■ D-금속 KS D 0053 드라이 프로세스 표면 처리 용어

1. 2광 간섭법  (two-beam interferometry)
 
  광선속을 2개로 나누어 한쪽을 측정 광선속, 다른 쪽을 비교광선 속(표준광원속)으로 하여 광로차에 따른 간섭의 벗어남에 의해 표면관찰 또는 막두께를 구하는 방법.
 
2. 2차원 전자 가스  (two dimensional electron gas)
 
  1차원의 양자우물 구조(2064 참조)에서, 전자는 계면에 수직인 방향에서는 우물 층 내에 갇혀 들어가서 에너지가 양자화 되지만, 계면에 평행인 방향에서는 자유로운 전자. 참 고 정공에 대해서도 존재한다. 이 경우, 2차원 정공가스라 한다.
 
3. 3극 스퍼터링  (triode sputtering)
 
  직류 스퍼터링(3070 참조)에 있어서 플라스마(1028 참조) 발생의 보조기구로서 열음극을 이용하여, 플라스마 발생과 타깃 전위의 제어범위를 넓힌 스퍼터링(3047 참조).
 
4. 4극 스퍼터링  (tetrode sputtering)
 
  3극 스퍼터링(3073 참조)의 열음극에 보조양극을 설치하여, 가변 제어범위를 넓힌 스퍼터링(3047 참조).
 
5. 가 열 법  (heating method)
 
  증발재료(3021 참조)를 가열하여, 증발(3011 참조)시키는 방법
 
6. 가스 공급계  (gas supply system)
 
  진공용기에 원료가스(4011 참조), 방전용 가스 등 소요 가스를 공급하기 위해, 가스봄베, 제어밸브, 유량계, 매스플로 컨트롤러 (8024 참조), 압력계, 필터 등으로 구성된 일련의 장치.
 
7. 가스 분석계  (gas analyzer)
 
  공간 내에 존재하는 가스의 성분, 농도 등을 측정하는 기기.
 
8. 가스 시험  (gas exposure test)
 
  가스를 함유한 분위기 중에 시료를 폭로하여 내식성을 조사하는 시험. 참 고 아황산가스 시험 등이 있다.
 
9. 가스 온도, 기체 온도  (gas temperature)
 
  플라스마(1028 참조) 중의 기체(가스) 분자의 평균적 열운동 에너지 를 나타내는 척도. 참 고 (1040 참조)보다 낮다. 비평형 플라스마(1030 참조) 내에서는 일반적으로 전자오도 
 
10. 가스 정제 장치  (gas purifier)
 
  원료가스(4011 참조)로부터 잔류 불순물가스를 제거하는 장치.
 
 11. 가스라인 필터  (in-line gas filter)
 
  가스 중의 미립자를 포집제거하기 위한 정밀 필터.
 
12. 간섭 색법  (interference color method)
 
  투명체 박막에 백색광을 쬐었을 때 나타나는 막의 간섭색으로부 터 막의 광학적 두께를 추정하는 방법.
 
13. 강압 CVD  (low pressure CVD)
 
  대기압보다 낮은 강압 분위기 중에서의 CVD(4001 참조). 저압CVD 라고도 한다. 약칭 LPCVD.
 
14. 겉모양 검사  (visual inspection)
 
  겉모양의 상태를 눈으로 보고서 하는 검사.
 
15. 게터 스퍼터링  (gettering sputtering)
 
  활성금속의 스퍼터막의 반응성을 이용하여, 사용하는 스퍼터가스 (3051 참조)의 순화를 하여서 얻어지는 고순도 스퍼터가스에 의해 하는 스퍼터링(3047 참조).
 
16. 게터링  (gettering)
 
  해로운 불순물이나 결함을 불활성화 시키는 것.
 
17. 격 자 면  (lattice plane)
 
  동일 직선상에 있지 않은 3개 이상의 격자점을 포함하는 평면. 결정면이라 한다. 참 고 밀러지수에 의해 표시한다.
 
18. 격자 결함  (lattice defect)
 
  규칙에 맞게 배열된 결정격자의 규칙성의 헝크러짐. 참 고 그 모양으로부터 점결함(공공, 격자간 원자 등), 선결함 (전위), 면결함(적층결함 등) 등으로 분류된다.
 
19. 격자 부정  (lattice misfit)
 
  원자배열이 다른 원자 층계면에 있어서 격자 배열의 불일치.
 
20. 결 정  (crystal)
 
  원자나 분자가 규칙적으로 배열되어 만들어진 고체.
21. 결 정 립  (crystal grain)
 
  다결정(2010 참조)을 고성하는 개개의 결정(2008 참조).
 
22. 결정립계  (grain boundary)
 
  결정(2008 참조)과 결정의 경계.
 
23. 결함 검사  (defect inspection)
 
  표면처리(1001 참조)한 재료표면의 메크로결함의 검사. 
 
24. 경사 기능  (gradient function)
 
  막의 조성을 연속적으로 변화시켜 새로운 막의 기능을 부여하는 것.
 
25. 계 면  (interface)
 
  2상간의 경계.
 
26. 계면 믹싱  (interface mixing)
 
  기판(2001 참조)상에 형성한 박막(2002참조)에 이온빔을 조사하여, 박막과 기판과 계면만을 혼합시키는 이온빔 믹싱(6023 참조).
 
27. 고속전자선 회절법  (high energy electron diffraction method)
 
  가속 에너지가 약 10keV 이상인 전자선을 이용하는 전자선 회절 법(9050 참조). 약칭 HEED. 참 고 투과전자선의 회절상을 보는 경우 [투과전자선 회절(TED) 이라 한다]와 반사전자선의 회절상을 보는 경우 [반사전 자선 회절(RHEED)이라 한다]가 있
 
28. 고주파 스퍼터링  (RF sputtering)
 
  고주파방전과 그것에 의해 여기되는 전극상의 음의 셀프바이어스 (3066 참조)를 이용한 스퍼터링(3047 참조).
 
29. 고주파 이온도금  (RF ion plating)
 
  증발공간에 고주파코일을 설치하여, 그것에 의한 방전(1022 참조)을 이용하여 증발입자를 이온화(1031 참조)하여 하는 이온도금(3036 참조).
 
30. 고주파유도 가열법  (induction heating)
 
  증발재료(3021 참조)를 고주파유도 가열을 이용하여 증발(3011 참조) 시키는 방법.
 
   
 
31. 광여기 에칭  (photo excited etching)

  자외선 등의 광에너지에 의해 에칭가스(7035 참조)를 활성화하여 활성종을 발생시켜, 에칭(7016 참조)하는 것. 참 고 프린트 배선판 등의 배선은 일반적으로 마스크패턴 형성 후 웻 에칭(7020 참조)에 의해 형성된다.

32. 광역 X선 흡수연속 미세구조 해석  (extended X-ray absorption fine structure analysis)  
  
  X선흡수 스펙트럼에서 흡수단보다 단파장측 약 30eV로부터 1keV에 달하는 영역에 보여지는 감쇠하는 파상의 진동구조를 사 용하는 것에 의해, 특정원소 주변의 원자주위의 국소구조(인접원 자까지의 거리나 배위수 등)를 구하는 것. 약칭 EXAFS. 참 고 흡수단에서 약 50eV  

33. 광학 간섭법  (optical interference method)  
  
  빛의 간섭을 이용하여 막두께 등을 구하는 방법. 

34. 광학 현미경 관찰  (observation by optical microscope)  
  
  광학현미경을 사용하여 표면상태를 관찰하는 것. 

35. 교류 스퍼터링  (AC sputtering)  
  
  교류방전을 이용한 스퍼터링(3047 참조). 

36. 교호 증착  (alternating deposition)  
  
  2개의 증발원(3012 참조)을 사용하고 교대로 증착(3001 참조)하여, 다층막(2025 참조)을 만드는 것. 

37. 구조 해석  (structure analysis, structural analysis,)  
  
  물체의 일부 또는 전부의 원자배열 상태[단결정(2009 참조)ㆍ다 결정(2010 참조)에 대한 결정구조 또는 비정질 상태 등]를 알기 위해 채용하는 해석법. 

38. 권취 방식  (winding up loading and unloading system)  
  
  플라스틱 필름, 종이, 금속박 등의 필름상 기판을 연속적으로 말 아 가면서 처리하는 방식 

39. 균일 부착력  (throwing power)  
  
  공간에 존재하는 기체에 의한 산란에 의해, 기판(2001 참조)의 광학적 그늘에 해당하는 부분[증발원(3012 참조)에 대해 기판의 이면, 계단의 측면 등]에도 막이 부착되는 것. 

40. 그래포 에피택 시얼 성장  (graphoepitaxial growth)  
  
  기판(2001 참조)이 어느 기하학적 규칙성을 가지고 있을 때 그 표면에 단결정(2009 참조)의 박막(2020 참조)이 형성되는 것. 
41. 극저온 증착  (very low temperature deposition)
 
  액체질소 등 극저온 유체로 기판(2001 참조)을 냉각하여 증착 (3001 참조)하는것.
 
42. 글레이징  (glazing)
 
  기판(2001 참조)사엣 고에너지의 레이저, 전자빔 등을 단시간 조사하여, 표면을 용융.급랭하으로써 그 조직을 미세화 또는 비정질화하는 것.
 
43. 글로 방전  (glow discharge)
 
  대기압 이하에서 얻어지는 전리도(1033 참조)가 낮은 흐릿한 밝기의 방전(1022 참조).
 
44. 글로방전 스펙트럼법  (glow discharge spectrometry)
 
  글로방전(1023 참조)을 이용해서 시료의 성분원소를 여기시켜, 방사된 빛을 분광하여 얻어지는 스펙트럼으로부터 성분분석을 하 는 분석법. 약칭 GDS.
 
45. 기 판  (substrate)
 
  기체로부터 응축에 의해 박막(2020 참조)이 형성될 때 응축을 일으키 는 바탕이 되는 고체재료.
 
46. 기상 반응  (gan phase reaction)
 
  기상 중에서 일어나는 화학반응(4002 참조).
 
47. 기체 분자 밀도  (number density of molecules)
 
  단위체적당 기체분자의 수.
 
48. 기판 가열  (substrate heating)
 
  막의 결정화, 기판표면에서의 반응의 촉진, 밀착화의 향상 등을 목적으로 하여, 기판(2001 참조)을 가열하는 것. 참 고 가열방법에 따라, 히터가열, 램프가열, 레이저 가열, 고주 파 가열, 전자선가열 등이 있다.
 
49. 기판 냉각  (substrate cooling)
 
  표면처리(1001 참조) 중의 기판온도(2002 참조)의 상승제어, 막 의 구조제어 등을 위해, 기판(2001 참조)을 냉각하는 것.
 
