■ L-요업 KS L 1610 파인 세라믹스 관련 용어

1. 1차 입자  (primary particle)
 
  분체, 응집체를 구성하는 입자로서 분자간의 결합을 파괴하는 일 없이 존재하는 최소단위의 입자.
 
2. 2차 입자  (secondary particle)
 
  1차입자가 여러개로 응집해 형성된 입자. 각각의 입자가 다른 입자와 응집하지 않고 단독으로 존재하고 있는 상태의 입자를 1차입자라고 하는데 대응한다.
 
3. 가공 변질층  (affected layer)
 
  가공에 따라 고체표면이 그 내부와 다른 물질 또는 성질이 변화된 것. 가공시의 열, 압력, 분위기 등의 영향에 따라 조직, 결정구조, 기계적 전기적 성질 등이 변화한다.
 
4. 가공 변태  (machining modification)
 
  가공 중위 가공열, 가공압 등의 영향에 따라 조직구조, 결정상 등이 전이 (상전이 , 마텐자이트 변태, 비정질화 등)하는 것.
 
5. 가스압 소결  (gas pressure sintering)
 
  가압한 가스분위기 하에서 소결하는 방법. 질화규소, 첨가물계의 소결에 이용.
 
6. 가압 성형  (pressing)
 
  압력을 이용한 성형방법. 일반적으로 건식성형에 사용된다.
 
7. 가압 접합법  (pressure bonding)
 
  세라믹스 사이 또는 세라믹스-금속을 밀착시켜서 가압하면서 접합하는 방법. 핫 프레스나 열간 정수압 프레스를 사용하여 가압과 동시에 가열하는 경우가 많다. 접합형태에는 모재끼리를 직접 가압접합하는 방법과 중간층을 개재시키는 방법이 있다.
 
8. 감광성 유리  (photosensitive glass)
 
  귀금속을 핵생성체로 가하여 용융한 유리. 빛을 조사(照謝)한 후 가열하면, 빛을 받은 부분에서만 귀금속의 콜로이드가 생성되고, 선택적으로 결정화시킬 수 가 있다. 
 
9. 개구수  (numerical aperture)
 
  광학렌즈나 광섬유에 입사가능한 빛의 최대 입사각을 나타내는 양. 
 
10. 건식 가압 성형  (dry pressing)
 
  첨가 용매가 적은 배합을 금형으로 성형하거나 러버프레스 하는 성형법. 타일도자기를 비롯하여 각종 기능성 세라믹 부품의 제종에 사용. 습식성형에 대한 용어.
 
 11. 건식 성형  (dry pressing process)
 
  수분 또는 액상유기물의 첨가량이 적은 원료분말(수분 함유량 5% 이하)의 성형법. 일축가압성형과 CIP가 있다.
 
12. 결정화 유리  (glass ceramics)
 
  원료를 한 번 용융하여 유리화 시킨 후 재가열에 따라 미결정을 석출시킨 유리. 유리는 열역학적으로 비평형 상태로 있고, 액상온도와 유리 전이점 사이의 온도에 유지하면 미결정이 석출된다. 모 유리보다 우수한 물성을 가진 것이 실용화되고 있다.
 
13. 경 도  (hardness)
 
  시험편에 이보다 단단한 물체를 눌러 넣었을 때에 나타나는 저항을 표시하는 수치. 비커스경도 시험방법은 KS-L-1603에 규정되어 있다.
 
14. 경사 기능 재료  (functionally gradient material)
 
  재료 내부의 성분조성 및 미세조직의 경사분포에 따라 새로운 기능을 발현시키는 재료.
 
15. 고강도 세라믹스  (high strengh ceramics)
 
  높은 외력에 저항하는 강도가 있는 세라믹스. 내열합금의 사용한도 이상의 것이 특히 유용하며 주목된다. 질화규소, 탄화규소, 부분안정화 지르코니아 등이 있다.
 
16. 고상 접합  (solid state bonding)
 
  액상을 통하지 않고 고상상태로 하는 접합. 고온 고압가열에 의한 확산층 형식이 지배적인 확산 ㆍ 고압접합, 가스 또는 고체의 여러 가지 반응을 이용하는 반응접합,고체 전해질을 이용한 전압인가접합 및 마찰열을 이용하는 마찰압접합이 있다.
 
17. 고성능 요업 제품  (fine ceramics (advanced ceramics))
 
  목적의 기능을 충분히 발현시키기 위해 화학조성, 미세조직, 모양 및 제조 공정을 정밀하게 제어하여 제조한 세라믹스.
 
18. 고열 전도성 기판  (highly thermal conductive substrate)
 
  알루미나보다 열저도율이 큰 물질 베릴리아, 탄화규소, 질화 알루미늄 등의 기판.벨릴리아는 열전도성이 우수하여 고주파에서 유전특성이 좋다. 탄화규소는 열전도성은 벨릴리아와 같으나 , 유전율이 크기 때문에 고주파용으로는 제약이 있다. 
 
19. 고융점 금속법  (metallizing with high melting point metal paste)
 
  고융점금속(Mo,W 등)을 주성분으로 한 후막 페이스트를 사용하여, 세라믹스 표면에 메탈라이징하는 방법. 텔레푼켄법이라고도 한다.
 
20. 고인성 세라믹스  (toughened ceramics)
 
  재료에 존재하는 결함을 제거하고 , 응력 집중을 피하고, 응력 완화를 일으키기 쉽고, 파괴에 대한 저항력을 높인 세라믹스, 부분안정화 지르코니아 , 질화규소, 세라믹스기 강화 복합재료 등이 그 대표적 재료이다.
 
 21. 고정 자립 가공  (bonded abrasive machining)
 
  지립을 적당한 결합계로 다진 지석 등을 사용하고, 지립의 절삭작용을 이용한 고능률 및 정밀 가공법. 연삭 가공ㆍ호닝 가공ㆍ초마무리 가공 및 연마포지기공이 있다.
 
22. 공침법  (coprecipitation method)
 
  단독으로는 침전하지 않는 물질이 침전하는 물질에 따라 동시에 침전하는 공침현상을 이용한 침전방법. 원료의 합성이외에 불순물이 분리제거 등에 사용한다. BaTiO3분말 등의 합성에 적용.
 
23. 과립  (granule)
 
  조립조작에 따라 만들어진 입자 집합체. 과립화에 따라 원료분말의 유동성을 개선.
 
24. 광 탄성 상수  (opto-elastic constant)
 
  투명물질이 응력에 따라서 탄성변형을 받아서 복굴절이 생기는 정도를 표시하는 수. 스트레인의 해석에 사용된다. 응력이 없는 경우와 응력이 있는 경우의 광로차를Δ , 광탄성상수 C를 , 응력의크기를 F, 빛의 통과거리를I 로 하면 다음관계가 있다. 
 
25. 광 투과율  (optical transmittance (optical scattering))
 
  물체에의 입사광 강도 I0과 물체의 투과광 강도 I의 비율. 물체의 두께를 X, 반사율을 R , 겉보기의 흡수계수를 μ (진의 광흡수와 광산란을 포함)로 했을 때, 광투과율 T는 다음식으로 표시한다. T=I/I0=(1-R)2exp(-μx)
 
26. 광 흡수 계수  (absorption coefficient)
 
  매질 중을 빛이 통가할 때의 강도의 감쇠의 정도를 표기하는 수. 투과율을 T, 광흡수계수를 α, 매질의 두께를 t 로 하면 다음 관계가 있다. T=exp(-at)
 
27. 광 CVD법  (photo -induced -CVD)
 
  기체를 경유하는 고체 박막 제조법 중, 기체분자를 빛으로 여기시키고, 광화학반응을 일으켜, 생성물 및 막의 상태를 제어하는 방법. 주로 자외광, 진공자외광을 사용하고, 반응의 선택을 이용할 수 있는 이점이 있다.
 
28. 광섬유  (optical fiber)
 
  굴절률이 높은 코어층을 굴절률이 낮은 클래드 층이 둘러싼 구조를 가지고, 전반사의 원리에 따라 빛이 외부로 새지 않도록 한 광전반용 섬유. 굴절률 계단형. 접속형 및 단일모드형으로 나누어진다.
 
29. 광학 세라믹스  (optical ceramics)
 
  광학적 기능 (투광성, 굴적성, 반사성, 전기광학 효과, 자기광학 효과 , 광도적성, 편광성, 발광성 등)이 우수한 세라믹스.
 
30. 구조용 세라믹스  (structural ceramics (engineering ceramics))
 
  세라믹스의 기계적, 열적 및 화학적인 성질을 주로 이용하여 각종 구조부품으로 사용되며 재료, 내열 , 고강도 재료, 초경질 재료, 고인성 재료, 내열 충격재료, 단열 재료 등이 있다.
 
 31. 굴절률 분포 유리  (gradient index glass)
 
  굴절률이 소정의 기울기로 연속적으로 변화하고 있는 유리. 굴절률이 축방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것과 지름방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것이 있다. 굴절률의 기울기 형성법으로서 이온 교환법, CVD법, 분자스태핑법 등이 있다.
 
32. 규화몰리브덴  (molybdenum silicide)
 
  Mo와 Si의 금속간 화합물. 이규화몰리브덴(MoSi2)이 실용화되고 있다. MoSi2 : 융점 1870℃ , 전기저항은 상온에서 22μΩ㎝.1700℃까지 공기 중에서 사용되는 발열체, IC회로 제작 마스크용 등에 사용.
 
33. 그린 시트  (green sheet)
 
  박판상으로 성형한 세라믹의 미소성체라는 뜻. 세라믹 원료 분말, 유기결합체, 가소제, 용제 등의 혼합슬러리를 닥터 블레이드법이나 캘린더법으로 박판상으로 성형한 것.
 
34. 글래이즈 기판  (glazed substrate)
 
  기판상의 박막회로나 저항, 용량소자의 신뢰성을 높이기 위하여 알루미나 기판 위에 유리층을 설치하여 , 표면조도를 개선한 기판. 연화점이 500~800℃ 정도인 유리조성을 사용한다. 서멀헤드용 기판에서는 글레이즈층을 축열용으로 이용한다.
 
35. 금속 알콕사이드법  (alkoxide process)
 
  금속 알콕사이드 M(OR)n을 가수분해하여 산화물 또는 그 수화물을 얻는 방법. 고손도화 및 미세립화가 특징.
 
36. 금속 프레스 성형  (metal mold pressing)
 
  원료가 되는 분체 또는 과립을 금형에 충전하고 계속압봉에 외력을 주어서 분체를 입축가압하여 고화시키는 성형법.
 
37. 기계 가공성 세라믹스  (machinable ceramics)
 
  기계가공 , 특히 절삭가공이 쉬운 세라믹스. 재료에 함유되어 있는 결정의 현저한 벽개성을 이용한 것. (마이카 세라믹스 ), 입계의 선택적 파괴성을 이용한 것 (티탄산 알루미늄 세라믹스)등이 있다.
 
38. 기계적 품질 계수  (mechanical quality factor)
 
  탄성손실의 척도를 표시하는 상수이고, 진동자에 응력을 가했을 때, 응력과 동위상의 비틀림을 위상 엇갈림의 비틀림으로 나눈것.
 
39. 기공률  (porosity)
 
  성형체 중에서 기공이 점유하는 부피분율. 외기에 통과해 있는 개방기공과 닫혀 있는 폐기공이 있다.
 
40. 기능성 세라믹스  (functional ceramics)
 
  세라믹스의 기계적, 열적, 화학적,광학적, 전기적, 생체적 등의 성질을 이용하여 고도의 기능을 나타내는 세라믹스.
 
 41. 꺾임 강도  (bending strength)
 
  시험편을 일정거리에 배치된 두 지점 위에 놓고 , 지점간의 중앙의 한 점 또는 지지점간의 중앙에서 좌우로 같은 거리에 있는 두점으로 나누어서 하중을 가하여, 부러졌을 때의 최대굽힘응력. 시험방법은 KS-L-1591에 규정되어 있다.
 
42. 나노 복합체  (nanocomposite)
 
  수nm에서 수십nm의 분산상을 모상의 입계만이 아니고 입자내로 분산시켜서 , 고도의 조직제어를 한 복합재료.
 
