산화정련[oxidizing refining]
Ⅲ-Ⅴ형화합물반도체[Ⅲ-Ⅴ compound
semiconductor]
주기율표 3B족인 Al, Ga, In(Tl을 포함하는 경우도 있음) 등과, 5B족인 P, As, Sb(N을 포함하는 경우도 있음) 등과의 1∶1화합물로 모두 반도체이다. 결정구조는 ZnS형으로 최소에너지갭은 상대 원자번호의 상승과 함께 작아진다. 갭은 Si보다 큰 것이 많고 고온동작, 고이동도, 고주파특성, 고속스위칭특성 등에 우수한 반동체로서 순수 또는 불순물을 도프(dope)하여 사용한다. 발광다이오드(GaP, GaAs), 레이저, 고속IC, 광IC, 장파장반도체레이저․발광․수광소자(InP, InSb, GaP) 등 용도가 넓다.
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