50. 기판 반송계  (substrate transfer system)
 
  기판(2001 참조)의 표면처리(1001 참조)를 할 때, 기판을 처리장 치 내에 반입, 반출 또는 장치 내의 처리공간에 이동시키는 기구
51. 기판 온도  (substrate temperature)
 
  막이 형성되는 기판(2001 참조)의 표면온도.
 
52. 기판 회전  (substrate rotation)
 
  기판면을 균일하게 처리하기 위한 기판(2001 참조)의 자전, 공전, 자공전 등의 회전.
 
53. 끌어메침 시험, 토플링 시험  (toppling test)
 
  각봉 또는 환봉의 한 끝을 막표면에 접착제로 고정하고, 다른 끝 을 막면 방향으로 끌어당겨, 봉을 넘어지게 하고 막을 기판(2001 참조)으로부터 떨어져 나오도록 하여 막의 밀착성을 조사하는 시험.
 
54. 내구성 시험  (durability test)
 
  표면처리(1001 참조)한 시료에 반복적으로 응력 또는 변동응력을 가해서, 피로수명이나 피로한계 등을 구하는 시험. 참 고 응력의 종류에 따라서 비틀림 피로시험, 축하증 피로시험. 회전굽힘 피로시험, 평면굽힘 피로시험 등으로 분류된다.
 
55. 내마모성 시험  (abrasion resistance test)
 
  표면처리(1001 참조)한 재료를 다른 재료와 서로 마찰시킬 때 마 찰소멸하는 정도를 측정하는 것에 의해 마모에 견디는 성질을 조 사하는 시험.
 
56. 내부응력 측정  (internal stress measurement)
 
  막이 기판(2001 참조)에 밀착되어 있는 상태에서 막의 성장이나 구조변화 등에 수반되어 막의 내부에 생긴 응력을 측정하는 것. 참 고 막과 기판(2001 참조) 사이에는 열응력도 작용하기 때문 에, 측정온도를 명시할 필요가 있다.
 
57. 내식성 시험  (corrosion resistant test)
 
  액체나 기체 중에서 재료의 부식이 일어나기 어려운 정도 및 표 면처리(1001 참조)의 효과를 조사하는 시험. 참 고 침지시험, 내식염수성 시험, 염수분무 시험, 폭로시험 등이 있다.
 
58. 내후성 시험  (weather resistant test)
 
  자연조건의 영향을 받아서, 시간의 경과와 함께 일어나는 재료의 물리적 및 화학적 변화를 조사하는 시험.
 
59. 노광  (exposure)
 
  감광 재료가 빛 또는 다른 조사에너지를 받는 것.
 
60. 노광 장치  (aligner)
 
  기판(2001 참조)상의 레지스트(7003 참조)에 노광(7011 참조) 하는 장치.
61. 노즐 증발원  (nozzle evaporation source)
 
  용기형 증발원의 분출공에 노즐을 설치하여, 증발재료(3021 참조) 의 증기를 노즐로부터 분출시키는 구조의 증발원(3012 참조).
 
62. 노크 온 원자  (knock-on atom)
 
  고속입자가 고체표면의 구성원자와 충돌하여, 이것을 정규의 격자위치로부터 튀어나오도록 할 때 튀어나온 원자 중 그 고체의 안쪽방향으로 향한 원자. 참 고 차례차례로 노크 온 원자가 생성되는 것을 노크 온 원자의 캐스케이드라 한다. 
 
63. 뉴톤 링법  (Newton-ring method)
 
  경면의 막표면이 나타내는 동일 두께간섭호를 이용하여 기판의 변형을 조사해 내부응력을 평가하는 방법.
 
64. 다 결 정  (polycrystal)
 
  방위가 다른 단결정(2009 참조)이 집합된 고체.
 
65. 다 공 률  (porosity)
 
  박막(2020 참조)의 전 용적 중에 세공이 점유하는 용적의 비율. 다공도 또는 기공율이라고도 한다.
 
66. 다 층 막  (multilayer film)
 
  2종류 이상의 단층막(2024 참조)을 적층한 막. 적층막, 누적막 이라고도 한다.
 
67. 다윈 스퍼터링  (multi-target sputtering)
 
  1개의 기판(2001 참조)에 대해 여러 개의 타깃(3059 참조)을 사용하여 성막하는 것
 
68. 다이내미컬 믹싱  (dynamical mixing)
 
  기판(2001 참조)에의 중착(3001 참조)과 동시에 이온을 주입하는 이온빔 믹싱(6023 참조).
 
69. 단 결 정  (single crystal)
 
  모든 부분이 동일한 결정학적 방위를 갖는 고체.
 
70. 단 층 막  (single layer film)
 
  동일 성분의 막.
71. 단면 관찰  (cross-section observation)
 
  막 또는 표면개질(1002 참조)한 재료의 절단면의 표면을 관찰하 는 것.
 
72. 단일단계 반응  (elementary reaction)
 
  화학반응식에서 나ㄴ타나는 반응의 요소가 되는 반응과정. 단일단계과정이라고도 한다.
 
73. 대향타깃형 스퍼터링  (facing target sputtering)
 
  2개의 동일한 모양의 음극을 그 면이 평행, 또한 대향이 되도록 배치하여 음극면에 수직인 방향으로 자계를 설치함에 의해 전자의 전이효과를 높여, 성막속도를 높인 스퍼터링(3047 참조).
 
74. 데코레이션법  (decoration method)
 
  결함부에 적당한 물질을 선택적으로 석출시켜, 결함의 분포나 상 태를 관찰하는 방법.
 
75. 도가니형 증발원  (crucible-type evaporation source)
 
  증발용기(도가니)의 윗면이 개방된 구조의 증발원(3012 참조). 참 고 자유증발원(3016 참조)에 비교하면, 용기 벽에 충돌하는 증발 분자가 존재하여 산란한다.
 
76. 도핑  (doping)
 
  재료의 물리적 성질 또는 화학적 성질을 변화시키기 위해서 적당 량의 불순물 원소를 재료에 첨가하는 것.
 
77. 돔형 지그  (dome jig)
 
  다수의 평면기판을 균일하게 처리하기 위해 이들의 기판(2001 참 조)과 증발원(3012 참조)의 거리가 일정해서, 기판의 각 면이 증 발원을 향하도록 구면의 일부를 잘라낸 모양(돔상)을 한 지그 (8032 참조).
 
78. 동시 스퍼터링  (co-sputtering)
 
  1개의 기판(2001 참조)에 대해 2개의 타깃(3059 참조)으로 동시에 성막을 하는 것.
 
79. 동시 증착  (co-evaporation, multi-soured evaporation)
 
  2개 이상의 증발원(3012 참조)으로부터 동일기판 표면에 동시에 증발한 원자나 분자를 입사시켜 증착(3001 참조)하는 것.
 
80. 드라이 프로세스  (dry process)
 
  재료표면을 기상 또는 용융상태로 하여 처리하는 것. 참 고 수용액 또는 비수용액을 이용하여 처리하는 것을 웻 프로세스라 한다.
81. 드아리 에칭  (dry etching)
 
  가스와의 반응이나 스퍼러링(3047 참조) 등을 사용하여 에칭 (7016 참조)하는 것.
 
82. 등 방 성  (isotropy)
 
  재료의 성질이 측정하는 방향에 관계없이 동일한 것.
 
83. 등방성 에칭  (isotropic etching)
 
  에칭(7016 참조)되는 방향에 관계없이, 피에칭재료가 등속도로 에칭되는 것.
 
84. 디지털 에칭  (digital etching)
 
  1원자층 또는 1 분자층씩 제어하여 에칭(7016 참조) 하는 것.
 
85. 라 디 칼  (radical)
 
  부대전자를 갖는 원자 또는 분자.
 
86. 래 핑  (lapping)
 
  치수 오차의 조정 또는 표면마감 상태를 개선하기 위해 하는 연마. 참 고 래핑용 연삭립에는 알루미나분말, 탄화규소분말, 다이아몬 드분말 등이 사용된다.
 
87. 래피드 어닐링  (rapid annealing)
 
  이온이 박혀 들어오는 것 (이온주입) 등으로 손상받은 기판 표면에 고에너지의레이저, 전자빔 등을 조사하여, 단시간에 표면의 결함이나 변형 등을 제거하는 방법.
 
88. 램프 CVD  (lamp CVD)
 
  반응가스(4011 참조)의 여기에너지로서 램프광을 사용하는 CVD (4001 참조). 참 고 램프광원의 파장역에는 근적외역, 자외역, 진공자외역이 있다
 
89. 러더 포드 후방산란법  (Rutherford back scattering spectroscopy)
 
  수 MeV 정도의 경이온(H+ , He+)을 시료표면에 조사하여, 시료 중의 원자핵에 따라 러더포드 산란된 이온의 수 및 에너지 분포 를 측정하는 방법. 약칭 RBS.
 
90. 레이저 애블레이션  (laser ablation)
 
  레이저의 고밀도 광자를 이용하여, 증발재료 표면의 화학결합을 끊어내어 증발(3011 참조)시켜, 박막(2020 참조)을 형성하는 것.
91. 레이저 어시스트 에칭  (laser assisted etching)
 
  레이저광에 의한 광여기 화학반응 프로세스를 이용하여 에칭( 7016 참조)하는 것. 
 
92. 레이저 가열법  (laser heating)
 
  레이저광을 묶어 증발재료(3021 참조)에 조사하여 순간적으로 비점 이상으로 가열하여 증발(3011 참조)시키는 방법.
 
93. 레이저 라만 미소부 분석법  (laser Raman microanalysis)
 
  레이저 빔을 미소부에 조사해서, 미소부의 라만효과에 의해 나타 나는 산란광(라만 스펙트럼)을 이용하여, 성분, 결정구조 등을 분 석하는 분광분석법. 약칭 LRM.
 
94. 레이저 퀜칭  (laser quenching)
 
  레이저에 의한 국소 가열을 이용하여 하는 퀜칭.
 
95. 레이저 CVD  (laser CVD)
 
  반응가스(4011 참조)의 여기에너지로서 레이저를 사용하는 CVD (4001 참조). 참 고 레이저의 파장에 따라 자외선 레이저 CVD와 적외선 레이저 CVD 등으로 분류한다.
 
96. 레지스트  (resist)
 
  미세가공 프로세스에서 패턴 형성에 필요한 빛, 전자선 등의 조사에 대해 감광성을 갖는 재료. 참고 감광한 후, 현상액에 의해 가용성, 불용성 또는 난용성으로 되는 가에 따라, 포지형 레지스트, 네가형 레지스트로 구별할 수가 있다.
 
97. 레지스트 감도  (sensitivity of resist)
 
  미세가공 프로세스에있어서, 레지스트(7003 참조)에 매턴을 형성 하기 위해서 필요한 빛, 전자선 등의 조사량.
 