43. 납 유리  (lead glass)
 
  산화납과 실리카를 주성분으로 하는 유리. 고굴절률 . 고분산의 광학유리, X선 차폐용 유리, 크리스탈 유리 등에 사용된다.
 
44. 납계 릴랙서  (lead based relaxor)
 
  산화물 페롭스카이트,A(B1,B2)O3의 A위치에 납을 표함하고 완만한 상전이를 나타내는 강유전체 물질.
 
45. 뉴글라스  (new glass)
 
  비정질 물질이 갖는 기능 중, 특정의 기능에 주목하여 그 기능을 최대한 으로 발휘하도록 화학조성, 순도, 미세구조, 형태를 제어하여 제조된 무기질의 비정질 재료 및 비정질 재료의 결정화로 얻어지는 재료.
 
46. 뉴다이아몬드  (new diamond)
 
  원료 및 제조공정을 목적에 맞추어 제어하여 고도의 기능을 부여하여 인공적으로 제조된 다이아몬드, 탄소를 고온과 고압으로 유지하여 변태시키는 고온 고압법과 메탄 및 수소의 혼합가스로부터 기상석출시키는 기상 합성법이 있다. cBN을 이에 함유시키기도 한다.
 
47. 뉴카본  (new carbon)
 
  원료 및 제조공정을 목적에 맞추어 제어하여 고도의 기능을 부여하여, 새로운 용도의 개발을 도모하는 탄소재료 및 탄소복합재료.
 
48. 니노브산리튬  (lithium niobate)
 
  조성을 LiNbO3로 표시되는 삼방정계의 화합물. 1210℃에 퀴리점을 갖는 강유전체이다. 압전체, 초전체 등으로서 사용한다.
 
49. 다공질 세라믹스  (porous ceramics)
 
  가공률이 큰 세라믹그. 폐기공을 함유하는 것은 단열재, 경량 골재 등으로 사용되고, 개기공을 함유하는 것은 흡착제, 촉매담체 등에 사용한다.
 
50. 다공질 유리  (sealing glass)
 
  기공률이 크로 가는 구멍의 지름 분포가 고른 유리. 현재는 붕규산염 유리의 분상을 이용하여 만들고 있지만, 장래 졸-겔법의 응용으로 제작될 것이 기대되고 있다.
 
 51. 다이아몬드  (diamond)
 
  탄소단일원자가 최밑구조로 배열된 입방정의 결정체 자연계에서 가장 단단하고 , 굴절률이 크며, 열전도율이 높은 것 등의 우수한 성질을 갖는 물질. 보석, 절삭공구, 방열기판으로서 이용한다. 인공적으로는 초고압에서 합성한다. 상압하에서의 기상합성법도 있다.
 
52. 닥터 블레이드  (doctor blade)
 
  세라믹스를 시트상으로 성형하는 방법의 한가지. 캐리어(캐리어 필름, 엔드리스 벨트)위에서 올려서 운반되는 슬립의 두께를 칼날 (닥터 블레이드)과 캐리어와의 간격을 조정하는 데 따라서 시트이 두께를 정밀하게 제어할 수 있다.
 
53. 덮개용 주물  (envelped casting)
 
  주형 속에 별도의 재료를 매입하여 이것을 싸도록 하여 주물을 만드는 방법. 별도의 재료가 금속인 경우, 이 금속을 매입금이라 한다.
 
54. 도체 페이스트  (conductive paste)
 
  후막인쇄법에 있어서 세라믹스 그린시트나 소결 세라믹스판 또는 소자 위에 도체를 형성할 때에 사용하는 페이스트, Ag, Ag-Pd, Au, Pt-Pd계, Ni, Cu계, W, Mo계 등이있다.
 
55. 드레싱  (dressing)
 
  트루잉 뒤의 지석 또는 연삭능이 저하된 지석에 있어 지립을 손상하지 않도록 하여 결합재만을 제거하고, 가공에 필요한 지립을 돌출시켜서 연삭가능한 지석을 얻는 것.
 
56. 러버 프레스  (rubber pressing)
 
  CIP에 있어서 비처리물의 성형틀에 신축성인 고무를 사용하는 방법.
 
57. 레이저 가공  (laser beam machining)
 
  102W/m2 이상의 파워 밀도의 레이저빔을 피가공물 표면에 조사하여, 재료의 표층부를 증발, 제거하는 가공법. 트리밍, 스크라이핑 등 일렉트로닉스 부품의 가공에 사용한다.
 
58. 레이저 손상 특성  (laser damage)
 
  전기광학물질에 강력한 레이저를 입사시키면 , 그 부분의 굴절률이 입사 에너지에 따라서 변화하고, 빛의 산란, 집속, 소광비의 저하 등이 생기는 현상. 집속은 열 에너지에 의한 파괴를 발생시키고, 또 광흡수가 큰 불순물이 포함되면 똑같이 열파괴가 생긴다.
 
59. 레이저 유리  (laster glass)
 
  레이저 발진을 하는 유리. 인산염 유리에 Nd을 도프한 것이 핵융합용의 증폭기로 이용되고 있다. 회토류원소를 실리카 유리나 플루오르화물 유리에 도프한 것은 광통신용의 증폭기로 이용이 기대되고 있다.
 
60. 레이저용 세라믹스  (laser ceramics)
 
  레이저과의 발진기능을 갖는 세라믹스. 루비 레이저, YAG레이저, Nd세라믹스 레이저 등이 있다.
 
 61. 마그네시아  (magnesia)
 
  산화마그네슘 (MgO).결정은 페리크레이스,탄산염, 질산염, 수산화물 등을 열분해하여 얻어지며 해수중의 약간의 Mg원으로부터 저온으로 소성한 것을 경소(또는하소), 고온으로소결한 것을 중소(또는 사소), 마그네시아라고 한다. 
 
62. 마이스너 효과  (Meissner effect)
 
  초전도체에 자장을 가했을 때, 자장의 강도가 임계자장보다 작은 한계에서, 자력선에서, 자력선이 초전도체의 내부에 침입하지 않는 현상.
 
63. 마찰접합  (friction bonding)
 
  잡합하는 재료들을 일정한 하중으로 눌러서 부착하고 상대운동을 시켜서 마찰열로 소정온도에 도달 시킨후 정지시켜서 다시 재료들에 부하를 가하여 접합하는 방법.
 
64. 망간 아연 페라이트  (manganese-zinc ferrite)
 
  Mn, Zn을 함유하는 스피넬형 페라이트. 고투자율, 고자속 밀도의 자성 재료. 저손실 자심의 대표적인 재료이다. 단결정 페라이트도 자기헤드용으로 사용된다.
 
65. 맥리  (stripe)
 
  유리내부에 존재하는 힘줄모양 또는 층상으로 보인다. 광학적으로 불균질한 부분.
 
66. 메탈라이즈법  (metallize)
 
  후막인쇄 또는 박막형성법 등에 따라서 , 금속을 주성분으로 하는 엷은 층을 세라믹스의 표면에 형성시키고 이것을 가열하여 상호 접착시키는 것. 기밀봉착, 전극이나 배선형성에 응용되고 , 고융점 금속법, 금속 산화물법, 활성금속법 등이 있다. 메탈라이징라고도 한다.
 
67. 모양 비  (aspect ratio)
 
  비등방적인 모양의 입자의 긴 지름 /짧은 지름 비.
 
68. 무알칼리 유리  (non-alkali glass)
 
  Na,K등의 알칼리 금속을 함유하지 않은 유리. 반도체와 접촉하는 유리에서는 알칼리의 존재는 반도체의 열화의 원인이 되므로 무알칼리 유리가 바람직하다.
 
69. 무연 유리  (non-lead glass)
 
  납을 함유하지 않은 유리. 일반적으로 봉착용 유리에는 융점을 낮추기 위하여 산화납을 가하고 있지만, 화원성 분위기로 사용하면 착색되므로 , 이러한 용도에는 무연유리가 사용된다.
 
70. 물라이트  (mullite)
 
  물라이트(3Al2O3ㆍ2SiO2). 융점 1850℃로 공유결합성이 높다 . 다결정질은 내열재료로 사용된다. 고순도 물라이트는 고온에서 내크립성이 우수하다.

71. 미립자  (fine particle)
 
  벌크체로서의 성질을 유지하고 , 표면에 따라 현상이 지배되는 입자로서 , 입자지름은 0.1~수㎛ 의 것을 말한다.
 
72. 미캐노캐미컬 가공  (mechanochemical polishing)
 
  기계적 작용에 따른 에너지에 따라 지립 또는 가공액에의한 화학반응을 유기시켜서 메카노캐미컬 현상을 피가공물의 재료제거에 응용한 가공법. 높은정밀도로 손상이 작은 표면을 얻을 수가 있다.
 
73. 바렐 가공  (barrel finshing)
 
  피가공물과 지립 또는 연마작업을 돕는 고형물을 원통상의 용기에 넣고 , 그것을 회전하여 피가공물과 고형물을 충돌시켜서 표면을 마무리하는 방법.
 
74. 바륨 페라이트  (barium ferrite)
 
  화학식 BaFe12O19로 나타내는 마그네토플럼바이트형 페라이트. 대표적인 영구자석 재료이다.
 
75. 박막용 기팥  ( substrate for thin film circuit)
 
  박막법에 따라 배선을 형성하기 위한 세라믹 기판. 진공증착, 스퍼터링 등에 따라 1㎛정도의 막을 만들기 위하여 고도한 표면상태(표면거칠기, 핀홀 등)가 필요. 일반적으로 알루미나나 유약 기판, 유리등에 사용한다.
 
76. 반건식 가압 성형  (semi-dry pressing)
 
  함수량 4~12% 정도의 분체 배토를 강제의 성형 금형에 넣고, 기계로 가압 성형하는 방법. 비교적 두꺼운 세라믹 제품,보기를 들면 내화벽돌, 타일의 일부, 전기자기 등의 기계적 성형법으로 사용된다. 가소성, 배토를 사용하는 습식가압 성형보다도 수분은 상당히 적다.
 
77. 반도성 세라믹스  (semiconductive ceramics)
 
  반도체적인 전기적 성질을 나타내는 세라믹스. 격자결함이나 첨가물을 제어하여 제조할 필요가 있다. 주로 ZnO, BaTiO3, SnO2, NiO 등을 기본으로 하여 만든다.
 
78. 반사 방지 코팅  (antireflection coating)
 
  광학재료의 표면에서의 반사를 적게 하고 광투과율을 향상시키기 위해 표면에 박막을 형성하는 것. 빛의 간섭을 이용한 것으로서, 단층 또는 다층 코팅이 있다.
 
79. 반응 소결  (reaction sintering)
 
  특정의 원료를 조합하는데 따라서, 가열 중에 화학반응과 소결을 동시에 진행시키는 소결법. 보기를 들면, Si₃N₄에서는 Si분말이 가압성형체를 질소가 들어 있는 비산화성 분위기하에서 가열하고, 질화시키면서 소결을 시키는 방법이 행하여지고 있다.
 
80. 방사성 폐기물 고화 유리  (glass for solidification of radioactive waste)
 
  높은 레벨의 방사성 폐기물을 다량으로 녹여넣고 가두어서 고화체로 하는 유리. 화학적내구성이 우수한 것이 요구되므로 붕규산염 유리가 유력하다.
 
81. 방사율  (emissivity)
 
  일정한 온도에서 흑체의 방사에너지에 대한 물질의 방사에너지의 비. 복사율이라고도 한다.
 
82. 베르누이법  (Verneuil method)
 
  원료분말을 일정량씩 산수소염의 도립버너 속에 낙하시켜서 가열하고, 반용융상태로 하여 종자결정 또는 내화지지봉 위에 생성한 핵의 위에 쌓아서 결정을 성장시키는 방법.
 
83. 베르데 상수  (Verdet's constant)
 
  투명 물질 중을 자장에 평행하게 입사한 직선편광이 회전하는 정도를 표시하는 수. 베르데상수가 큰 패러디 회전유리는 레이저용의 광 아이솔레이터 소자로서 이용된다. 회전각을θ , 베르데상수를 V, 시료의 길이를 I, 자장의 강도를 H로 하면 다음 관계가 있다. θ= V×
 
84. 베릴리아  (beryllia)
 
  산화베릴륨(BeO). 높은 열전도성과 전기절연성이 우수하고, 기관이나 패키지에 사용한다.
 
