET	전계 효과 트랜지스터	고 입력 임피던스, 증폭 및 스위칭용
	FET	전계 효과 트랜지스터	고 입력 임피던스, 증폭 및 스위칭용
	MOS FET	전계 효과 트랜지스터	고 입력 임피던스, 증폭 및 스위칭용
	MOS FET	전계 효과 트랜지스터	고 입력 임피던스, 증폭 및 스위칭용