98. 로드 로크방식  (load lock system)
 
  게이트 밸브 등의 격리밸브를 이용해서 처리조와 반입, 반출조를 격리하여, 처리조에 공기의 유입을 방지하거나, 온도, 압력(1005 참조) 등의 외란을 적게 하여 품질의 안정화를 목적으로 한 방식.
 
99. 로킹 커브, 로킹곡선  (rocking curve)
 
  단결정(2009 참조)의 X선회절에 있어서, 브라그 조건을 만족하는 X선의 입사각 부근에서 결정(2008 참조)을 회전시켜 얻어지는 회절선의 강도분포. 참 고 결정의 완전성이 높을수록 그의 반치폭이 좁고 피크강도 가 크게 된다.
 
100. 리 액 터  (reactor)
 
  화학증착(4001 참조)을 하기 위한 반응실. 참 고 리액터의 구조에는 수직형, 수평형, 이들의 혼합형인 원통형 등이 있다.
101. 리소그래피  (lithography)
 
  노광 전사한 화상을 기본틀로 하여 화상을 형성하는 것. 참 고 노광 전사에 사용하는 광원이나 선원에 의해, 포토 리소그 래피, UV 리소그래피, 전자선 리소그래피, 이온빔 리소그 래피, X선 리소그래피, 방사광 리소그래피, 레이저 리소그 
 
102. 링 증발원  (ring evaporation source)
 
  점 증발원(3013 참조) 또는 미소평면 증발원(3014 참조)을 다수개, 링모양으로 배치한 증발원(3012 참조).
 
103. 마그네트론 방전  (magnetron discharge)
 
  자계와 전계가 직교하는 전극 근처에 얻어지는 방전(1022 참조).
 
104. 마그네트론 스퍼터링  (magnetron sputtering)
 
  자계와 전계를 직교하도록 배치하여, 타깃(3059 참조) 부근에서의 가속 전자에 의한 전리효율 상승으로, 성막속도를 높인 스퍼너링(3047 참조).
 
105. 마그네트론형 반응성 이온 에칭  (magnetro enhanced reactive ion etching)
 
  직교전자계에 의한 마그네트론 방전(1026 참조)을 이용하여, 반 응성가스의 고밀도 플라스마를 발생시켜, 그것에 의해 에칭(7016 참조)하는것
 
106. 마스크 블랭크  (mask blank)
 
  레지스트(7003 참조)가 도포되어 있지 않은 상태의포토마스크 제조용의기판.
 
107. 마스킹  (masking)
 
  선택적인 석출 또는 에칭 (7016 참조)을 하기 위해 표면을 일부 피복하는 것.
 
108. 마이크로 밸런스법  (microbalance method)
 
  마이크로 밸런스에 의해 성막 전후의 기판(2001 참조)의 질량변 화를 측정하여 막두께를 구하는 방법.
 
109. 마이크로파 이온도금  (microwave ion plating)
 
  마이크로파 방전에 의해 플라스마(1028 참조)를 발생시켜 그것에 의해 증발입자를 이온화(1031 참조)하여 하는 이온도금(3036 참조).
 
110. 막두께 모니터  (thickness nonitor)
 
  성막시에, 막의 두께 또는 성막속도(2037 참조)를 막두께 측정기 (9010 참조)에 의해 직접 또는 간접으로 측정 및 감시하는 기구. 참 고 막두께 측정기에는 수정발진식, 광학식, 원자흡광식 등이 있다
111. 막두께 분포  (thickness distribution)
 
  기판(2001 참조)상의 각 위치에 대한 막두께의 분포.
 
112. 막두께 측정  (film thickness measurement)
 
  막의 두께 측정. 참 고 막두께에는 측정법에 따라 광학적 막두께, 질량 막두께, 기하학적 막두께가 있다.
 
113. 막두께 측정기  (thickness meter )
 
  막두께 측정(9008 참조)을 하는 계기.
 
114. 막두께 컨트롤러  (thickness controller)
 
  성막 프로세스 중에 막두께 모니터(8030 참조)에 의해 얻어지는 두께 또는 성막속도(2037 참조)를 피드백하여 소정의 두께를 제 어하는 기기. 참 고 증발속도(3022 참조)를 제어하는 기기를 갖는 것도 있다.
 
115. 망목상 구조  (network structure)
 
  섬과 섬이 합체되어 섬이 이어진 상태의 박막(2020 참조). 참 고 섬모양 구조(2039 참조)로부터 연속박막(2022 참조)으로의 이행단계.
 
116. 매스플로 컨트롤러  (massflow controller)
 
  매스플로 미터(8023 참조)와 질량유랑을 제어하는 밸브 등으로 구성되고, 설정된 질량유량을 유지하는 기구 또는 기기.
 
117. 매스플로 미터  (massflow meter)
 
  단위시간에 흐르는 기체 또는 액체의 질량(질량유량)을 측정하는 계기.
 
118. 멀티 타깃  (multiple targets, multi-target)
 
  동일한 진공조(8015 참조)에 복수으 각종 재료 타깃(3059 참조)을 배치 하는 방식.
 
119. 면 방 위  (plane direction)
 
  격자면(2016 참조)의 방위. 참 고 밀러지수에 의해 표시한다.
 
120. 모니터링  (monitoring)
 
  처리공정에서, 제춤의 품질에 관계가 있는 요인을 감시하는 것. 참 고 진공증착(3003 참조)에서는 막의 두께, 성막 속도(2037 참조), 잔류가스 등을 공정 중에 감시한다.
 
 121. 모폴로지  (morphology)
 
  형성된 막의 표면이나 단면의 형태.
 
122. 뫼스바우어 분광법  (Mossbauer spectroscopy)
 
  원자핵으로부터 무반동으로 방출된 r선이 시료 중의 동종의 원자 핵에 의해 공명흡수되는 현상을 이용한 분광분석법. 약칭 MS. 참 고 이 분광법은 뫼스바우어 효과가 관측되는 핵종(57Fe, 119Sn 등)에 한정되어 있다.
 
123. 물리 증착  (physical vapor deposition)
 
  고온가열, 스퍼터링(3047 참조) 등의 물리적 방법으로 물질을 증발(3011 참조)시켜서, 기판(2001 참조)에 응축시켜, 박막(2020 참조)을 형성하는 것. 물리기상 도금이라고도 한다. 약칭 PVD. 
 
124. 물리 흡착  (physisorption)
 
  표면에 원자나 분자가 부착하였을 때, 표면 제1층의 원자와 부착한 원자나 분자 사이에 전자의 주고 받음이 없는, 판데르발스힘 (Van der Waals force)에 의한 흡착(1013 참조).
 
125. 미 결 정  (micro crystallite)
 
  수 nm 이하의 크기의 미세한 결정(2008 참조).
 
126. 미니 밴드  (mini-band)
 
  초격자(2062 참조)가 만드는 양자우물 구조(2064 참조)에 있어서 장벽층의 두께가 얇게 되면, 양자우물 내에 갇혀 들어있던 전자는 장벽층을 터널 효과에 의해 통과하여, 초격자 전체에 퍼져 형성된 에너지 밴드. 서브 밴드라고도 한다.
 
127. 미소경도 시험  (microhardness test)
 
  특정한 미소부분의 경도를 측정하는 시험. 참 고 비커스 경도시험 및 누프 경도시험이 있다.
 
128. 미소평면 증발원  (small area evaporation source)
 
  증착거리에 비해 아주 작은 증발평면을 갖는 증발원(3012 참조). 참 고 증발재료(3021 참조)의 방향분포는 크누센(Knudsen)의 코사인법칙에 따른다.
 
129. 미캐노 케미컬 플리싱  (mechamochemical polishing)
 
  가공물보다 연질의 입자와 가공물 사이에 고상반응을 일으켜서, 반응에 의해 생성한 이질적인 물질부분을 제거하면서 연마하는 것.
 
130. 밀착성 시험, 부착성 시험  (adhesion test)
 
  기판(2001 참조)과 막 등이 어느 정도 견고하게 일체화되어 있는 가를 조사하는 시험. 참 고 외적자극의 조건을 일정하게 하여 손상의 유무로부터 판 정하는 방법과 자극조건을 서서희 강하게 하여 손상이 생 기는 값으로부터 판정하는 방법이 있
131. 바이어스 스퍼터링  (bias sputtering)
 
  기판측에 제어된 전위를 주어서 기판(2001 참조)에의 이온충격 등을 제어하면서 하는 스퍼터링(3047 참조).
 
132. 바이어스 전압  (bias voltage)
 
  신호전압에 가하는 전압 외의 다른 직류 또는 교류 전압. 참 고 성막에서는 기판(2001 참조) 또는 타깃(3059 참조)에 인가 하는 전압.
 
133. 바이어스 프포브 이온도금  (bias probe ion plating)
 
  증발원(3012 참조)과 기판(2001 참조) 사이에 설치한 보조전극에 바이어스 전위를 인가하는 것에 의해 방전(1022 참조)을 일으켜, 그것에 의해 증발입자를 이온화(1031 참조)하여 하는 이온도금 (3036 참조). 참 고 협의로는 협의의 활성화 반응성 증착(3038 참조)과 같다.
 
134. 박 막  (thin film)
 
  대체로 수 ㎛까지 두께의 막.
 
135. 박막 성장  (growth of thin film)
 
  초기의 연속박막(2022 참조)이 형성되고 보다 두꺼운 막이 되는 과정. 참 고 박막(2020 참조)의 성장양식은 다음 3가지로 분류할 수 있다. (1) 박막성자의 초기에 핵(2027 참조)이 형성되고 3차원적인 섬모양 구조(2039 참조)가 생기는 경우. 
 
136. 반동 원자  (recoil atom)
 
  고속입자가 고체표면의 구성원자와 충돌할 때, 정규의 격자위치로부터 튕겨나온 원자의 총칭.
 
137. 반복가열 시험  (reperted heating test)
 
  표면처리(1001 참조)한 시료를 반복적으로 가열ㆍ냉각하여, 균열, 박리 등의 발생상태를 조사하는 시험.
 
138. 반복반사 간섭법  (multiple-beam interferometry)
 
  서로 마주 대한 반사율이 높은 두 면 사이에 반복하여 반사한 빛 의 간섭을 이용하여, 선명예리한 간섭호를 얻어 표면관찰 또는 막 두께를 구하는 방법. 다중 반사간섭법이라고도 한다.
 