85. 복굴절  (briefringence)
 
  광학적 이방성을 갖는 매질에 입사한 빛이 진동면과 진행속도가 다른 2개의 빛으로 나누어지는 현상. 응력에 따라 생기는 복굴적을 광탄성효과, 전장에 따라 생기는 것을 전기 복굴절, 자장에 따라 생기는 것을 자기 복굴절이라 한다.
 
86. 복합 재료  (composite material)
 
  이질 또는 이형의 재료를 조합하여 단체에서는 갖고 있지 않는 새로운 특성이 부여된 재료, 구조재료로의 적용을 목적으로 하는 것이 많으며, 분산상의 형태에 따라 섬유 강화형 복합재료와 입자분산 강화형 복합재료로 분류되며, 매트릭스의 종류에 따라 MMC(Metal Matrix C
 
87. 봉착용 유리 접합법  (solder glass seal)
 
  봉착용 유리를 접착재로 사용하는 접합, 또는 봉착기술. 봉착용 유리에는 봉규산유리, 납유리, 소다석회 유리 등이 있다.
 
88. 봉착유리  (sealing glass)
 
  300~700℃ 에서 용융 . 연화하는 유리. 전자부품 등의 봉착, 피목, 결합 등에 사용된다. 주성분이 PbO와 B2O3로되어 있는 것이 대표적이고, 봉착 후에도 유리상태의 것과 결정화하는 것이 있다.
 
89. 부분안정화 지르코니아  (partially stabilized zirconia (tetragonal zirconia poycrystal))
 
  소량의 안정화재를 가하여, 소성하여 얻어진 입방정 또는 단사정과 정방정으로 되어 있고,높은 인성과 고강도의 특징을 가지며, 통상 PSZ로 부른다. 그 중에서 특히 결정지름이 작고 정방정 단상으로 되어 있는 것을 정방정 지르코니아 다 결졍체 (tetragonal zirconia polyc
 
90. 부유대 용융법  (floating zone melting method)
 
  결정을 일부에 용융대를 만들어서, 이동시켜 단결정을 육성하는 방법.FZ법이라고도 한다.
 
91. 부피 밀도  (bulk density)
 
  다결정체, 분체충, 성형체로서 , 외기와 통한 빈구멍 (개공)과 내부에 갇힌 빈구벙(폐공)을 포함한 밀도. 분체, 성형체 소결체 등의 질량을 그 겉보기 부피로 나눈 값.
 
92. 분극 처리  (poling process)
 
  자발 분극이 방향이 랜덤한 소결후의 압전 세라믹스의 자발분극의 방향을 정돈하기 위해 세라믹스에 향전계의 2~3배의 전계를 가하는 처리. 실온 처리, 퀴리점 이상 가열처리, 유증가열처리, 에징처리 등의 방법이 있다.
 
93. 분무 열분해법  (evaporative decomposition)
 
  용액을 고온분위기 중에 분무하여, 용매의 증발과 용질의 열분해를 동시에 하고, 직접분체를 얻는 방법. 안정 화지르코니아. 페라이트 및 스피넬 분체의 제조에 적용.
 
94. 분산 특성  (dispersion property)
 
  파 등 진동에 관계되는 몰성값이 진동수에 따라 변화하는 성질. 빛의 분산은 굴절률의 파장 의존성으로서 표시되지만 이외에 음파의 특성, 유전율, 투자율, 탄성률등 파동인력에 대한 응답특성으로 확장되고 있다.
 
95. 분쇄  (grinding)
 
  고체를 잘게 분쇄하는 조작. 통상 피분쇄물을 쇄료, 분쇄된 것을 분쇄생성물이라 부른다. 분쇄생성물의 크기에 따라 조쇄, 중간분쇄 및 초미분쇄로 나눈다.
 
96. 분위기 소결  (atmosphere sintering)
 
  소결과정에서의 피처리물의 변질방지 또는 격자결함을 제어하기 위하여, 특정의 분위기 중에서 소결하는 방법. 
 
97. 분자 스퍼팅법  (molecular stuffing method)
 
  열처리에 따라 분상된 유리를 염산에 침지하여 이용상을 용출시켜서 다공질화하고, 그 중에 고굴절률 부여원소를 포함하는 용액을 함침시켜서, 이 함침 다공체를 에틸알콜과 물의 혼합용액 중에서 처리 후, 열처리하여 굴절률 분포 유리를 얻는 방법.
 
98. 불꽃 용사  (flame spraying)
 
  가연성물질의 연소불꽃을 이용하여 , 세라믹분말을 용융상태로 하여 기판에 코팅하는 방법. 불꽃의 온도(약3000℃)가 , 플라스마법에 비해서 저온이다. 불꽃을 고속화한 제트식의 것이 있다.
 
99. 붕규산염 유리  (borosilicate glass)
 
  실리카와 산화붕소 (B2O3)에 따라 망목상 구조가 형성되어 있는 유리. 저알칼리의 붕규산 유리능 팽창률이 작고 비교적 단단하고, 내식성이 우수하므로 이화작용이나 디스플레이 소자의 기판유리로도 적합하다.
 
100. 붕화란탄  (lanthanum boride)
 
  화학식 LaB6열전자 방사성이 우수한 화합물. 단결정을 가공하고, 정밀도가 좋은 전자방사체로서 전자 현미경이나 VLSI의 회로제작에 이용한다.
 
 101. 붕화지르코늄  (zirconium boride)
 
  화학식 ZrB2, 비중 6.09, 융점 3245℃ 의 경질물질. 금속에의 내침식성도 우수하므로 내마모 부재나 철, 알루미늄 용융 금속성 부재로 사용한다.
 
102. 붕화티탄  (titanium boride)
 
  화학식 TiB2, 융점 3225℃ , 높은 경도를 갖고, 도전성이 우수한 물질. 특히, 고경도를 살려서 내마모 부재로 사용한다.
 
103. 브리지만법  (Bridgman method)
 
  물질을 도가니 속에 넣고 고온에서 용융하고, 끝에서 서서히 고화시키는 단결정 제조법, 또는 전기로에 느슨하게 온도 기울기를 주고, 온도를 고정하고, 도가니를 내려서 고화시키는 방법.
 
104. 비산화물 세라믹스  (non-oxide ceramics)
 
  질화물(Si3N4, AIN, BIN 등) , 탄화물(SiC, TiC, B4C, WC 등) , 붕소화물(TiB2, ZrB2등), 황화물(CdS, MoS2등) , 규소화물(MoSi2) 및 탄소와 같은 비금속 원소로서 산소를 함유하지 않는 화합
 
105. 비선형 광학 유리  (non-linear optical glass)
 
  비선형 광학특성을 갖는 유리. 황화카드뮴 등의 반도체 미립자를 도프시킨 유리. 고속 응답성이 우수하기 때문에 초고속의 광스위치 등이 재료로 기대되고 있다.
 
106. 비유전율  (relative permittivity(dielectric constant))
 
  유전체를 끼우는 전극판에 전계 E를 인가할 때, 전속밀도 D와 E의 비 (D=εE). 진공에 대한 유전율을 ε0으로 했을 때, 유전체의 비유전체율 εr=ε/ε0로 표시된다.
 
107. 비정질 세라믹스  (amorphous ceramics)
 
  세라믹스를 구성하는 원자 또는 이온이 무질서하게 배치된 비정질 세라믹스. 종래의 유리와 같은 결정화하기 어려운 물질만이 아니고 초급랭하여 얻어지는 것이라든가 기상법으로 합성하는 것이 있다.
 
108. 비표면적  (specific surface area)
 
  분체의 단위 질량당의 표면적. 통상 m2/g 의 단위로 표시한다.
 
109. 뼈 충전재  (filler for implanting in bone defect)
 
  뼈조직이 결손부 또는 틈부분에 충정함으로써 그 주변에 가급적 또는 빨리 미래의 뼈조직을 재생시키는 것을 목적으로 하는 재료. 다공체나 입상의 히드록시아파타이트, 인산삼캄슘 등이 있다.
 
110. 사이알론  (sialon (silicon aluminum oxynitride))
 
  Si-AI-O-N계 화합물의 총칭. Si,N에 대하여 AI,O가 치환형 고용된 β-사이아론과 이 치환형 고용 및 결정 격자간에 특정한 금속원자가 침입형 고용한α-사이알론이 있다. 특성은 질화규소가 갖는 저열팽창률, 고강도 이외에 내침식성도 우수하지만 인성이 낮다.
 
 111. 사출 성형  (injection molding)
 
  분체원료에 열가소성 또는 열경화성의 성형조제를 첨가한 후, 실린더 내에서 가열하여 유동성을 부여하고, 실린더 내의 피스톤 또는 스크루를 이용하여 성형틀 내에 사출하고, 틀 안에서 냉각 또는 가열에 따라 고화시키는 성형법.
 
112. 사파이어  (sapphire)
 
  α-알루미나의 일종. 자연산인 것은 청색부터 남색까지를 나타내지만 인조의 사파이어 단결정의 무색인 것도 포함된다.
 
113. 산란 손실  (scattering loss)
 
  물체에 입사한 빛의 강도가 빛의 산란 현상에 따라 감소하는 정도이고, 레이리 산란과 구조불완전성에 의한 산란으로 분류되는 손실. 광섬유의 전달손실은 흡수손실과 산란 손실로 이루어진다.
 
114. 산화물 세라믹스  (oxide ceramics)
 
  비금속 원소로서 산소를 함유한 산화물로 된 세라믹스. 산화물 세라믹스에는 단일산화물, 복합산화물, 규산염, 인산염 등의 산소산염이 있다. 각각 종류도 많고, 광범위한 용도가 있다.
 
115. 산화물 솔더법  (oxide soldering)
 
  산화물 솔더를 이용한 유리, 세라믹스 및 금속의 접합법. 산화물 솔더는 융점 약 300℃(PbO계)에서, 약 2000℃ (AI2O3, CaO, MgO, Y2O3계 등)의 고온까지 광범위하다.
 
116. 산화아연  (zinc oxide)
 
  화학식이 ZnO인 화합물. 홍아연광으로서 천연에서 산출. 비중 5.78, 올츠광형과 암염형인 2종류가 있다. 상압하에서는 1720℃에서 승화. Bi2O3등을 참가한 소결체는 비직선적인 저항변화를 나타내어 바리스터, 센서 등에 이용된다. 
 
117. 산화철  (iron oxide)
 
  철의 산화물로 산화제일철(FeO), 사삼산화철(Fe3O4), 산화제이철 (Fe2O3) 등이 있다. (FeO) : 흙색 발화성 분말, 암염형 구조, 비중 5.7, 융점은 1377℃. 
 
118. 산화티타늄  (titania)
 
  이산화티탄 TiO2에 관한 것이다. 단일한 성분으로는 3가지 종류의 변형된 형태가 있으나 루틸(rutile)형 구조의 루틸 형태로 생성되는 경우가 많다. 굴절률이 놓고 단결정은 융점 1640℃, 밀도 4.3g/츠3이고 옥석으로 쓰인다. 
 
119. 상변화형 광메모리용 유리.  (phase transtion type glass for optical memory)
 
  결정상태와 비결정상태 사이에서 물성치가 가역적으로 변화하는 현상을 메모리로서 응용하능 유리. 상변화형광 디스크에는 메모리용 유리로서 칼코겐화물 유리 박막이 이용되고 있다.
 
120. 상분리  (phase separation)
 
  유리를 유리 전이점보다 약간 높은 온도에서 가열했을 때, 조성이 다른 2종의 유리상으로 분리하는 현상. 붕규산유리에서 다공질유리를 만드는데 이용한다.
 
 121. 상압소결  (pressureless sintering)
 
  1기압의 분위기에서의 소결법. 가장 일반적인 소결방법이고, 파인 세라믹스의 제조에 넓게 적용.
 