139. 반응성 이온 에칭  (reactive ion etching)
 
  기판 (2001참조)을 고주파 전극으로 하고 , 반응성 가스의 플라스마 (1028 참조)를 사용하여, 셀프바이어스(3066 참조) 효과를 수반하는 기판에의 이온입사에 의한 화학반응(4002 참조)을 이용하여 에칭 (7016 참조)하는 것. 약칭 RIE. 참고 기판은 중성 활성종과 반응가스 
 
140. 반응성 스퍼터링  (reactive sputtering)
 
  화학적으로 활성인 가스를 사용하는 것에 의해 타깃 재료와 가스를 반응시켜, 화합물 막을 얻는 스퍼터링(3047 참조). 활성 스퍼터링,화성 스퍼터링이라고도 한다.
141. 반응성 이온 빔 에칭  (reactive ion beam etching)
 
  반응성가스의 플라스마(1028 참조)를 이온원(1045 참조)으로 발 생시켜 반응성가스 이온 및 중성 활성종을 이온원과는 독깁한 실 에 넣어둔 기판(2001 참조)에 조사하여, 에칭(7016 참조)하는 것. 약칭 RIBE.
 
142. 반응성 증착  (reactive deposition, reactive evaporation)
 
  활성가스 분위기 중에서 증발재료(3021 참조)를 증발(3011 참조) 시켜, 양자를 반응시키는 것에 의해 화합물의 박막을 기판상에 만들어주는 것. 화성증착이라고도 한다.
 
143. 반응성 이온도금  (reactive ion plating)
 
  이온도금(3036 참조)을 하는 진공조(8015 참조) 내에 반응가스를 도입하는 것에 의해, 증발입자와의 화합물 막을 형성시키는 것.
 
144. 방 전  (electric discharge)
 
  강한 전계에 의해 기체 등의 절연체 중을 전류가 흐르는 현상. 
 
145. 방사가열 증발원  (radiant heating evaporation source)
 
  용기에 넣은 증발재료(3021 참조)를 열방사에 의한 가열로 증발 (3011 참조)시키는 증발원(3012 참조).
 
146. 방사화 분석법  (activation analysis)
 
  시료에 가속입자선 또는 전자파를 조사하여, 목적 원소를 방사성 핵종으로 변환시켜, 그 방출하는 방사선을 측정하여 정성, 정량을 하는 분석법. 약칭 AA.
 
147. 배 향 성  (orientation)
 
  다결정체 중의 결정립의 결정 방위가 통계적으로 어떤 정해진 방위를 나타내는 비율.
 
148. 배럴 방식  (barrel processing system)
 
  (1) 소형 및 다량의 기판(2001 참조)을 회전 또는 진동하는 용기 에 넣어서 처리하는 방식. (2) CVD(4001 참조)에서 원통상의 서셉터(4016 참조)의 측면에 기판을 붙여서 도금하는 방식.
 
149. 배치 방식  (batch processing system)
 
  기판(2001 참조)을 1조마다 장착하여 처리하는 방식. 참 고 진공장치에서는 진공배기로부터 시작하여 에어리크해서 끄집어낼 때까지 동일 용기에서 한다.
 
150. 배킹 플레이트  (backing plate)
 
  타깃(3059 참조)의 지지판.
 
 151. 버저식 유량계  (rotameter)
 
  유리제의 눈금이 있는 테이퍼관 중에 가스유량에 따라 정지하는 버저의 위치를 직독하는 간이형의 가스유량을 측정하는 계기. 참 고 사용가스에 따라 눈금값이 변한다.
 
152. 베 이 킹  (baking)
 
  기판표면, 진공용기 표면 등의 수분을 제거하기 위해 하는 가열 처리.
 
153. 변형 초격자  (strained-layer superlattice)
 
  격자 상수가 일치하지 않는 물질의 조합으로, 격자 상수의 부정이 완화되지 않고 격자의 변형에 의해 유지되어 있는 초격자(2062 참조)
 
154. 보 이 드  (void)
 
  공공의 집합에 의한 구상 또는 다면체의 공동
 
155. 복합 타깃  (multi-component target)
 
  합금 및 화합물 성막용의 타깃(3059 참조)으로서, 각 성분원소의 성분 비율 및 스퍼터율(3055 참조)을 고려하면서, 성분재료를 배치한 타깃.
 
156. 부분 에칭  (partial etching)
 
  피처리재료의 필요한 부분을 남기고, 불필요한 부분을 제거하는 것.
 
157. 부착 확률  (sticking probability)
 
  입사입자에 대한 기판(2001 참조)에 응축하는 입자의 비. 부착계수 라고도 한다.
 
158. 부피 충돌 빈도  (volume collision rate)
 
  기체 속에서 일어나는 입자간 충돌의 단위시간, 단위 부피당 평균횟수.
 
159. 분 압  (partial pressure)
 
  혼합 기체 중의 특정 성분의 압력(1005 참조).
 
160. 분말 타깃  (powder targer)
 
  타깃(3059 참조)으로서, 재료가공 및 소결이 곤란한 경우에, 그 분말 원료를 담는 접시에 넣어 타깃으로 한 것.
 
 161. 분무 시험  (spray test)
 
  용액의 분무 중에 시료를 폭로시켜 내식성을 조사하는 시험. 참 고 용액의 종류에 따라, 염수 분무 시험, 캐스시험, 아세트산 염수분무 시험 등이 있다.
 
162. 분위기 제어 열처리  (controlled atmosphere heat treatment)
 
  노 내의 분위기 가스를 목적에 따라서, 여러 가시조 조절, 제어하여 하는 열처리. 참고 분위기 가스에는 산화성, 환원성, 불활성, 침탄성, 질화성등이 종류가 있다.
 
163. 분자선 증착  (melocular beam deposition)
 
  증발재료(3021 참조)의 공급원으로서, 방향이 거의 일치한 분자의 흐름(즉, 분자선)을 이용하여 박막(2020 참조)을 형성시키는 것.
 
164. 분자선 증착 에피택시  (molecular beam epitaxy)
 
  분자선 증착(3033 참조)에 의해, 에피택시얼 박막을 형성하는 것. 약칭 MBE.
 
165. 불연속 박막  (discontinuos thin film)
 
  기판(2001 참조)을 완전히 뒤덮지 않은 박막(2020 참조).
 
166. 비 정 질, 아모르퍼스  (amorphous state)
 
  원자의 배열에 장거리의 규칙성을 갖지 앟고, 일정한 결정형이나 구조를 갖지 않은 비결정 상태.
 
167. 비대칭교류 스퍼터링  (asymetric AC sputtering)
 
  타깃(3059 참조)과 기판 홀더에 교류전압을 인가하고, 또한 기판측에의 이온충격이 약하게 되도록, 전기회로를 조정한 스퍼터링(3047 참조). 참 고 이온 충격이 단속적으로 이루어지는 점을 제외하면 바이어스 스퍼터링(3078 참조)과 동일하다.
 
168. 비평형 플라스마, 저온 플라스마  (non-equilibrium plasma, low-temperature plasma, cold plasma)
 
  전자의 온도가 이온 및 중성입자보다도 훨씬 높은 플라스마(1028 참조). 참 고 밀도가 낮은 전자의 온도가 104K 정도에 대해 밀도가 높은 이온 및 중성입자의 온도가 수백 K 정도이기 때문에 저온 플라스마라 한다.
 
169. 빗각 증착  (oblique deposition)
 
  증발한 원자나 분자를 표면에 대해 직각 이외의 각도로 입사시켜 증착(3001 참조)하는 것.
 
170. 빛 CVD  (photo-assisted CVD)
 
  빛 에너지에 의해 반응가스(4011 참조)를 여기 또는 분해하여, 반응을 촉진시켜서 하는 CVD(4001 참조). 참 고 사용하는 광원에는 램프와 레이저 등이 있다.
 
 171. 사이즈 효과  (size effect)
 
  재료의 성질이 치수에 따라 다른 것.
 
172. 상압 CVD  (atmospheric pressure CVD)
 
  대기압 분위기 중에서의 CVD(4001 참조). 대기압CVD라고도 한다. 약칭 APCVD.
 
173. 색채 측정  (colorimetry)
 
  표면처리 재료의 색채를 측정하는 것. 참 고 색채 색차계에 의해 측정한다.
 
174. 섀 도 잉  (shadowing)
 
  집적회로 등 복잡한 표면의 형태를 나타내는 기판(2001 참조)에 있어서 돌기의 그늘진 부분 등에 원자가 들어 박혀 피복이 곤란 하게 되는 현상.
 
175. 서 셉 터  (susceptor)
 
  기판(2001 참조)의 지지구.
 
176. 선구 물질  (precursor)
 
  화학반응(4002 참조)에 있어서, 생성물의 바로 전다계에 존재해서, 생성물과 구조상 밀접한 관계가 잇는 물질.
 
177. 선택 산화  (selective oxidation)
 
  기판표면의 특정부분을 지정된 패턴에 따라서 선택적으로 산화하는 것.
 
178. 선택 스퍼터링  (selective sputtering)
 
  복수의 원자로 되어있는 합금 또는 화합물의 타깃(3059 참조)에서, 어느 구성원소가 선택적으로 스퍼터링(3047 참조)되는 것.
 
179. 선택 에칭  (selective etching)
 
  2개의 물질의 에칭속도(7034 참조)가 다른 것을 이용하여 한쪽의 물질을 선택적으로 에칭(7016 참조)하는 것.
 
180. 섬모양 구조  (island structure)
 
  핵(2027 참조)이 성장하여 섬모양의 원자의 집합체로 되어 이 섬이 불연속적으로 다수 분포한 박막(2020 참조)의 구조.
 181. 섬유 구조  (flber structure)
 
  결정(2008 참조)이 1개의 결정방위로 배향한 박막(2020 참조) 구조.
 
182. 성막 속도  (deposition rate)
 
  형성되는 막의 단위 시간당 두께의 증가하는 비율. 퇴적속도라고도 한다.
 
183. 세 척  (cleaning)
 
  기판표면을 청정화하는 것. 참 고 세척방법에 따라, 고온가열세척, 증기세척, 수소방전세척, 오존세척, 이온봄바드, 자외선 세척, 초음파 세척, 스크라 브 세척
 
184. 셀프 바이어스, 자기 바이어스  (self-bias)
 
  외부로부터 직접 인가하지 않고 타깃(3059 참조) 자신으 조건에 의해 발생하는 전압 변동.
 
185. 소 킹  (soaking)
 
  증발재료(3021 참조)를 예비 가열(8008 참조)하여, 탈가스 (8009 참조)하는 것. 
 
186. 속도 결정 단계  (rete-determining step)
 
  몇 개의 단일단계 반응(4006 참조)으로 이루어진 화학반응(4002 참조) 에서, 반응속도를 지배하는 단일단계 과정.
 
187. 수정 진동자법  (quartz-crystal oscilliater method)
 
  수정진동자에 물질이 퇴적하였을 때, 수정의 고유진동수가 그 퇴 적량에 비례하여 변화하는 것을 이용하여 진동수의 변화를 측정 해서 막두께를 구하는 방법.
 
188. 순차 증착  (sequent deposition)
 
  2개 이상의 증착원(3012 참조)을 사용하고 교대로 증착(3001 참조) 하여 , 다층막(2025 참조)을 만드는 것.
 