122. 샌드 블라스트  (sand blast)
 
  미세한 지립을 압축공기와 같이 고속으로 노즐에서 분출시켜서 이것을 피가공물 표면에 때려서 지립의 충격력을 이용하여 피가공물표면을 가공하는 방법.
 
123. 생체 세라믹스  (bioceramics)
 
  생체 친화성이 좋고 , 인공 뼈, 인공관절, 인공 치근 등으로 사용되는 생체 내에 매입해 사용되는 세라믹스. 생체 내에서 불용성이어서 안정된 생체 불활성인 것과 분해, 석출, 반응 등을 일으키는 생체활성인 것 등이 있다.
 
124. 생체 활성 유리  (bioactive glass)
 
  생체 친화성이 있고 생체 중에서 융해, 반응 등 생체조직에 적극적으로 작용하는 성질이 있는 유리. MgO, CaO, SiO2 및 P2O5을 주성분으로 하는 유리 및 결정화 유리가 생체활성이 있는 유리로서 잘 알려져 있다.
 
125. 서멧  (cermet)
 
  세라믹스와 금속과의 복합재료, 일반적인 것으로는 원소 주기율표 Iva, Va, VIa 족 천이금속의 탄화물을 니켈,코발트를 주로 하는 금속으로 결합한 소결 경질 합금이 있다.
 
126. 서모크로믹 유리  (thermochromic glass)
 
  온도에 따라 색을 가역적으로 변화시킬수 있는 유리. 반도체의 에너지갭이 온도에 의존하므로, 반도체를 유리에 도프하는데 따라 제작할 수가 있다.
 
127. 선 균열 도입 파괴 시험법  (single edge precracked beam method)
 
  선 균열도입 시험편의 3점굽힘 파괴 시험에 따라서 시험편의 파괴하중을 측정하고 선 균열길이, 시험편 치수 및 굽힘 지점간 거리에서 평면 뒤틀림 파괴 인성을 구하는 방법. 시험방법은 KS-L-1600에 규정되어 있다.
 
128. 선택 투과성  (selective transparency)
 
  유리 등의 재료의 목적 파장역이 빛의 투과성. 
 
129. 성형  (forming or shaping)
 
  원료분체를 소정의 모양을 부여하는 조작
 
130. 세공 지름 분포  (pore size distribution)
 
  분체입자 및 다공질 소결체에서 세공지름의 분포비율. 측정에는 수온압입법과 기체흡착법 등이 있다.
 
 131. 세라믹 바리스터  (ceramic varistor)
 
  인가 전압이 작은 동안에는 전류의 흐름이 작고 절연물에 가깝지만 어느 전압이상에서 저항이 급격히 작게 되어 양도체가 되는 비직선성의 저항체를 바리스터라고 부른다. 세라믹 바리스터의 대표적인 예로 산화아연계 바리스터가 있다. 전자회로소자의 과전압보호에 이용.
 
132. 세라믹 섬유  (ceramic fiber)
 
  세라믹스를 지름 수십㎛ 또는 그 이하의 섬유상으로 형성한 것. 제조법에는 용액의 분사 또는 인장 , 점성용액의 인장과 열처리, 졸-겔법 등이 있다. 단열재, 충전재, 여과재, 흡음재, 복함재료용 보강재 등에 이용. 
 
133. 세라믹 센서  (ceramic sensor)
 
  계측대상의 상태량이나 특성치 등이 물리량(온도, 압력, 습도, 가스의 존재, 과량 등)을 별도의 물리량으로 변환하여 기록, 전송, 신호처리할 수 있도록하는 소자. 세라믹스에서는 입계나 기공과 각 입자의 반도성, 자성, 유전성 등의 특성변화의 조합을 이용한 것이 많다.
 
134. 세라믹 필터  (ceramic filter)
 
  진동체에 압전 세라믹스를 사용한 세라믹 필터. 진동체의 공진을 이용하고, 이것을 압전적으로 발진 및 수진하는 수자를 공진자라고 하고, 공진자를 조합하여 특정의 주파수만을 요과하는 디바이스를 필터라고 한다. 
 
135. 세라믹 히터  (ceramic heating resistor)
 
  세라믹스의 도전성 또는 반도체 성질을 이용한 발열체. 금속 발열체의 사용온도범위(1200℃ 이하)보다도 높은 (최고1800℃)영역에서 사용할 수 있다. 
 
136. 세라믹스 기판  (ceramic substrate)
 
  IC나 LSI등의 기증소자를 탑재하든가 , 이들 상호의 배선이나 입축력단자 등을 형성하기 위한 세라믹스 박판. 전기절연성, 고 열전도성, 저 유전율, 기밀성, 저 열팽창률, 내열충격성 등이 요구된다. 
 
137. 세라믹스 콘덴서  (ceramic capacitor)
 
  유전체가 세라믹스인 콘덴서. BL콘덴서, 적층 콘덴서 등이 있다.
 
138. 소결  (sintering)
 
  분체계를 융점 이하 또는 소량의 액상이 존재하는 온도에서 가열하 경우에, 구성입자간에 접합 또는 합체가 생겨서, 어느 정도의 강도와 특성을 갖는 체계가 되는 현상.
 
139. 소결 조제  (sintering aids)
 
  소결을 촉진시키기 위한 첨가제. AI2O3에 대한 MgO, SiO2나 Si3N4에 대한 Y2O3, Al2O3, MgO등.
 
140. 소다석회 유리  (soda lime glass)
 
  실리카, 소다 및 석회를 주성분으로 하는 유리. 소다회, 석회석 및 규사를 주원료로 하여 용융법에 따라 생산한다. 내알칼리성이 낮다는 결점이 있지만, 가공하기 쉽고 가격이 싸므로 표면에 실리카 코팅을 하여 알칼리의 용출을 방지한 것은 기판유리로서도 사용된다.
 
 141. 소성  (firing)
 
  성형체 중의 불안정성분(결정수, 염류, 바인더 등)을 분해, 제거하고, 각 성분간의 반응을 진행시켜서 안정한 화합물을 형성하고, 동시에 소결에 따라 수축, 치밀화 시켜서 , 일정모양, 강도의 소결체를 얻는 것.
 
142. 소성 성형  (plastic forming)
 
  세라 믹 분말에 물또는 용제를 혼합하여 가소성을 나타내도록 한 세라믹스 원료 배토를 조제하고, 그 가소성을 이용하여 성형하는 방법.
 
143. 소프트 페라이트  (soft ferrite)
 
  히스테리시스 곡선의 폭이 가늘고 보자력이 작다. 외부의 약한 자계에 대해서도 민감하게 자화되는 페라이트.
 
144. 수열 합성법  (hydrothermal crystallization method)
 
  물을 용매로 하는 가압용기의 상하에 온도 기울기를 주고, 하부에서 원료를 녹여서 , 상부의 종자결정상에 새로운 결정을 석출 성장시키는 방법.수열유성법이라고도 한다.
 
145. 수축 끼워맞춤  (shrink fitting (shrinkage fit, thermal insert))
 
  열팽창과 수축을 이용하여 2개의 물체를 결합하는 방법. 일반적으로 외측에 위치하는 외측에 위치하는 부품을 가열하여 안지름을 넓혀두고 이것을 내측부품을 끼워 상온으로 되돌려서 외측의 수축을 따라 양자를 결합하는 방법.
 
146. 스크린 인쇄법  (screen printing)
 
  등사판과 같은 원리에 따라, 소정의 스크린 패턴을 후막 페이스트(잉크)를 사용하여 그린 시트 또는 소결 세라믹스판상에 전사하는 방법. IC기판의 회로배선, 콘덴서 및 압전체의 전극이나 기능소자의 형성에 사용한다.
 
147. 스퍼터링  (sputtering)
 
  10~10-1 Pa의 저압가스에 전압을 인가하여 플라스마 상태로 한 이온을 타깃에 쏘아서, 타깃에서 튀어나온 분자나 원자를 기판상에 퇴적시키는 박막형성법. 또는 , 타깃을 청정화하는 방법. 불활성 가스를 사용하는 경우가 많다.
 
148. 스피넬  (spinel)
 
  좁은 뜻으로는 MgAl2O4로 된 등축정계의 광물을 말한다. 비중 3.55, 경고8. 천연의 스피넬로 농적색인 양질결정은 옥석이된다. MgAl2O4 와 같은 결정구조를 스피넬형이라 부르과 많은 화합물이 존재한다. 
 
149. 슬러리  (slurry)
 
  가는 분말이 액체 중에 분산하고 있는 농후한 현탁액. 습식성형에 사용된다 니장, 슬림이라고도 한다.
 
150. 습식 가압 성형  (wet pressing process)
 
  수분 또는 액상유기물 첨가량이 많은 원료분체를 성형할 때의 성형법. 시트 성형,테이프성형,주입성형, 니장주입, 압출성형, 사출성형 등의 방법이 있다.

151. 시트 성형  (sheet forming)
 
  세라믹스의 그린시트(테이프)를 만드는 방법. 또는 시트를 사용한 성형방법.
 
152. 시트 적층  (sheet lamintion)
 
  세라믹스의 그린시트 또는 후막인쇄에 따라 배선을 한 그린시트를 복수로 겹쳐쌓고, 열압착하여 일체화하는 것. 적층콘덴서, 적층압전체, 다층 배선기판 등의 제조에 사용한다.
 
153. 실리카  (silica)
 
  이산화규소 (SiO2)결정성물질로는 석영, 크리스토 바라이트 트리디마이트 등의 다형이 존재한다. 석영유라는 반도체 제조나 광섬유로 이용되고 있다. 비정질이사화 규소의 뜻으로 사용되기도 한다.
 
154. 실리카유리  (silica glass)
 
  실리카의 망목상 구조에 의해 구성된 망목수식 이온이 없는 유리. 순 규석의 융해나 SiCI4의 온도기상분해로 합성한다. 팽창률이 작고, 급열급랭에 견딘다. 반도체분야에서 사용되는 고순도 실리카 유리는 Al, B, P등의 불순물 함유량이 ppb이하이다.
 
155. 실투  (devitrification)
 
  유리상태에서 결정이 석출하는 것. 유리 제조공정에서 내화물이 침식물의 혼입이나 성분의 증발에 따라 유리조성에 치우침이 생기면 실투의 원인이 된다.
 
156. 아베수  (Abbe's number)
 
  가시역광의 유리의 굴절률의 분산의 정도를 표시하는 수.아베수가 클수로 분산이 작고, 굴절률의 파장에 의한 변화가 작다. 
 
157. 아파타이트  (apatite)
 
  화학식Ca10(PO4)6(F¸ CI¸ OH)2 로 표시되는 화합물 . 천연으로 산출되는 것은 인회석이라고 한다. 
 
158. 안식각  (angle of repose)
 
  분체충의 자유표면이 한계응력상태에 있는 경우, 그 면과 수평면 사이의 각. 수평면상에 깔때기 등에서 분체를 낙하시켜서 각도를 측정하는 주입법 이외에 배출법, 경사법 등의 측정방법이 있다.
 
159. 안정화 지르코니아  (fully stabilized zirconia)
 
  지르코니아에 CaO, MgO, Y2O3등을 고용시켜서 , 저온까지 입방정의 구조를 유지한 지르코니아. 통상 FSZ(fully stabilized zirconia)라 부른다. 
 
160. 알루미나  (alumina)
 
  산화알루미늄(Al2O3), 결정상으로서 α-, r- , n- 등이 있지만 , 일반적으로 α- 알루미나를 말한다. α-알루미나는 가장 안정된 코런덤 구조를 나타낸다. 융점2050℃ , 전기절연성, 내열성이 우수하다.
 
161. 알루미나 첨가 지르코니아  (alumina added zirconia)
 
  부분 안정화 지르코니아를 주성분으로 하는 주상에 알루미나를 분산시킴으로써 , 지르코니아의 입자성장을 억제하여 , 강도나 파괴인성을 더욱 개선한 지르코니아.
 
162. 알루미노규산 유리  (aluminosilicate glass)
 
  실리카와 알루미나로 망목상 구조가 형성되어 있는 유리. 연화점이 높으므로 내열성이 필요한 용도에 적합하다. CaO와 B2O3를 가한 E유리가 가장 많이 생산되고 있다. 
 