189. 스크래치 시험  (scratch test)
 
  막 표면에 경도가 큰 돌기를 찍어 눌러 옆으로 이동시키는 것(긁 는 것)에 의해 피막의 밀착성을 조사하는 시험.
 
190. 스텝 커버리지  (step coverage)
 
  기판 표면에서 계단상으로 형태가 변화되고 있는 곳에 계단의 측면까지 박막을 형성시키는 것.
 191. 스텝식 투영 노광장치  (stepping projection aligner)
 
  마스트패턴의 투영상에 대해, 기판(2001 참조)을 반복해서 스텝하여 노광(7011 참조). 스테퍼라고도 한다.
 
192. 스퍼터 가스  (sputtering gas)
 
  스퍼터링(3047 참조)용의 가속입자를 만들기 위한 가스.
 
193. 스퍼터 건  (sputter-gun)
 
  스퍼터 입자(3052 참조)를 소정의 방향을 향하여 방출하는 스퍼터원.
 
194. 스퍼터 성막속도  (sputter deposition rate)
 
  단위시간에 스퍼터입자(3052 참조)가 기판(2001 참조)에 쌓여가는 양.
 
195. 스퍼터 에칭  (sputter etching)
 
  스퍼터링(3047 참조)에 의해 에칭 (7016 참조)하는 것.
 
196. 스퍼터 에칭 속도  (sputter etching rate)
 
  단위시간에 스퍼터(3047 참조)되는 재료가 증발(3011 참조)되어 가는 양.
 
197. 스퍼터 입자  (sputtered particles)
 
  스퍼터링(3047 참조)에 의해 고체표면으로부터 방출된 입자.
 
198. 스퍼터링  (sputtering)
 
  가속된 입자가 고체표면에 충돌하였을 때, 운동량의 교환에 의해 고체를 구성하는 원자가 공간에 방출되는 현상 및 이 현상을 이용한 성막법. 약칭 스퍼터.
 
199. 스퍼터율  (sputtering yield)
 
  1개의 고속입자가 고체표면에 충돌하였을 때, 방출된 입자의 개수.
 
200. 스프레이법  (spray method)
 
  고온의 기판표면에 반응물질을 불어 붙여서, 막을 형성하는 CVD (4001 참조).
201. 습도 시험  (high humidity test)
 
  습한 수증기의 분위기 중에서 표면처리막의 표면변화를 조사하는 시험.
 
202. 시 스  (sheath)
 
  플라스마(1028 참조) 중에 고체가 존재할 때 그 주위에 형성되는 공간전하층.
 
203. 아크 방전  (arc discharge)
 
  대기압 이상 또는 진공 중에서 얻어지는 전리도(1033 참조)가 높은 활 모양의 밝은 방전.
 
204. 아크방전 가열법  (laser heating)
 
  아크방전(1024 참조)을 이용해서 증발재료(3021 참조)를 가열하여, 증발(3011 참조)시키는 방법.
 
205. 아크방전 이온도금  (arc discharge ion platibg)
 
  아크방전(1024 참조)을 이용한 이온도금(3046 참조). 참 고 아크방전 이온도금에는 2종류의 방법이 있다. (1) 아크방전 플라스마로부터 대전류 전자빔을 증발원(3012 참조)에 인입하는 것에 의해 증발재료(3021 참조)를 증발 (3011
 
206. 알로잉  (alloying)
 
  기판(2001 참조)상에 다른 물질을 첨가하여, 고에너지의 레이저 전자빔등을 조사하여, 이들의 합금 또는 화합물을 기판상에 형성 시키는 것.
 
207. 압 력  (pressure)
 
  공간 내의 어느 점을 포함하는 가상의 미소평면을 양측 방향으로부터 통과하는 분자에 의해 단위면적당, 단위시간에수송되는 운동량의 면에 수직인 성분의 총합.
 
208. 압흔 시험  (indentation test)
 
  막 위로부터 경도가 큰 돌기를 찍어누르는 것에 의해 기판(2001 참조)과의 계면을 파괴시켜, 막에 손상을 일으키거나, 박리시킴에 의해 피막의 밀착성을 조사하는 시험.
 
209. 애싱  (ashing)
 
  산화 반응을 이용해, 레지스트(7003 참조) 등의 유기물을 연소시켜 기지표면으로부터 제거하는 것. 참고 불연성의 회분만을 남기는분석조작으로도 사용되고 있다.
 
210. 액상 에피택시  (liquid phase epitaxy)
 
  성장온도에서 액체로 되는 용매 중에 용질을 포화상태까지 용해시켜, 그 용액에 기판(2001 참조)을 접촉시켜서 냉각시키는 것에 의해 에피 택시얼 성장(2057 참조)시키는 것. 참 고 슬라이딩보드법, 경사법(Nelson 참조), 수직 침지법 등이 있다
211. 야아우물구조, 퀀텀 웰 구조  (quantum well structuer)
 
  전자 친화력(1038 참조)이 큰 물질을 작은 물질로 좁혀 쌓았을 때 전도대의 밑은 상자형의 우물과 같이 되어 전자는 우물 바닥에 갇혀 들어가게 된다. 우물의 두께가 전자의 파장보다 작게 되어 전자 에너지가 양자화된 구조.
 
212. 양자 사이즈 효과  (quantum size effect)
 
  물질의 치수가 전자의 파장과 동일한 정도로 되었을 때, 양자화에 의해 여러 가지 물질의 성질이 나타내는 사이즈 효과(2055 참조)
 
213. 양자 우물 상자  (quantum well box)
 
  물질의 3방향의 치수가 전자의 파장보다 작은 상자형의 구조로서 차원의 양자우물 구조(2064 참조)가 형성된 것. 양자 상자라고도 한다.
 
214. 양자 우물 세선  (quantum well wire)
 
  물질의 2방향의 치수가 전자의 파장보다 작은 세선상의 구조로서 2 차원의 양자우물 구조(2064 참조)가 형성된 것. 양자 상자라고도 한다.
 
215. 언 더 컷  (undercut)
 
  피에칭 재료상의 포토 레지스트의 마스크 치수에 비교하여, 에칭( 7016 참조)에 의해 형성되는 마스크 직하의 피에칭 재료의 패턴 치수가 작아지는 현상. 사이드 에칭이라고도 한다. 참 고 등방성 에칭(7037 참조)에서는 반드시 생기지만, 이방성 에칭(7038 참조)
 
216. 언더코트  (under coat)
 
  기판(2001 참조)의 평활성의 향상, 기판으로부터의 가스방출의 감소, 기판으로부터 막으로의 확산물질의 감소, 막의 밀착성의 향 상 등의 목적으로, 성막 전에 미리 기판에 하지막을 형성하는 것. 프레코트, 베이스코트, 플라이머코트라고도 한다.
 
217. 에치 팩터  (etch factor)
 
  사이드에칭(7040 참조)된 폭을 에칭깊이로 나눈 값.
 
218. 에치피트법  (etch pit method)
 
  화학적처리나 부식 등에 의해, 고체표면에 생기는 소공의 현미경 관찰에 의해 결함이나 결정립의 방위의 상이 등을 조사하는 방법.
 
219. 에칭  (etching)
 
  피처리재료의 전면 또는 일부를 제거하는 것. 참고 에칭에는 웨 에칭 및 드라이 에칭이 있다.
 
220. 에칭 가스  (etching gas)
 
  피처리 재료를 에칭(7016 참조)하기 위한 가스.
 
 221. 에칭 속도  (etching rate, etch rate)
 
  단위시간에 에칭(7016 참조)되는 깊이.
 
222. 에칭 제어 가스  (suppressive gas for etching)
 
  특정방향의 에칭속도(7034 참조)를 제어하기 위한 기체.
 
223. 에피택시  (epitaxy)
 
  박마갸2020 참조)이 결정 기판에 대해 어떤 결정학적인 방위관계를 갖는 것.
 
224. 에피택시얼 온도  (epitaxial temperature)
 
  에피택시얼 성장(2057 참조)이 생기는 기판(2001 참조)의 최저 온도.
 
225. 에피택시얼 성장  (epitaxial growth)
 
  단결정 기판상에 그것과 규칙적인 결정배위 관계에 인는 단결정 박막이 성장하는 것. 참 고 과포화 용액으로부터의 고상석출을 이용한 액상 에피택시얼 성장과 기상으로부터의 고상석출을 이용한 에피택시얼 성장이 있다.
 
226. 여기 반응  (excited state reaction)
 
  여기(勵起)를 수반하는 화학반응(4002 참조).
 
227. 연속 박막  (continuous thin film)
 
  기판(2001 참조)을 완전히 뒤덮은 박막(2020 참조).
 
228. 열 산화  (thermal oxidation)
 
  산화 분우기 중에서 재료를 가열하여, 그 표면에 산화막을 만드는 것.
 
229. 열 CVD  (thermal CVD)
 
  열에너지로 화학반응(4002 참조)을 일으키는 CVD(4001 참조)
 
230. 열전자 활성화 이온도금  (themoelectron assisted ion plating)
 
  접지된 증발원(3012 참조)에 대응해 부전위로 되어있는 증발원 부근으 열전자방사 전극으로부터 나오는 열전자에 의해 방전을 일으켜, 이것에 의해 증발입자를 이온화(1031 참조)시켜 하는 이온도금(3036 참조). 3극 이온도금이라고도 한다.
 231. 열처리  (heat treatment)
 
  재료에 필요한 성질을 부여하기 위해 하는 가열과 냉각을 여러 가지로 조합시킨 조작. 참조 노멀라이징, 어닐링, 퀭칭, 템퍼링 등.
 
232. 열필라멘트 CVD  (hot-filament CVD)
 
  고온에 가열한 필라멘트로부터 방출되는 열전자로 반응가스(4011참조) 를 여기하여, 화학반응(4002 참조)을 일으키는 CVD(4001 참조).
 
233. 예비 가열  (preheating)
 
  증발재료(3021 참조) 표면의 오염물을 제거하기 위해 하는 가열.
 
234. 오버 에칭  (ove etching)
 
  소정의 에칭량보다도 과잉으로 에칭(7016 참조)하는 것. 참 고 일반적으로, 2층 이상의 적층구조로 된 기판(2001 참조) 에서, 피에칭재료만이 아니라 기판재료도 에칭하는 것을 지칭한다.
 
235. 오제전자 분광법  (Auger electron spectroscopy)
 
  수 keV의 전자선을 시료표면에 조사하여, 진공 중에 방출되는 2 차전자 중, 오제 효과로 방출되는 전자 (오제전자)의 스펙틀을 측 정하는 것에 의해 시료표면 부근에 존재하는 원소를 분석하는 방법. 약칭 AES 참 고 주사형의 오제 전자분광법을 SAM이라 약칭한다.
 