163. 암화 특성  (darkening property)
 
  암화란 포토크로믹 유리가 빛의 조사에 따라 착색 또는 변색하는 것. 그리고 암화특성은 광조사에 따라 저하하는 투과율의 크기로 한 암화도가 그 속도로 한 암화속도를 포함한다. 
 
164. 압입법  (indentation fracture method)
 
  파괴인성 평가법의 한 가지. 시료에 비커스 압자를 눌러서, 압혼의 주위에 생기는 균열의 길이에서 파괴인성을 구하는 간편 평가법. 시험방법은 KS-L-1600에 규정되어 있다.
 
165. 압전 세라믹스  (piezoelectric ceramics)
 
  인가압전의 작용에 따라 결정이 뒤틀리는 성질을 갖는 세라믹스. 기계적 에너지와 전기적 에너지의 상호변환으로 이용된다. 대표적인 압전체로는 페롭스카이트형 구조의 BaTiO3수정 등이 있고, 초음파 진동자, 액추에이터 등에 응용된다.
 
166. 압축 강도  (compressive strength)
 
  시험편의 축방향에 압축부하를 가하였을 때, 시험편이 견딜수 있는 최대하중을 하중방향으로 수직한 시험편의 시험 전의 단면적으로 나눈 값. 시험방법은 KS-L-1601에 규정되어 있다.
 
167. 압출 성형  (extrustion)
 
  적당한 가소성을 준 혼련원료를 실린더 내의 피스톤 또는스프루를 이용하여 소정의 단면형성을 갖는 쇠붙이 마개에서 그 단면형상을 유지한 채로 압출 후 절단하여 성형체를 얻는방법. 대표적인 보기로서 코디어라이트에 의한 허니콤 구조성형체가 있다.
 
168. 액상 석출법  (liquid phase deposition)
 
  상온하에서 규소플루오르화 수소산의 수용액에 실리카(SiO2)분말을 포화에 달할 때까지 용해하고, 붕산 을 첨가한 후 소다석회 유리기판을 침지하여 기판상을 실리카 박막을 형성하는 방법.
 
169. 액상 소결  (liquid phase sintering)
 
  액상이 관여하는 소결. 액상의 개재에 따라 고상입자와의 사이가 젖거나 고상-액상간의 용해-석출반응이 생겨서 치밀화가 가속된다. 도자기나 질화규소의 소결 등에 널리 사용되고 있다.
 
170. 연마 가공  (polishing)
 
  고정과 지립가공 또는 유리와 입가공에 따라, 피가공을 표면을 약간씩 깍아 가는 기계가공.
 
171. 열 팽창 계수  (coefficient of thermal expansion)
 
  압력이 일정한 상태에서 열에 의해 물체가 팽창할 때, 단위 온도 변화당 길이 또는 체적 변화율을 말하며, 길이 변화를 나타내는 선팽창 계수, 체적 변화를 나타내는 체팽창 계수가 있는데, 통상 전자를 가리킨다. 
 
172. 열강화 유리  (thermally strengthened glass)
 
  연화점에 가까운 고온으로 가열한 후 급냉하여, 표면에 압축응력층을 형성시켜서 강화한 유리. 공기제트에 의한 풍랭강화가 널리 실용화되고 있다.
 
173. 열분해 질화붕소  (pyrolytic boron nitride)
 
  BCI3등이 할로겐화 붕소와 NH3을 원료로 하여 2000℃ 전후의 고온감압 CVD법에 따라 기상에서 석출되는 층상의 BN성형체. GaAS등의 화합물 반도체의 도가니나 보드로 사용된다.
 
174. 열분해 흑연  (pyrolytic graphite)
 
  탄화수소가스를 고온 기재에 접촉시켜서 열분해에 따라 침전된 탄소가 흑연구조를 갖고, 기밀하게 배열할 것. 핵연료의 피복재, 열차폐재,히터, 야금용 도가니 등에 사용.
 
175. 열선 반사 유리  (IR reflecting glass)
 
  유리표면에 금속또는 금속산화물의 박막을 코팅하여 적외선과 가시광선의 일부를 반사시키는 유리. 고온 열선 반사유리는 TiO2등의 박막을 코팅한 것으로서, 실내의 냉방부하를 경감시킨다. 
 
176. 열선 흡수유리  (IR absorption glass)
 
  적외선과 가시광선의 일부를 흡수하는 . 열선 흡수판유리는 통상의 판유리 성분에 미량의 Fe, Ni, Co, Se 등의 금속을 첨가하여 제조되고 , 착색투명이다 .
 
177. 옥시나이트라이드 유리  (oxynitride glass)
 
  산화물 유리 중의 산소원자의 일부를 질소원자로 치화한 유리. 원래의 유리에 비하여 탄성률, 경도, 연화온도 등이 높게 되고, 화학적 내구성도 개선된다. 질소함유율은 무게로 2~15% 정도이다.
 
178. 와이블 분포  (Weibull distribution)
 
  최약 환설에 따른 파괴확률분포. 취성(脆性)재료의 강도, 금속의 피로수명, 기계나 인간의 수명, 소프트웨어의 고장 등 광범위한 통계현상을 기술하는데 적절한 분포함수이다. 
 
179. 용사  (thermal spraying)
 
  봉상 또는 분말상이 금속, 비금속 무기재료를 고온의화염 중에 보내서 , 이것을 용융상태의 미립자로 하여 분사해서, 목적물에 충돌시켜서 그 표면에 피복층을 형성하는 방법.
 
180. 운모  (mica)
 
  XY2-3(Si, AI)4O10(OH, F)2[ X는K, Ca, Na, 등 , Y는Mg, AI ,Li, Fe, Mn,Ti등]로 표시되는 광물. (001)면에 강한 (벽)개성을 갖음. 주의)여기에서 사용하는 화학식의 숫자들은 모두 아래첨자로 본다.
 
 181. 위스커  (whisker)
 
  수염 결정이라고도 하며, 함유하는 결함의 수가 매우 작은 섬유상 단결정. SiC, Si3N4위스커는 금속이나 세라믹스 복합재료의 강화재로 이용된다.
 
182. 유리 결정화법  (glass crystallization method)
 
  결정화하는 성분과 유리화하는 성분을 혼합용융 후 냉각하여, 비정질상의 얇은 띠를 작성한다. 이 얇은 띠를 재가열하여 결정화시킨후 유리성분을 산에 씻어서 제거하고, 결정질의 초미립자 분말을 얻는 방법.
 
183. 유리 지립 가공  (loose abrasive machining)
 
  지립을 고정하지 않고, 피가공을 깍든가, 연마하든가 하는 가공법. 래핑, 폴리싱, 버프가공, 배럴가공, 분사가공, 초음파가공 등의 총칭. 고정지립에 의한 가공에 대비하여 사용한다.
 
184. 유리봉착  (glass sealing)
 
  봉착용 유리를 사용하여 유리, 세라믹스 및 금속들을 기밀봉착하는 것. PbO-B2O3-ZnO계, 또는 SiO2-B2O3-Na2O계 등의 유리로,컬러 브라운관이나 IC용 알루미나 패키지의 봉착을 한다.
 
185. 유전 세라믹스  (dielectric ceramics)
 
  전기 저항이 높은 재료를 전장에 놓으면 그 재료 중의 여러 전하 Carrier가 원래의 위치에서 극히 약간만 이동하고 , +, - 두 전극이 서로 역방향으로 치우쳐서 생기는 분극에 이용한 기능을 갖는 세라믹스.
 
186. 융제법  (flux method)
 
  적당한 무기염을 용매로 하여, 시료를 고온에서 용융하여 포화용액을 냉각하면서 결정을 석출시키는 방법. 용액석출법이다.
 
187. 은 접합법  (silver firing)
 
  은을 주성분으로 한 후막 페이스트를 인쇄, 침지, 스프레이 등의 방법에 따라 기판 위에 도포하고, 이것을 가열하여 페이스트 중의 무기성분(은, 유리 등)의 소결, 또는 용융현상을 이용하여, 기판과 은 페이스트를 접합하는 방법.
 
188. 음향 광학 효과  (acousto-optic effect)
 
  인가전압에 따라 투명압전체 내에 발생한 초음파와 압전체에 입사한 빛과의 상호작용에 따라 생기는 광편향 현상. 재료로서 TeO2, PbMoO4등이 있고, 광스위치 등에 응용.
 
189. 응력 완충제  (buffer layer)
 
  세라믹스와 금속의 접합이나 코팅에 있어서 , 양자의 열팽창 차에 의한 응력에 기인하여, 세라믹스측에 발생하는 균열을 방지하고 , 강하게 결합시킬 목적으로 그 계면에 개재시키는 열응력 완화용 인서트재.
 
190. 응집 입자  (agglomerated particle)
 
  여러개의 1차입자가 응집하여 일단이 되어서 겉보기상 독립된 입자 집합체. 2차입자라고도 한다.
 
 191. 이동도  (mobility)
 
  기체, 용액, 고체 등의 속에서 이온, 전자, 콜로이드입자등 하전입자가 단위전장하에서 표시하는 평균적인 이동속도. 이동속도μ 는 전장 E하에서 이동속도를 V로 했을 때, V=μ E로 정의된다.
 
192. 이미드 분해법  (imide decomposition mothod)
 
  이미드 M(NH)x를 중간체로 하여 이것을 비산화 분위기 하에서 가열 분해하여 질화물을 얻는 원료 합성법. 고순도, 미세한 Si3N4분말의 제조에 적용.
 
193. 이온 강화유리  (chemically strengthened glass)
 
  유리를 고온의 알칼리 용융염 중에 침지하여 , 계면을 통하여 유리속의 알칼리 이온과 용융염에 함유되어 있는 알칼리 이온을 상호확산에 따라 교환하고 , 유리표면에 강한 압축응력을 발생시켜 강화한 유리.
 
194. 이온 전도 세라믹스  (ionic conductive ceramics)
 
  전하 Carrier 가 이온인 전도성 세라믹스. 고체 전해질 세라믹스라고도 한다. Na+전도의 β-알루미나 또는 O2_ 전도의 지르코니아가 잘 알려져 있다.
 
195. 이온 주입법  (ion implantation)
 
  이온화된 입자를 전장에 따라 가속하여 타깃에 박아 넣는데 따라 타깃의 격자 중에 새로운 원소를 가하는 방법. 주로 표면을 개질하기 위하여 사용하는 수법.
 
196. 이온 플레이팅  (ion plating)
 
  진공용기 내의 저압가스에 전계를 걸어서 플라스마를 발생시켜서, 이에 따라 증발원에서의 증발입자를 이온화하여 기판표면에 증착시키는 박막형성법.
 
197. 인산염 유리  (phosphate glass)
 
  주로 산화인에 의해 망목상 구조가 형성되고 , 망목수식 이온으로서 칼시아나 알칼리 등을 함유하는 유리. 칼시아 산화인계의 결정화 유리는 생체활성 유리로서 실용화가 진행되고 있다.Nd를 도프한 인상염 유리는 레이저 손상에 강하고 핵융합용 레이저 유리로서유망하다.
 
198. 인상법  (crystal pulling method)
 
  물질을 도가니 속에서 용융하여 , 이 중에 종자결정을 침지해서 회전시키면서 서서히 끌어올려서 단결정성장을 시키는 방법. 초크랄스키법, CZ법이라고도 한다.
 
199. 인쇄 적층법  (printing lamimation)
 
  스크린 인쇄법에 따라 , 기판상에 성질이 다른 후막 페이스트를 교대로 반복하여 , 인쇄하여 적층체를 만드는 방법. 후막회로의 형성에 사용한다.
 
200. 인장 강도  (tensile strength)
 
  안장하중하에서 인장시험편에 가한 최대 인장응력. 통상 최대하중을 시험편의 원래의 단면적으로 나눈값으로 표시한다. 시험방법은 KS-L-1599에 규정되어 있다.
 
 201. 인텔리전트 세라믹스  (intelligent ceramics)
 
  환경조건에 지적으로 응답하여 기능을 발현하는 세라믹스.
 