236. 오토 도핑  (autodoping)
 
  기판(2001 참조) 이나 진공조(8015 참조) 등에서, 성막 중에 불술물이 막 중에 혼입하는 것.
 
237. 옥외폭로 시험  (ortdoor exposure erst)
 
  옥외의 대기 중에 표면처리(1001 참조)한 시료를 폭로하여, 태양 광, 비바람, 대기오염 등에 의한 막의 균열, 박리 등의 상태를 조 사하는 시험.
 
238. 와전류법  (eddy current method)
 
  장치와 시료 사이에 와전류를 발생시켜, 막의 두께에 따라 와전류 량이 변화하는 것을 이용하여 막두께를 구하는 방법.
 
239. 완 충 층  (buffer layer)
 
  적층되어 있는 각 층의 층간의 부정합을 완화하기 위해 층간에 삽입하는 층.
 
240. 용사  (spraying)
 
  물질을 열원으로 용융 또는 반용융 상태로 하여, 기판(2001 참조)에 불어 붙여서 막을 형성하는 것. 
 241. 용융 도금  (hot-dip plating)
 
  용먀금속 중에 기판(2001 참조)을 침지하여 표묜에 용매금속의 막을 형성하는 것.
 
242. 우선 배향  (preferred orientation)
 
  다결정체 중의 결정립이 통계적으로 어떤 정해진 방향으로 나타내는 것.
 
243. 원료 가스  (source gas)
 
  막형성시에 사용되는 막성분을 포함하는 가스. 반응 가스라고도 한다.
 
244. 원자층 에피택시  (atomic layer epitaxy)
 
  원자층 또는 분자층을 1층씩 제어하여 에피택시얼 성장(2057 참조)을 시키는 CVD(4011 참조).
 
245. 웻 에칭  (wet etching)
 
  용액을 사용하여 에칭(7016 참조)하는 것.
 
246. 위상차 현미경법  (phase-contrast microscope method)
 
  집광기의 조리개와 위상판을 공동역할하는 위치에 배치한 현미 경을 사용하여 물질의 미소한 위상차를 명암의 차로 바꾸어 막두 께를 측정하는 방법.
 
247. 응용 성막  (film formation using melting state)
 
  재료의 용융상태를 이용하여 막을 형성하는 것.
 
248. 이 방 성  (anisotropy)
 
  재료의 성질이 측정하는 방향에따라 다른 것.
 
249. 이방성 에칭  (anisoropic etching)
 
  피에칭재료의 에칭속도(7034 참조)가 에칭방향에 따라 서로 다른 것.
 
250. 이온 도금  (ion plating)
 
  전계를 인가하여 발생한 플라스마(1028 참조)를 이용하여, 증발 원자를 이온화(1031 참조) 또는 여기시켜, 기판(2001 참조)에 박막 (2020 참조)을 형성하는 것.
 
 251. 이온 밀도  (ion density)
 
  플라스마(1028 참조) 중의 단위 부피당 이온의 수.
 
252. 이온 빔 믹싱  (ion beam mixing)
 
  (광의) 고에너지의 이온과 표적원자의 충돌 및 반동작용을 이용하여, 재료 표면·계면을 구성하고 있는 원자층을 혼합 또는 합금화 하는 것. 
 
253. 이온 빔 스퍼터링  (ion beam sputtering)
 
  이온원(1045 참조)에 의해 생성하는 이온빔을 타깃(3059 참조)에 조사하여 하는 스퍼터링(3047 참조). 참 고 이온 빔원이 2개 있는 경우를 듀얼 이온빔 스퍼터링이라 한다. 1개의 이온원은 기판(2001 참조)에 조사되는 경우도 있다.
 
254. 이온 어시스트 증착  (kion assisted deposition)
 
  진공용기 내에 증발원(3012 참조)과 이온원(1045 참조)을 설치하여 이온을 보조적으로 이용하여 성막하는 것.
 
255. 이온 온도  (ion temperature)
 
  플라스마(1028 참조) 중의 이온의 평균적 열운동 에너지를 나타내는 척도.
 
256. 이온 재결합  (ion recombination)
 
  양이온이 음이온과 충돌하여 중성의 원자나 분자로 되는 것.
 
257. 이온 전류  (ion current)
 
  이온의 이동에 의한 전류.
 
258. 이온 전류 밀도  (ion current density)
 
  단위면적당 이온 전류(1046 참조).
 
259. 이온 주입  (ion implantation)
 
  원소를 이온화(1031 참조)하여, 수십 keV 이상의 고에너지로 가속하여. 그 원소를 기판 내부에 박아 넣는 것.
 
260. 이온 질화  (ion nitriding, ion nitridation)
 
  질소를 포함하는 분위기 중에서 재료를 음극으로 하여, 글로 방전 (1023 참조)을 발생시켜, 재료 표면에 질화물을 형성시키는 것.
 
 
261. 이온 침탄  (ion carburizing)
 
  감압된 탄소를 함유하는 가스 분위기 중에서 재료를 음극으로 하여, 글로 방전(1023 참조)을 발생시켜, 재료 표면에 탄소를 부화 시키는 것.
 
262. 이온마이크로 프로브분석법  (ion microprobe analysis)
 
  이온 빔을 몇 개의 정전렌즈로 축소하여, 빔의 지름을 작게 하여 시료에 조사해서, 시료로부터 방출하는 이온, X선, 빛 또는 전자 를 검출하여, 표면의 원소분석이나 상태분석을 국소적으로 함과 동시에, 이온으로 시료를 스퍼터링(3047 참조)하여, 깊이방향의 분포를 조사
 
263. 이온빔 에칭 이온 밀링  (ion beam etching, ion milling)
 
  이온빔을 사용하여 에칭(7016 참조)하는 것
 
264. 이온빔 증착  (ion beam deposition)
 
  이온을 물질수송의 수단으로서 사용하고 박막(2020 참조)을 형성하는 것.
 
265. 인 라인 방식  (in-line system)
 
  반송계를 갖추어 기판(2001 참조)을 연달아 처리할 수 있도록 한 방식. 참 고 로드로크 방식(8039 참조)을 사용하는 닫힌 입출구식과 벨트컨베이어와 같이 흐르도록 된 열린 입출구식이 있다.
 
266. 임 계 핵  (critical nucleus)
 
  핵(2027 참조)이 생성되더라도 너무 작아서 어느 임계반지름 이하에서는 핵이 성장하지 않거나 또는 소멸하고 말지만 어느 임계지름 이상이 되면 핵이 성장할 수가 있다. 그 임계지름의 핵을 말한다.
 
267. 입사 속도  (impingement rate)
 
  표면의 단위면적당 단위시간에 입사하는 물질의 양.
 
268. 자공전 지그  (rotary and revolutuinary jig)
 
  처리용기 내에 다수의 기판(2001 참조)을 지지하는데, 각 기판에 대해 균일한 처리가 이루어지도록 각각의 기판 또는 기판을 유지 하는 지그(8032 참조)를 자전시키면서 또한 이들 지그의 전체를 증발원(3012 참조)을 중심으로 공전시킬 수 있도록 되어 있는 지그. 
 
269. 자외선 경화  (ultraviolet curing)
 
  자외선에 의해 감광재료를 경화시키는 것. UV 경화라고도 한다. 
 
270. 자외선 처리  (ultraviolet treatment)
 
  자외선의 광화학작용을 이용하여, 저온하에서 고분자 재료등의 표면개질(1022 참조)을 하는 것.
 
271. 자유 증발원  (free evaporation source)
 
  증발면으로부터 증발(3011 참조)한 증기가 산란되지 않고 직진되도록 되어있는 구조의 증발원(3012 참조). 참 고 증발용기의 윗면까지 증발재료(3021 참조)가 가득 채워져 있는 경우이다.
 
272. 잡아벗김 시험  (peeling test)
 
  가요성이 있는 판재 또는 선재를 접착제(또는 납땜)로 막에 붙인 후, 판 또는 선재의 한 끝을 잡아끌어 당겨 밀착성을 조사하는 시험.
 
273. 재 결 정  (recrystallization)
 
  어느 온도 이상으로 가열하였을 때 새로운 결정핵의 발생 및 그 성장이 일어나는 현상.
 
274. 재 결 합  (recombination)
 
  양이온이 전자와 충돌하여 중성 입자 또는 하전수의 낮은 양이온으로 되는 것. 참 고 전리(1031 참조)의 역과정
 
275. 저속 전자선 회절법  (low energy electron diffraction method)
 
  가속에너지가 1keV 이하의 전자선을 이용하는 전자선 회절법 (9050 참조). 약칭 LEED.X 참 고 결정(2008 참조)의 전자선의 진입심도가 0.3~1nm정도로 얕으므로, 결정표면의 구조를 조사하는 데 적합하다.
 
276. 저속이온 산란분광법  (low energy ion scattering spectroscopy)
 
  수 keV 이하의 저에너지 이온빔을 물체에 조사하였을 때, 산란되 어오는 이온의 에너지나 이온수의 각도분포를 측정하여 물체의 조성이나 구조를 해석하는 방법. 약칭 LEIS. ISS라고 표기하는 때도 많다.
 
277. 저온 증착  (low-temperature deposition)
 
  기판(2001 참조)을 저온으로 유지하여 증착(3001 참조)하는 것.
 
278. 저항 가열법  (resistive heating, resistance heating)
 
  증발재료(3021 참조)를 통전 가열하여, 증발(3011 참조)시키는 방법
 
279. 적외 분광법  (infrared spectrometry)
 
  적외 흡수 스펙트럼을 이용하는 분광분석법. 약칭 IR. 참 고 1. 적외흡수 스펙트럼은 분자에 따라 다르므로, 이것을 이 용하여 질량의 동정, 정성분석을 할 수 있다. 2. 이것이 발전한 방법으로서 푸리에 변환 적외분광법 (FTIR)
 
280. 전 리, 이 온 화  (ionization)
 
  원자나 분자를 구성하고 있는 전자에 외부로부터 전기, 빛 등의 에너지를 주어 원자나 분자로부터 전자를 튀어나오게 하는 것. 참 고 이 결과는 양이온이 된다.
 
281. 전 압  (total pressure)
 
  혼합 기체 중의 전 성부느이 분압(1006 참조)의 총합.
 
282. 전 리 도, 이온화율  (ionization degree)
 
  플라스마 중 전리의 정도를 나타내는 비율. 중성 입자밀도 no, 전자밀도를 ne로 할때 ne/(no+ne)로 나타낸다.
 
283. 전 처 리  (pretreatment)
 
  표면처리(1001 참조)를 함에 있어서 표면상태를 조정하기 위해, 주공정 전에 하는 처리.
 
284. 전리 에너지, 이온화 에너지  (ionization energy)
 
  전리(1031 참조)에 필요로 하는 최소 에너지.
 
285. 전면 에칭  (overall etching)
 
  피처리재료의 전면을 제거하는 것. 
 
286. 전자 밀도, 플라스마 밀도  (electron density, plasma density)
 
  플라스마(1028 참조) 중의 단위 부피당 전자의 수.
 
287. 전자 부착  (electron attachment)
 
  전자가 중성의 원자나 분자에 붙어서 음이온을 생성하는 것. 참 고 양이욘과 전자의 경우의 재결합(1034 참조)을 구별하여 전자부착이라 한다.
 
288. 전자 빔 노광  (electron beam exposure)
 
  전자빔으로 노광(7011 참조)하는 것.
 
289. 전자 빔 에칭  (elestron beam etching)
 
  펄스상 전자빔을 물질에 충돌시켜, 빔 조사부분이 증발(3011 참조) 하는 현상을 이용하여 에칭(7016 참조)하는 것.
 
290. 전자 사이클로트 놀 공명 방전  (electron cyclotron resonance discharge)
 
  고주파 또는 마이크로파 플라스마 중의 전자를 자계하에서 공명시켜 얻어지는 방전(1022 참조). ECT방전이라고도 한다.
 
 291. 전자 온도  (electron temperature)
 
  플라스마(1028 참조) 중의 전자의 평균적 열운동 에너지를 나타내는 척도.
 
292. 전자 친화력  (electron affinity)
 
  전자가 원자나 분자에 결합할 때에 방출하는 에너지. 탈리(1037 참조)에 필요한 에너지와 동등하다.
 
293. 전자빔 가열법  (electron-beam heating)
 
  수랭 구리 도가니 또는 내화물제 도가니에 채운 증발재료(3021 참조) 의 표면에 전자빔을 조사하여 가열, 증발(3011 참조)시키는 방법. 참 고 1. 전자빔의 발생부를 전자총(EB gun)이라고 한다.
 
294. 전자빔 퀜칭  (electron beam quenching)
 
  전자빔에 의한 국소 가열을 이용하여 하는 퀜칭.
 
295. 전자선 회절법  (electron deffraction method)
 
  전자선을 결정(2008 참조)에 조사하면, 그 파동성에 의해 브라그 의 반사조건 또는 라우에의 회절조건에 따라서, 결정에 특유한 패 턴이 얻어지는 것을 이용하여 결정의 구조해석(9047 참조)을 하 는 방법. 약칭 ED. 
 
296. 전자조사 처리  (electron beam treatment)
 
  전계에서 가속시킨 전자를 고분자에 조사하여, 고분자를 브리지나 붕괴시키는 것에 의해 표면 개질(1022 참조)을 하는 것.
 
297. 전자프로브 미소부 분석법  (electron probe microanalysis)
 
  폭좁게 조여진 전자선을 시료에 조사하여, 시료로부터 여기되어 나오는 특성 X선을 해석해서 미소부분의 원소분석을 하는 방법. 약칭 EPMA. X선 마이크로 어낼리시스(XMA)라고도 한다.
 
298. 점 증발원  (point evaporation source)
 
  증착거리에 비해 아주 작은 구상의 증발원(3012 참조).
 
299. 조성 기울기  (composition gradient)
 
  막 중의 조성이 연속적으로 변화하는 것.
 
300. 조성 분석  (chemical composition analysis)
 
  만들어진 막 등의 화학조성을 구하는 것.
301. 존 폴딩  (zone folding)
 
  초격자(2062 참조)에서 전자구조에서 잇는 부릴리언 존이 초주기 구조에 의해 꺾여 접히는 것.
 
302. 주사터널 현미경  (scanning tunneling microscope)
 
  극히 예리한 금속탐침을 물질표면에 근접시켜, 탐침과 표면 내에 흐르는 터널전자를 이용하여 도전성물질 표면의 원자레벨로서 관 찰을 하는 현미경. 약칭 STM. 
 
303. 주사형 전자 현미경 관찰  (observation by scanning elestron microscope)
 
  주사형 전자현미경(약칭 SEM)을 사용하여, 표면상태를 관찰하는 것. 
 
304. 주사형 초음파 현미경  (scanning acoustic microscope)
 
  초음파 집속빔을 피측정물에 주사 조사하여, 반사파 또는 투과파 에 의해 극미한 탄성적 성질의 변화를 화상으로 표시하는 현미경. 약칭 SAM. 참 고 주사형 오제 전자분광법과 동일한 약칭.
 
305. 주상 구조  (columnar structure)
 
  기판(2001 참조)에 대해 기둥 모양 결정(2008 참조)이 성박한 박막(2020 참조) 구조.
 
306. 증 발  (evaporation)
 
  액체 또는 고체의 표면으로부터 그 일부가 기체(증기)로 되어 나오는 현상. 기화라고도 한다. 또, 고체의 경우 승화라고도 한다. 참 고 기상의 조성이 증발재료(3021 참조)의 조성과 일치하는 조화 증발과 서로 다른 비조화 증발이 있다.
 
307. 증 착  (vapor deposition)
 
  물질을 기상상태로 하여, 흡착(1013 참조), 응집, 성장에 의해 기판(2001 참조)상에 고체 막을 형성하는 것. 참 고 편의상, 물리증착(3002 참조)과 화학증착(4001 참조)으로 분류하고 있다.
 
308. 증 발 원  (evaporation source)
 
  물질에 열에너지를 주어, 증발(3011 참조)시키기 위한 기구. 증착원이라고도 한다.
 
309. 증발 속도  (evaporation rate)
 
  표면으로부터 단위면적, 단위시간당 증발(3011 참조)하는 물질의양.
 
310. 증발 재료  (evaporation material)
 
  증발(3011 참조)에 사용하는 원재료.
311. 증착 중합  (vapor deposition polymerization)
 
  모노머를 증발재료(3021 참조)로 하여, 기판(3001 참조) 위에서 중합반응을 하여 고분자 박막을 형성하는 것.
 
312. 지 그  (jig)
 
  기판(2001 참조)에 소정의 처리를 하기 위해, 그 기판을 처리용 기 내에 유지하는 기구.
 
313. 직류 스퍼터링  (DC sputtering)
 
  직류방전을 이용한 스퍼터링(3047 참조).
 
314. 직류 이온도금  (DC ion plating)
 
  불활성가스 분위기에서 접지시킨 증발원(3012 참조)에 대응해 음의 고전위를 기판(2001 참조)에 인가시켜 직류 글로 방전을 일으켜서, 동시에 증발재료(3021 참조)를 증발(3011 참조)시켜 하는 이온도금(3036 참조).
 
315. 직류 저항법  (DC resistance method)
 
  도전성 막의 저항률이 막두께에 의존하는 것을 이용하여, 저항체 를 측정하여 막두께를 구하는 방법.
 
316. 진 공  (vacuum)
 
  통상의 대기압보다 낮은 압력의 기체로 채워져 있는 공간 내의 상태. 참 고 진공의 정도를 표현하기 위해 편의상 압력의 영역에 따라 다음과 같이 구별한다. 저진공 102 Pa 이상 저진공 102 Pa 이상 
 
317. 진 공 계  (vacuum guage)
 
  대기압보다 낮은 기체의 압력(1005 참조)을 측정하는 압력계. 전압계와 기체의 종류별의 분압(1006 참조)을 측정하 는 분압계 등이 있다. 2. 광범위의 압력 영 
 
318. 진 공 조  (vacuum chamber)
 
  진공(1004 참조)을 유지하기 위해 유리, 스테인리스강, 알루미늄 합금 등의 재료로 만들어진 용기.
 
319. 진공 배기계  (vacuum pumping system)
 
  조작환경으로서 진공(1004 참조)이 필요한 경우에 진공을 만들고 또는 유지하기 위한 장치. 
 
320. 진공 열처리  (vacuum heat treatment)
 
  진공 중에서 하는 열처리(6001참조)
321. 진공 증착  (vacuum evaporation, evaporation)
 
  진공에서 물질을 가열증발시켜, 기판(2001 참조)에 응축시켜, 박막(2020 참조)을 형성하는 것. 참 고 진공증착을 약하여 증착이라고 하는 때가 많다.
 
322. 진공 펌프  (vacuum pump)
 
  특정의 공간으로부터 기체를 베제하여, 대기압보다 낮은 압력 (1005 참조) 기체로 채워진 상태를 만들어 유지하기 위한 기기. 
 
323. 집속 이온 빔  (focused ion beam)
 
  특정 이온을 가속하여 폭좁게 집속한 빔. 참고 내턴의 수정, 노광(7011참조),가공 이온주입(6022참조)등에 사용된다.
 
324. 청정 표면  (clean surface)
 
  구성원자 이외의 것을 포함하지 않는 표면.
 
325. 초 격 자  (superlattice)
 
  결정 내에서 격자상을 배열된 원자의 주기를 초과하는 장주기를 갖는 결정격자.
 
326. 촉 침 법  (stylus method)
 
  다이아몬드 등의 침에 하중을 걸어, 측정표면을 주사하여, 침의 상하의 변동을 차동변압기에 의해 변위를 전기신호로 해서 검출. 확대하여 표면의 거칠기와 막의 두께를 구하는 방법.
 
327. 충돌 빈도  (collision rate)
 
  기체 속을 자유로이 움직여 도는 입자가 단우 시간에 받게되는 충돌의 평균 횟수.
 
328. 층간 절연  (inter-level isolation)
 
  집적회로 등과 같이 소자간의 배선이 다층으로 되는 구조에있어서, 이들 층 사이를 절연박막에 의해전기적으로 분리(절연)하는 것.
 
329. 층상 구조  (layer structure)
 
  이종 또는 동종의 원자 또는 분자가 층상으로 되어 겹쳐 쌓인 박막 (2020 참조) 구조.
 
330. 침지 시험  (dipping test)
 
  표면처리(1001 참조)된 시료를 시험액 중에 침지하여 막의 균열, 박리 등의 상태를 조사하는 시험. 참 고 시험편 전체를 용액에 침지하는 경우는 완전침지 시험, 일 부분을 침지하는 경우는 부분침지 시험이라고 한다.
 
 331. 캐리어 가스  (carrier gas)
 
  막형성 재료의 원료가스를(4011 참조) 리액터(4013 참조)에 수송하기 위한 가스.
 
332. 캐소드 루미네선스법  (cathode luminescence analysis)
 
  시료에 전자선 조사를 하였을 때 발생하는 발광을 이용하여 불순 물, 결자결함 등을 분석하는 방법. 약칭 CL.
 
333. 캔틸레버법  (cantilever method)
 
  장방형의 얇은 기판의 한 끝을 고정하고, 판의 한쪽측 전면에 막 을 형성시켜, 자유단에 생기는 변위를 측정하는 것에 의해 내부응 력을 평가하는 방법.
 