202. 일렉트로크로믹 유리  (electrochromic glass)
 
  일렉트로크로미즘(물질의 광학적 흡수가 전류의 흐르는 방향에 따라 가역적으로 변화하는 현상)을 이용하여 투과율이나 색의 변화를 조절할 수 있는 유리. 일렉트로크로믹재로서 비정질 산화텅스텐을 사용한 것이 실용화되고 있다.
 
203. 일축 가압 성형법  (uniaxial pressing)
 
  분체를 일축 가압하고, 고화시키는 성형법.
 
204. 임계 온도  (critical temperature)
 
  많은 금속, 어느 종류의 금속산화물 등의 물질이 직류 저항이 있는 상태(상전도 상태) 에서 초전도상태로 전이하는 온도. 
 
205. 임계 자장  (critical magnetic field)
 
  초전도체에 외부로부터 자장 H를 가했을 때, 초전도에서 상전도로 변하는 결계선의 자장.
 
206. 임계 전류  (critical current)
 
  초전도체를 흐르는 전류를 크게 할때, 초전도 상태가 무너져서 상전도상태가 되는 한계의 전류의 강도.
 
207. 입도 분포  (particle size distribution)
 
  분체를 구성하는 입자의 크기의 분포비율. 입자 경 분포의 경우. 입자의 크기는 길이의 단위로 표시한다.
 
208. 입방정 질화붕소  (cubic boron nitride)
 
  cBN이라고 부른다. 다이아몬드 구조를 갖고, 그 기본적 성질도 다이아몬드와 비슷한다. 통상 초고압법에 따라 합성하고 , 절삭 및 연삭공구로 이용.
 
209. 입자 밀도  (particle density)
 
  입자의 밀도로 입자에 함유되는 폐공간도 입자의 일부로 보는 밀도.
 
210. 입자 지름  (particle size)
 
  개개 입자의 크기.
 211. 입자성장  (grain growth)
 
  세라믹스분체가 가열되어, 구성 입자강의 공극률이 감소하고 강도가 현저하게 증가한 분말 접합체로 변화하는 과정(소결)으로 구성 입자간의 합체에 의한 입자의 성장현상.
 
212. 자기 광학 효과  (magneto-optic effect)
 
  자장 중에 놓은 투명물체에 빛을 입사했을 때, 물체로부터의 반사광, 투과광의 진폭 , 위상,편광 상태가 원래의 입사광과 다른 현상. 이 현상에는 코튼-무튼효과(포크트효과), 패러데이효과, 자기카효과의 3종류가 있다. 
 
213. 자기연소 소결  (self combustion sintering)
 
  화합물 합성시의 발열반응을 이용하여 , 화합물을 구성하는 원소의 혼합압분체(가스를 반응원으로 하는 것을 포함)에서 직접 치밀한 소결체를 얻는 방법.
 
214. 자성 세라믹스  (magnetic ceramics)
 
  산화철을 주성분으로 하는 자발자화를 갖는 세라믹스. 대표적인 것에는 연자성체의 스피넬형, 가네트형 및 경자성체의 마그네토플럼바이트형 구조의 화합물이 있다.
 
215. 저온 소결 세라믹스  (low temperature sintering ceramics)
 
  유전체 재료 , 절연 체재료 등으로 그 기능의 열화를 동반하지 않고 , 소결온도의 저하를 도모하여 낮은 온도로 소결한 세라믹스, 티탄산 바륨계 재료에 대하여 , 저온으로 소결하는 납계 페롭스카이트 등은 하나의 보기. 
 
216. 저온 소성법  (low temperature firing)
 
  특정의 재료를 통상 소결하는 온도 이하로 소결시키는 방법. 액상을 생성하는 소결조제를 첨가하는 방법이나 원료 분체의 활성을 높혀서 저온으로 소결시키는 방법 등이 있다.
 
217. 저팽창 세라믹스  (low thermal expansion ceramics)
 
  열팽창계수가 작은 세라인스. 코디어라이트, 리튬-알루미노규산염, 티탄산알루미늄, 인산지르코늄 등이 이것에 속한다.
 
218. 저팽창 유리  (low expansion glass)
 
  팽창률이 아주 작은 유리. Li2O- Al203-SiO2계의 저팽창 결정화 유리는 거의 팽창률이 영으로 정밀 기계 부품의 재료로서 적합하다.
 
219. 저항체 페이스트  (resistive paste)
 
  후막인쇄법에 따라 세라믹스 기판위에 저항체를 형성할 때에 사용하는 페이스트. Pd-Ag계, RuO2계, Bi2Ru2O7등이 있다.
 
220. 적외선 방사 세라믹스  (infrared radiation ceramics)
 
  적외선 파장대(약 0.75~1000㎛)의 전자파을 많이 방사하는 세라믹스는.특히 원적외선(파장 2~30 ㎛)을 방사하는 세라믹스는 공업가열에 이용되고, MnO2, Fe2O3, CuO, CoO 등을 첨가한 코디어라이트나 티탄산 알루미늄, 탄화규소 등이 있다.
 
221. 적층 기판  (multilayer substrate)
 
  닥터블레이드법 등에 따라 제작한 기판층을 여러 겹으로 쌓아 올린 적층상 기판 . 기판층간에는 도체, 유전체 및 저항체를 배치하여 적층하고 이것을 일체소결하여 고밀도 집적소자를 제작한다.
 
222. 적층 콘덴서  (multilayer ceramic capacitor)
 
  세리믹스체의 내부에 복수로 상대하는 전극을 배열한 다층 구조를 갖는 콘덴서. 용량/체적의비율을 높인 것.
 
223. 전기 광학 효과  (electro-optic effect)
 
  전장의 인가에 따라, 굴절률이 변화하는 현상. 굴절률 변화가 전압에 비례하는 1차를 포켈스효과, 2차를 카효과라 부른다. 재료로서 PLZT, LiNbO3등이 있고, 광셔터, 광변조소자, 광메모리 소자 등으로 응용.
 
224. 전기기계 결합 계수  (electromechanical coupling factor)
 
  전압 재료나 자왜(歪)재료로 전기계와 역학계의 결합의 비율을 표시하는 계수. 역학적 에너지 Uн, 전기적 에너지 UE, 저기계와 역학계의 상호 작용에 따라 비축되는 에너지를 U라고 하면 K=U/√(UHUE)이고, 압전 재료에서는 K=d/√(εTS 
 
225. 전기기계 품질 계수  (electromechanical quality factor)
 
  공진의 날카로움을 나타내는 양. 1라디안당 상실되는 진동 에너지(내부마찰)의 역수.
 
226. 전송 대역  (transmission band)
 
  빛 또는 전자파를 변조하여 전송할 때, 변조진폭이 큰감쇠를 일으키지 않고 출력측에 전할 수가 있는 변조 주파수의 상한. 광섬유의 경우 출력진폭의 최대치에서 6dB작게 될 때까지의 주파수로 한다.
 
227. 전송 손실  (transmission loss)
 
  빛, 전기, 소리 등의 에너지가 전송선로에서 상실되는 에너지의 양. 손실의 정도는 단위거리당의 감쇠량으로 하고, 다음 식으로 정의되는 데시벨(dB)로 표시된다. 
 
228. 전자 세라믹스  (electronic ceramics)
 
  세라믹스의 특징인 전기적 전자적 기능 (전기절연성, 유전성, 압전성, 초정성, 반도성, 자성 등)을 이용하여 각종 전자기기 부품으로 사용되는 세라믹스.
 
229. 절삭 가공  (cutting)
 
  좁은 뜻으로는 바이트 등의 절삭공구를 사용하여, 칩을 내면서 하는 가공. 넓은 뜻으로는 가공재에 대하여 기계적인 힘을 작용시켜서 이것을 부분적으로 파쇄하고, 칩을 내면서 행하는 가공의 총칭.넓은 뜻의 절삭가공에는 연삭가공, 래핑 등이 지립가공도 포함한다.
 
230. 절연 내력  (dielectric strength)
 
  절연체에 고전압을 인가해 갈 때, 전류가 급증하여 절연성이 상실되는 현상을 절연파괴라고 하고 , 그 한계값이 절연내력(V/cm또는 Vcm-1)또는 파괴전압.

231. 절연 세라믹스  (insulating ceramics)
 
  전기 전도율이 어느 값(약 10^-8Ω^-1cm^-1) 이하인 세라믹스, 전력 수송용 전선을 고정하는 애자나 IC기판 등을 폭넓게 이용되고 있다.
 
232. 정밀 세척  (precision cleaning)
 
  피가공물의 표면에 부착하고 있는 미립자를 제거하여 높은 레벨의 세척상태를 얻는 것. 정밀 전자 부품의 생산비율을 높이는 데 불가결한 기술로서 , 초음파 세척과 화학세척이 있다.
 
233. 정밀 주조 유리  (precision molding glass)
 
  균질한 온도분포를 주는 고정밀도의 프레스를 사용하여 몰드성형에 따라 만들어진 유리. 고정밀도의 프레스와 우수한 금형재료의 개방에 따라서 , 연삭이나 연마내지 고정밀도의 프레스 렌즈의 제작이 가능하게 되었다. 
 
234. 제벡 계수  (Seebeck coefficient)
 
  두 종류의 도체(A, B)의 한 끝을 전기적으로 접속하고 AB접속점(측온접점 T1)과 다른 끝(기준접점 T2)사이에 온도차를 주었을 때 , 제벡효과에 따라 두 접점간에는 온도차 및 물질에 의한 기전력 EAB가 발생한다. SAB=lim E 
 
235. 제타 전위  (zeta-potential)
 
  액체 중에서 이동하는 고체의 미끄럼면의 전위. ζ전위는 전해질의 종류와 농도에 민감하여 실질상 콜로이드 용액의 안정성을 좌우하고 있다. 세라믹 원료의 분산계의 성질을 재배하는 인자로서 중요하고, ζ전위의 절대치가 큰 분산계는 안정하다.
 
236. 조립  (granulation)
 
  분체, 용융액, 현탁액 수용액 등에서 목적의 모양과 크기의 입상물 또는 분체 성형물을 만드는 조작.
 
237. 졸-겔법  (sol-gel process)
 
  금속 알콕시드 등을 가수분해, 중합시켜서 , 콜로이드입자가 분산한 상태의 졸을 만들고 이 졸에서 용매을 증발시켜서 유동성이 없는 입자분산 상태의 겔을 만들로 이것을 건조, 가열하여 세라믹 분말이나 유리를 합성하는 방법. 미량성분의 첨가, 균일 혼합 등의 특징이 있 
 
238. 주입 성형  (slip casting)
 
  니장을 석고 등의 주입형에 흘려넣고 , 고화시키는 성형법.
 
239. 주파수 상수  (frequency constant)
 
  압전체의 각 진동모드에서의 공진주파수는 그 모드에서 음파의 전파 방향의 치수에 반비례한다. 이 비례상수를 주파수상수라 한다. PZT계의 재료에서는 1500~2000Hzㆍm이고 응용부품의 치수설계에 이용된다.
 
240. 중성자선 조사법  (neutron irradiation process)
 
  중성자선을 조사하여 재료 중에 여러 가지의 격자 결함을 도입하든가 , 재료에 손상을 주는데 따라서 재료 특성을 제어하는 방법.
 
 
 
241. 증착  (vapor deposition)   
   
  감압하에서 원료물질을 가열증발시켜서, 기판상에 응축하는 방법.   
   
242. 지르코니아 첨가 알루미나  (zirconia toughened alumina)     
     
  지르코니아의 상전이에 따른 부피 변화나 모양변화 등의 성질을 이용하여, 강도나 파괴인성을 개선하기 위하여 지르코니아를 분산시킨 알루미나.    
   
243. 지르콘  (zircon)     
     
  ZrO2ㆍSiO2의 조성을 가지고 연화 온도 850~950℃ 에서 융점 2250℃ , 밀도 4.68g/cm3, 기계적ㆍ열적 강도가 커 연삭재와 내열성 절연 세라믹으로 쓰인다.    
   
244. 지립 가공  ( abrasive machining)     
     
  단단한 광물질의 미세한 지립을 공구로 하여 정밀한 마무리 가공을 하는 방법. 연삭지석 등의 고체지립에 의한 가공법과 래핑 등의 유리지립에 의한 가공법이 있다.    
   
245. 진동 성형  (vibration forming)     
     
  틱스트로피성을 갖는 원료에 진동을 가하면서 주입하는 방법. 원료의 배합수분율을 저하시킬 수가 있다.    
   
246. 질화규소  (silicon nitride)     
     
  화학식 Si2N4로 나타내는 화합물. α형과 β형의 2 이상이 존재한다. 공유결합성이 높고 1기압하에서는 1900℃ 로 분해한다. 비중 3.19, 열팽창계수 3×10-6/℃ 전후. Y2O3-AI2O3을 가한 소    
   
247. 질화물 세라믹스  (nitride ceramics)     
     
  비산화물 세라믹스의 대표의 하나로 Si3N4, AIN, BIN, TiN 등 질소를 비금속 구성원소로 함유하는 화합물로된 세라믹스.    
   
248. 질화붕소  (boron nitride)     
     
  화학실 BN으로 나타내는 화합물. 기계공이 되는 hBN, 단단한 물질로서 cBN이외, rBN, wBN 등의 여러형이 있다. 탄소와 비슷하다. hBN은 쾌삭성을 나타내고, 내열 및 내침식재로 사용한다. cBN은 고압합성되어서, 공구재로 사용된다.    
   
249. 질화알루미늄  (aluminum nitride)     
     
  화학식 AIN으로 나타내는 화합물. 육방정계, 올츠광형 구조로 , 비중은 3.26. 2200℃ 전후에서 분해한다. 열전도율이 높고 전기 절연성에 우수하다. IC, LSI의 기판/패키지나 히트 싱크에 적용. 치밀화에 Y2O3,CaO등의 소결정조제를 사용한다.    
   
250. 질화티탄  (titanium nitride)     
     
  화학식 TiN, 비중 5.4, 입방정으로 융점이2950℃ 의 경질 화합물. 서멧공구에 분산시키든가 , 초경합금 위에 피복하여 사용한다. 황금색을 띄우므로 장식용으로도 사용.  

251. 참밀도  (true density)
 
  빈 구멍은 포함하지 않는 고체 그 자체의 밀도. 이론밀도라고도 부른다.
 
252. 초급랭법  (rapid quenching)
 
  용탕상태의 금속, 산화물 등을 매초 105~106K정도의 빠른 냉각속도로 급냉 응고시켜서 , 결정의 핵생성 및 성장 속도보다도 빨리 유리전이온도 이하로 냉각 시키는데 따라, 비정질재료를 얻는 방법. 리본, 선, 분말 등의 제조에 적용.
 
253. 초립자  (ultrafine particle)
 
  입자 지름이 0.1㎛ 정도보다 작은 입자. 비표면적이 크고 ㎛오더의 입자나 벌크상의 재료에 비해서 소결온도의 저하, 표면이 고활성, 단자구의 형성, 미세공의 모양, 자외선의 흡수 등에 특이한 성질을 갖고, 전기적, 자기적, 광학적 성질 ,반응성 등에도 특징이 있다.
 
254. 초음파 가공  (ultrasonic maching)
 
  초음파 주파수로 진동하는 공구와 피가공을 사이에 지립과 가공액을 넣고 , 피가공물에 공구를 눌러대서, 공구의 충격에 따라 지립이 피가공물을 조금씩 제거하는 가공법.
 
255. 초전 계수  (pyroelectric coefficient)
 
  단위체적당 일정한 전계조건에서 단위온도변화가 주는 분극의 변화. C/m2ㆍ K로 표시된다.
 
256. 초전 세라믹스  (pyroelectric ceramics)
 
  전기적 자발분극을 갖기 때문에 , 외부전장을 가하지 않아도 온도 변화만으로 그 표면에 정부의 전하를 발생하는 성질(초전성)을 갖는 세라믹스. 세라믹스에서는 분극조작에 따라 자발분극을 갖게 할 필요가 있다. 
 
257. 초전도 세라믹스  (superconductive ceramics)
 
  어떤 온도 이하에서 전기저항이 제로로 되고 동시에 반자성을 나타내는 성질을 갖는 세라믹스.R-Ba-Cu-O계(R : 회토류 원소), Bi-Sr-Ca-Cu-O계, Ti-Ba-Ca-Cu-O계 등의 산화물이 있다. 이들의 산화물은 종래의 금속 초전도 재료에 비하여 현저히 높은 임계온도를 갖는다.
 
258. 초전도 전이  (superconductive transition)
 
  상전도에서 초전도에의 전이. 이 전이는 2차 상전이이고, 질소 ㆍ 무질서전이라고도 한다.
 
259. 초크랄스키법  (czochralski method)
 
  인산법임(3117 참조)
 
260. 충전 밀도  (tapped density)
 
  일정조건으로 용기를 태핑하여 얻어지는 분체의 부피밀도.

261. 치핑  (chipping)
 
  고체 표면 또는 각이 국부적으로 떨어져 나가든가 하는 현상.
 
262. 칼시아  (calcia)
 
  산화칼슘(CaO). 융점은 2572℃. 석회석을 가열 분해하여 만든다. 저온으로 소성한 것을 경소, 고온으로 소성하는 것을 중소라 부른다. 시멘트공업에 반드시 필요한 재료. 석회 공업, 카바이트공업 등에 넓게 이용되고 있다. 돌로마이트(MgCO3·CaCO3)
 
263. 칼코겐화물 유리  (chalcogenide glass)
 
  황화물, 세렌화물, 텔루르화물 또는 이들의 혼합계로 이루어진 비산화물 유리. 도전성, 적외선 투과성 등의 특징이 있다. 메로리재료, 적외광섬유재료로서 주목되고 있다.
 
264. 캐스팅  (casting)
 
  (1)세라믹분말,유기바인더, 용제 등으로 등으로 이루어진 슬러리를 닥터 블레이드법 등에 따라 엷은 판상으로 하여 이것을 건조해서 그린시트로 하는 방법. 세라믹스 콘덴서,압전체, IC기판 등의 그린시트를 만드는데 사용한다. (2)주입 성형이라는 뜻.
 
265. 캡슐법  (encapsulation method)
 
  분말, 성형체, 소결체 등의 피처리물을 금속 또는 유리제의 캡슐에 넣고 그 내부를 탈가스 후 HIP처리하는 방법.
 
266. 커버 코트  (cover coat)
 
  세라믹스 기판상에 실장된 기능소자나 배선의 열화,기능 저하의 방지를 위하여, 인쇄, 침지법 등에 따라 , 이들의 표면을 치밀한 세라믹스나 수지의 막으로 피복하는 것.
 
267. 코디어라이트  (cordierite)
 
  2MgOㆍ2AI2O3ㆍ5SiO2저성을 갖는 사방정의 광물로서, 천연물의 대부분은 소량의 철과 물을 함유한다. 넓은 뜻으로는 육방정의 α 형, 사방적의 β 형 및 μ형을 총칭하여 사용된다. 열팽창계수가 대단히 작으므로 내열충격성이 우수하다. 
 
268. 코팅  (clating)
 
  도포법, 플라스마 용사법, CVD법, 증착법, 스패터링법 등에 따라 물질의 표면을 이물질의 얇은 막으로 덮어서 기계적 또는 화학적 성질의 개선을 꾀하는 방법.
 
269. 크리프  (creep)
 
  비탄성변성이 일정 응력부하에서 시간과 같이 증가하는 현상. 일반적으로 크리프속도는 응력 및 온도에 의존하여 변화하고, 재료 중의 불순물이나 결정입도에도 의존한다.
 
270. 타깃재  (target material)
 
  고주파 스파터링에 있어서 막형성물질을 쫒아내기 위하여, 이온조사를 받는 것을 타깃이라 하고, 이것에 사용하는 물질을 타깃재라 부른다. 넓게는 이온및 전자 등으로 조사되는 물질의 것을 말한다.
 
 271. 탄소  (carbon)
 
  원자 기호C.원자번호 6, 원자량12.011의 고체원소. 천연의 단체로서 생산되는 것에 다이아몬드와 천연흑연의 2종의 동소체가 있다. 인공적으로는 유기화합물의 열분해에 따라 코크스, 카본블랙으로 생성. 
 
272. 탄소섬유  (carbon fiber)
 
  높은 온도에서 열처리된 탄소를 주성분으로 하는 섬유. 탄소가 흑연화된 것은 흑연섬유라고도 부른다. PAN계와 피치계로 대별된다. 금속, 플라스틱 및 세라믹스의 강화재로 사용된다.
 
273. 탄탈산리튬  (lithium tantalate)
 
  LiTaO3조성을 갖는 LiNbO3형 구조(삼방정계)의 강유전성 화합물. 단결정은 레이저용 비선형 광학 재료, 피에조소자 , 표면과 필터 등에 사용한다.
 
274. 탄화규소  (silicon carbide)
 
  화학식 SiC로 나타내는 화합물. 공유결합성이 높고 약 2830℃ 에서 분해. 비중3.22, 열팽창계수는 5.5×10-6 /℃ . 높은 열전도율과 양호한 내마모성을 나타낸다. 반도체를 이용하여 발열체나 바리스터, 미캐니컬 실. 내화물 등으로 이용된다. 
 
275. 탄화물 세라믹스  (carbide ceramics)
 
  물질을 구성하는 주요 구성성분인 비금속 원소가 탄소로 된 화합물로 구성되는 세라믹스, 탄화규소(SiC )가 대표적인 재료.
 
276. 탄화텅스텐  (tungsten carbide)
 
  화학식 WC로 나타내는 화합물. 입방정계로 비중 15.50으로 무겁고, 모스경도9 인 단단한 물질. 고경도로 우수한 내마모성을 나타내고, 절삭공구재로 이용한다. WC-Co계가 주성분임 소결체를 초경합금이라고 한다. 
 
277. 탄화티탄  (titanium carbide)
 
  화학식 TiC로 나타내는 화합물. 입방정계로 비중 4.94,모스경도가 8~9의 경질 물질. 우수한 내마모성을 나타내고, 절삭 공구재로 이용. 통상 TC-Ni-MO계나 , WC-TiC-Co계의 소결체가 주로 되어 있으며 서멧이라고도 부른다.
 
278. 탈지  ((1)cleaning (2)dewaxing)
 
  (1)소지표면을 용제 중에서 세척하는 것. (2)성형에 사용한 유기(물)결합체를 가열 제거하는 것.
 
279. 퇴색 특성  (fading property)
 
  포토크로믹 유리에 있어서 빛의 조사를 중지하면 원래의 무색 또는 착색 상태로 돌아가는 데 , 그 때의 퇴색속도 특성.일반적으로 할로겐화물의 종류, 유리의 기초조성 , 석출된 할로겐화물 콜로이드 입자지름 등에 따라 영향을 받는다.
 
280. 투광성  (translucency)
 
  빛이 물질을 빛이 투과하는 성질. 빛의 흡수, 산란, 굴절에 따라 지배된다. 투광성은 직선 투과율, 확산 투과율, 전투과율등의 측정에 따라 평가된다. 투광성은 세라믹스는 기공, 크랙, 개재물을 배재하는 치밀한 미세구조제어에 따라 만들어진다.

281. 투광성 세라믹스  (translucent ceramics(transparent ceramics))
 
  투광성이 우수한 세라믹스, 알루미자(Pb,La) (Zr, Ti)O3, Y2O3-ThO2, MaAI2O4 등의 산화물계 외에 질화물, 탄화물 및 황화물계 세라믹스에도 투광성을 갖는 것이 있다.
 
282. 투광성 알루미나  (translucent alumina)
 
  투광성을 나타내는 알루미나 소결체를 재료. 소결조제로서 MgO, Y2O3, La2O3등을 사용한다. 고압 나르륨 방전등용의 발광관이나 IC패키지의 창재와 같은 응용이 있다.
 
283. 트루잉  (truing)
 
  가공기에 부착한 지석의 지석회전축에 대한 지석작용 면의 흔들림 또는 마모에 의한 지석의 눈매김이나 형상공차로부터의 엇갈림 등의 저감을 목적으로 지석의 모양이나 표면상태를 수정하는 작업
 
284. 티탄 산납  (lead tantalate)
 
  화학식 PbTiO3로 표시되는 화합물. 페롭스카이트형 구조를 취하고 , 실온에서는 무색의 정방정계 결정. 강유전성의 물질, 압전 재료로 이용.
 
285. 티탄산바륨  (barium tantalate)
 
  화학식을 BaTiO3로 표시된다. 페롭스카이트형 구조의 화합물. 퀴리점 120℃ 부근에서 급격히 유전율이 높아져 10000을 초과한다. 콘덴서재료 및 압전재료로 이용.
 
286. 틱스트로피 주입  (thixotropic casting)
 
  주입한 니장을 배출시키지 않고 형틀 속에서 그대로 고화시키는 고형주입 성형법. 혼수량을 극도로 적게 하고 해고제, 지응고제 기타 틱소트로피를 과도하게 하여 형틀을 진동시키든가 하여 성형한다. 
 
287. 파괴 인성  (fractrue toughness)
 
  재료의 균열진전개시에 대한 저항값. 재료가 전체로서 탄성 변형 거동을 나타내는 경우, 불안정파괴 발생의 임계조건은 , 균열선단 근방의 응력장에 있어서 응력확대계수의 크기로 결정된다고 생각되어 그 임계값를 임계 응력 확대 계수라 한다. 
 
288. 패러데이 회전 유리  (Faraday rotator glass)
 
  자장 가운데서 빛의 편광면이 회전하는 성질을 갖는 유리. 납이온이나 이테르븀 이온을 고농도로 함유하는 것이 대표적이고, 광아이솔레이터나 자기센서로 이용되고 있다.
 
289. 패킹법  (packing method)
 
  분위기 가스에 이한 피처리물의 변질이나 결함발생을 방지하기 위하여, 피처리물을 그것과 거의 같은 재질의 분말 중에 매설하여 HIP처리하는 방법.
 
290. 페라이트  ( ferrite)
 
  좁은 뜻으로 아철산의 금속염을 가르키고 있었지만 , 최근에는 철을 포함하는 복합산화물의 총칭. 결정구조에 따라서, ①스피넬형 페라이트 , ②페롭스카이트형 페라이트 , ③가네트형 페라이, ④마그네토플럼바이트형 페라이트로 분류된다.

291. 편광  (polarized light)
 
  광파(전기 벡터)의 진동방향이 규칙적인 빛. 직선편광, 원편광 및 타원편광이 있다.
 
292. 평균 입자 지름  (mean particle size)
 
  분체를 구성하는 다수의 입자군을 대표하는 입자의 크기.
 
293. 포토크로믹 유리  (photochromic glass)
 
  빛의 조사에 따라 착색되고 , 조사를 중지하면 원래의 상태로 돌아가는 성질을 갖는 유리. 할로겐화은 결정을 함유하는 포토크로믹유리는 착색의 농도나 착색 ㆍ 퇴색의 속도가 크고, 또 착색과 퇴색을 반복하여도 피로가 없는 특징이 있어서 실용화되고 있다.
 
294. 포화 자화  (saturation magnetization)
 
  물자에 건 자계를 증가하여 가면 그 물자의 자화도 증가하지만, 자계가 어느 정도를 초과하면 자화이 값이 일정치가 되어 자기적인 포화상태가 될 때의 자계
 
295. 표면 거칠기  (surface roughness)
 
  고체표면의 미시적 요철. 표시방법으로 최대높이 (Rmax)+점평균거칠기(Rz) 또는 중심선 평균거칠기(Ra)가 있다.
 
296. 플라스마 용사  (plasma spraying)
 
  플라스마 에너지를 사용하여 용융상태 또는 그 이상까지 가열한 용사재료의 입자 또는 분말을 고속으로 피용사물면에 내뿜어서, 그 표면을 용사재료로 피복하는 것.
 
297. 플라스마 CVD법  (plasma-CVD)
 
  플라스마 에너지를 이용하여, 기체원료를 가열분해시켜서 소정의 막 두께 또는 특성을 갖는 생성물을 기판상에 추적시키는 방법.
 
298. 피로  (fatigue)
 
  반복응력에 따라 재료열화 또는 균열의 진전이 생기는 현상. 반복응력하에서 파단수명을 피로수명, 균열의 진전속도를 피로균열진전이라 부른다.
 
299. 피연사성  (grindability)
 
  재료의 연삭의 난이도를 나타내고 다이아몬드 지석의 연삭능력을 평가하는 척도. 통상, 연삭비(=피연삭 제거량/지석 )소모량에 따라 평가한다.
 
300. 하드 페라이트  (hard ferrite)
 
  히스테리시스 곡선의 폭이 넓고 , 보자력이 크다. 외부 자계에 대하여 자화되기 어려운 페라이트.
 
 301. 하소  (calcination)
 
  원료분말이 조성균일화나, 성형체의 바인더 제거, 강도 증가를 목적으로 최종 소성온도 이하의 온도에서 하는 예비소성.
 
302. 할로겐화물 유리  (halide glass)
 
  음이온으로 할로겐원소를 함유하는 유리. 플루오르화 지르코늄과 플루오르화 바륨을 주성분으로 하는 플루오르화물 유리는 화학적 내구성이 비교적 좋고, 적외선을 잘 통과시키므로 적외광섬유로서 개발이 진행중이다.
 
303. 핫 프레스  (hot pressing)
 
  탄소나 알루미나 등의 열성틀 안에 분말 또는 성형체를 충전하여, 가압하에서 가열하고, 모양부여와 소결을 동시에 하는 소결법. 통상 치밀화가 곤란한 조성물 또는 급속하게 치밀하고 싶은 경우에 사용한다.
 
304. 확산접합  (diffusion bonding)
 
  고체 상태에서의 확산현상을 이용하여 고체간을 접합하는 것.
 
305. 환원소성  (reduction firing)
 
  재료가 산화하지 않는 분위기중에서 산소분압을 제어하면서 소성하는 방법.
 
306. 활성 금속법  (active metal solder)
 
  Ti 또는 Zr를 함유하는 Ni,Cu,Ag계 공정 조성의 합금을 봉착재로 하여 세라믹스와 금속을 고진공 중에서 직접 접합하는 방법. Mo-Mn법에서는 접합강도가 불충분한 고순도 알루미나,질화규소 세라믹스의 접합에 적합하다.
 
307. 후막 도체  (thick film conductor)
 
  후막인쇄법에 따라 도체 페이스트를 세라믹스 기판 위에 패터닝하고 이것을 소성한 도체.
 
308. 후막 인쇄법  (thick film printing)
 
  스크린 인쇄법을 사용하여, 후막 페이스트를 그린 시트나 소결 세라믹스판상에 인쇄하여 패턴을 형성하는 방법. 후막인쇄에 따라 형성시킨 회로를 후막회로라 한다.
 
309. 후막 저항체  (thick film resistor)
 
  후막 인쇄법에 따라 저항체 페이스트를 세라믹스 기판위에 패터닝하고 이것을 소성한 저항체.
 
310. 후막 콘덴서  (thick film condenser)
 
  후막인쇄법에 따라 콘덴서 페이스트 (유전체 페이스트)를 세라믹스 기판상에 패터닝하여 이것을 소성한 콘덴서. 페이스트로서는 산화물, 유리 프리트를 사용한다.
 
311. 후막법  (thick film processing)
 
  넓은 뜻으로는 페이스트(잉크)상으로 한 분체를 기판위에 인쇄 또는 도포(침지)후, 건조, 소성하여, 소정두께(약수~100㎛)와 소정형상을 가진 막의 형성방법. 
 
312. 후막용 기판  ( substrate for thick film circuit)
 
  후막법에 따라 회로, 수동소자을 형성한 하이브리드 IC를 실장하기 위한 기판, 표면의 평활성, 내열성, 내약품성, 기계적 강도, 각종 페이스트와의 접합력 등이 필요한 특성. 일반적으로 순도 96~97%의 알루미나나 글라스-세라믹스, 질화알루미늄을 사용한다.
 
313. 흑연  ( graphite)
 
  탄소 동소체의 한 종류로 흑연 또는 석묵이라고 부른다. 육방정계에 속하는 층상구조를 갖고 내열, 내침식, 도전재료 등을 넓은 용도를 부른다.
 
314. CIP  (cold isostatic pressing)
 
  원료가 되는 분체 또는 과립을 고무 등의 신축성을 갖는 성형틀에 충전하고 그것을 압축용기 중에서 가열하지 않고 압력전달액을 통하여 정수압으로 등방압 프레스 성형 , 정수압 프레스라고도 한다.
 
315. CVD법  (chemical vapor deposition)
 
  분말 및 고체 박막 제조법 중 기체상태에서의 화학반응을 일으키는 방법의 총칭. 기체의 여기법에 따라 , 광CVD, 플라스마CVD, 열CVD등의 방법이 있다. 화학기상 성장법이라고도 한다.
 
316. EFG법  (edge-defined filmfed growth)
 
  인상법의 일종으로서 용액의 모세관현상을 이용하여 세선, 리본이나 파이프상 단결정을 육성하는 방법.
 
317. HP  (hot isostatic pressing(HIP))
 
  고온에서 압력매체를 통하여 동방적으로 가압하는 것. 분체 또는 분말성형체를 소결하는 장치 또는 조작. 열간 정수압 프레스, 열간 동방압 소결이라고도 한다.
 
318. Mo-Mn법  (Mo-Mn metallizing)
 
  세라믹스 표면에 Mo-약 20% Mn 혼합분의 페이스트를 도포하고 , 기습포밍 가스(N₂/H₂)중, 1300~1700℃로 메탈라이즈하는 방법. 고융점 금속법의 일종.
 
319. NTC세라믹스.  (negative temperature coefficient ceramics)
 
  온도에 대한 전기 저항 변화가 지수적으로 작게 되는 것을 이용한 서미스터.negative temperature coefficient의 머리 문자를 따서 NTC로부른다. Mn-Co-Ni계 산화물 소결제가 넓게 사용되고 , 각종 온도센서로서 보급되고 있다.
 
320. PLZT  (PLZT)
 
  PZT의 Pb의 일부를 La로 치환한 (Pb, La)(Zr, Ti)O3세라믹스의 약호. 투과성이 우수하고, 전기광학효과를 나타낸다. 광 메모리, 디스플레이, 광 셔터 등에의 응용이 있다.
 
321. PTC세라믹스  (positive temperature coefficient ceramics)
 
  티탄산바륨(BaTiO3)을 주성분으로 하며 어떤 온도 이상에서 전기저항이 급증한다. 정의 온도계수를 갖는 저항소자. positive temperature coefficient의 머리 문자를 따서 PTC로 부른다. 
 
322. PVD법  (physical vapor deposition)
 
  기체를 경유하는 고체박막 제조법 중의 상대적으로 물리적 상태의 변화(화학반응을 많이 함유하지 않는다.)를 이용하는 방법의 총칭. 주로 스퍼터링 , 진공증착을 가르킨다. 물리기상 성장법이라고도 한다.
 
323. PZT  (PZT)
 
  페롭사카이트형 구조의 지르콘산납 (PbZrO3)과 티탄산납 (PbTiO3)의 고용체로 Pb(Zr, Ti)O3의 약칭. 우수한 압전성을 갖고, Zr/Ti비에 따라 특성이 변화한다. 초음파 진동자, 액추에이터 등에 응용.
 
324. tan δ(유전손실)  (tangent delta(dielectric loss tangent))
 
  유전체에 교류전계를 인가했을 때에 생기는 에너지 손실의 크기.전계의 변화에 대한 분극의 처짐에 따르는 것이 많다. δ를 유전손실각, tanδ를 유전정접이라 한다. 유전손실을 W, 유전율을 ε, 진공의 유전율을 ε0, 전계를 E0,각주파수를ω(=2πf)
 
325. VAD법  (vapor -phase axial deposition)
 
  광섬유용 유리 모재 제조법. SiCI4, GeCl4등의 원료가스를 산수소화염 중에 뿜어서 가수분해시킨 산화물입자로서 유리단면에 부착, 추적시켜 다공질모재를 얻는다.