334. 코로나 방전  (corona discharge)
 
  대체로 10-6A 이하의 비교적 작은 평균전류하에서 도체의 근처에 얻어지는 흐릿한 빛을 발하는 방전(1022 참조).
 
335. 콜드 트랩  (cold trap)
 
  진공 배기계(8016 참조)에서 진공용기와 펌프 사이에 설치하여, 액체질소 등에 의해 냉각된 면에 역류하는 기름의 증기나 분해생 성물을 응축시켜 바람직하지 않은 기체나 증기의 분압(1006 참 조)을 감소시키는 장치.
 
336. 콜드월법  (cold wall method)
 
  리액터(4013 참조) 벽면을 가열하지 않고, 기판(2001 참조)만을 가열하는 방법.
 
337. 크누센 셀  (Knudsen cell)
 
  증발재료(3021 참조)를 집어 넣은 작은 구멍이 있는 밀폐용기를 가열하여, 그 구멍으로부터 분자류의 상태로 분출시키는 증발원(3012 참조). 
 
338. 클러스터  (cluster)
 
  원자 또는 분자가 몇십 개로부터 1000개 정도 응집하여 이루어진 작은 집합체. 마이크로 클러스터라고도 한다.
 
339. 클러스터 이온  (ionized cluster)
 
  전하를 가진 클러스터(1049 참조).
 
340. 클러스터 이온빔 증착  (ionized clyster beam evaporation)
 
  증발재료(3021 참조)의 클러스터(1049 참조)를 세공을 가진 도가니로부터 분사시켜, 분사구의 바로 위에 설치된 필라멘트로부터의 방출전자에 의해 이온화(1031 참조)하여 클러스터 이온빔으로하고 부전위를 인가한 기판(2001 참조)에 입사시키는 이온도금(3036참조)
 
 341. 타 깃  (target)
 
  스퍼터링(3047 참조) 현상을 이용하여 성막을 할 경우, 가속입자가 충돌하는 표적이 되는 고체원료.
 
342. 탈 리  (detachment)
 
  음이온으로부터 전자가 떨어져나가 중성으 원자나 분자로 되돌아 오는 것. 참 고 흡착(1013 참조)의 경우의 탈리(1018 참조)와 같은 용어로 되어 있다.
 
343. 탈 리  (desorption)
 
  표면에 흡착(1013 참조)한 기체의 원자나 분자 또는 내부로부터 표면에 확산해 온 원자나 분자가 표면에 체재한 후, 공간으로 분리 되어 나오는 현상.
 
344. 탈 가 스  (degassing)
 
  증발재료(3021 참조), 기판(2001 참조), 지그(8032 참조), 진공조 (8015 참조) 등을 가열하여, 흡착(1013 참조) 또는 내부의 가스 를 제거 하는 것.
 
345. 테이프 시험  (tape test)
 
  접착테이프를 막에 붙인 후, 테이프를 벗겨 내어 막의 밀착성을 조사하는 시험.
 
346. 톱 코 트  (top coat)
 
  형성된 막의 보호나 산화방지의 목적으로 막의 윗면에 피막을 형 성하는 것.
 
347. 투과 반사율법  (tramsmittance- reflectance methdk, photometric method)
 
  막면에 수직으로 빛을 입사하였을 때, 투과율 및 반사율에 의해 생기는 진동곡선의 극대ㆍ극소로부터 막두께를 구하는 방법. 
 
348. 투과형 전자 현미경 관찰  (observation by transmission electron microscope)
 
  투과형 전자현미경(약칭 TEM)을 사용하여, 막 등의 상태를 관찰 하는 것. 
 
349. 투영 노광 장치  (projective aligner)
 
  투영광학계를 사용하는 노광장치(7012 참조).
 
350. 패시베이션  (passivation)
 
  표면을 불활성화하여, ㅇ외계로부터 영향을 받지 않도록 보호막을 형성하는 것.
 
351. 편광해석법  (ellipsometry)
 
  표면에서 빛이 반사할 때, 편향상태의 변화를 관찰하여, 박막 (2020 참조)의 광학정수 또는 막두께를 구하는 방법.
 
352. 편광현미경 관찰  (observation by polarizing microscope)
 
  편광현상을 일으키는 편광판 또는 편광자가 갖추어진 광학현미경 을 사용하여 표면상태를 관찰하는 것. 
 
353. 평 면 도  (flatness)
 
  평면형태가 기하학적으로 정확한 평면에서 벗어난 정도의 크기.
 
354. 평균 자유 행정  (mean free path)
 
  기체 속을 자유로이 움직여 도는 입자(분자, 원자, 전자, 이온, 중성자 등)가 동종 또는 이종의 입자와 차례로 충돌할 경우 충돌과 충돌 사이에 입자가 비행한 거리의 평균.
 
355. 평균 체류 시간  (mean residence time)
 
  기체의 원자나 분자가 표면에 흡착상태로 속박되어 있는 시간의 평균. 약칭으로 체류시간이라고도 한다.
 
356. 평형 플라스마, 고온 플라스마, 열 플라스마  (equilibrium plasma, high-temperature plasma, thermal plasma)
 
  이온, 전자, 중성입자의 온도가 거의 동등한 플라스마(1028 참조). 참 고 밀도가 낮은 전자의 온도가 104K 정도의 고온이기 때문에 고온 플라스마 또는 열 플라스마라 한다.
 
357. 폐가스 처리장치  (waste gas treatment equipment)
 
  제조공정에서 배출되는 유해물을 함유한 폐가스 중의 유해물질, 오탁물질을 제거 또는 분해처리하는 장치.
 
358. 포스트 베이크  (post-bake)
 
  현상에 의해 레지스트 매턴을 형성한 후, 막 또는 표면에 잔류한 현상액 등을 증발 제거하며, 또한 막의 경화 및 밀착성의 향상을 목적으로 하여 하는 열처리(6001 참조).
 
359. 포토 마스크  (photomask)
 
  마스크블랭크(7008참조)에 의해 패턴상을 형성한 것.
 
360. 포화 증기압  (saturation vapor pressure)
 
  특정 온도에서 응축상과 열역학적 평형에 도달해 있는 증기가 나타내는 압력.
 
361. 표면 개질  (surface modification)
 
  (광의) 표면처리(1001 참조)와 같다. (협의) 재료의 표면자체를 변화시켜 새로운 기능을 부가하는 것.
 
362. 표면 거칠기  (surface roughness)
 
  고체표면의 기복을 제외한 요철의 상태.
 
363. 표면 광학적 기능  (surface optical functions)
 
  표면이 나타내는 광학적인 기능. 참 고 색조, 광택, 내광성, 발광성, 반사, 흡수성 광자기 특성, 광기록 특성, 액정 배향성 등이 있다.
 
364. 표면 구조  (surface structure)
 
  표면에 있어서 원자 또는 분자의 배열 상태.
 
365. 표면 기계적 기능  (surface mechanical functions)
 
  표면이 나타내는 기계적인 기능. 참 고 내열마모성, 내마찰마모성, 접착성, 윤활성 등이 있다.
 
366. 표면 반응  (surface reaction)
 
  표면에서 일아나는 화학반응(4002 참조).
 
367. 표면 용융처리  (surface melting treament)
 
  고에너지 밀도의 열원을 조사하여 재료표면을 급속 용융, 응고 시켜서 표면개질(1022 참조)을 하는 것.
 
368. 표면 전자기적 기능  (surface electric and magnetic functions)
 
  표면이 나타내는 전자기적인 기능. 참 고 전도성, 초전도성, 반도체성, 절연성, 자성 등이 있다.
 
369. 표면 처리  (surface treatment)
 
  재료표면의 상태를 변화시켜 표면의 성질을 변경하건, 새로운 기능을 부가하는 것.
 
370. 표면 화학적 기능  (surface chemical functions)
 
  표면이 나타내는 화학적인 기능. 참 고 내식성, 촉매활성, 센서 기능 등이 있다.

 371. 표면 확산  (surface diffusion)
 
  표면원자 또는 표면부착 원자가 에너지적으로 보다 안정된 곳으로 표면에 따라 이동하는 현상. 표면이동이라고도 한다.
 
372. 표면열적 기능  (surface thermal functions)
 
  표면이 나타내는 열적인 기능. 참 고 내열성, 단열성, 열전도성 등이 있다.
 
373. 프리 베이크  (pre- bake)
 
  레지스트(7003 참조)를 도포한 후, 막 중에 잔류해 있는 요제의 증발 (3011 참조) 및 막과 기판(2001 참조) 의 밀착성의 향상을 목적으로 하여 하는 열처리(6001 참조).
 
374. 프리 스퍼터링  (pre-sputtering)
 
  스퍼터 성막을 하기 전에 기판(2001 참조)을 셔터 등으로 덮고, 미리 스퍼터링(3047 참조)하는 것.
 
375. 플 리 싱  (polishing)
 
  고도의 경면을 얻기위해 하는 연마. 참 고 래핑용과 연삭립보다 좀더 미세한 입자를 사용한다.
 
376. 플라스마  (plasma)
 
  총전하량이 제로인 이온이나 전자 등의 하전 입자와 원자, 분자등의 중성입자로 되어있는 기체.
 
377. 플라스마 양극산화  (plasma anodic oxidation, plasma anodization)
 
  재료 표면에 양의 바이어스를 인가하여 하는 플라스마 산화 (6006참조).
 
378. 플라스마 분리형 플라스마 에칭  (down stream plasma etching)
 
  플라스마 발생실과 에칭실이 분리되어, 플라스마 발생실에서 생성한 비교적 장수명의 중성활성종을 에칭실에 수송하여 에칭(7016 참조) 하는 것. 케미컬드라이 에칭, 다운플로 에칭이라고도 한다. 참고 주고 마이트로파 플라스마가 사용된다.
 
379. 플라스마 산화  (plasma oxidation)
 
  산소를 포함하는 플라스마(1028 참조)를 사용하여 재료 표면을 산화 시키는 것.
 
380. 플라스마 에칭  (plasma etching)
 
  활성가스에 의한 플라스마(1028 참조)를 이용하여 에칭(7016참조) 하는 것.
 
 381. 플라스마 중합  (plasma polymerization)
 
  플라스마(1028 참조) 중에서 모노머의 반응가스(4011 참조)를 중합시켜 고분자의 박막을 형성하는 것.
 
382. 플라스마 질화  (plasma nitriding, plasma nitridation)
 
  방전(1022 참조)에 의해 발생시킨 플라스마(1028 참조)로 재료 표면에 질화물을 형성시키는 것.
 
383. 플라스마 처리  (plasma treatment)
 
  플라스마 중의이온, 전자, 라디칼, 빛 , 원자.분자 등을 이용하여 표면개질(1022 참조)을 하는 것. 참고 고분자 재료의 표면개질에 사용되는 일이 많다.
 
384. 플라스마 CVD  (plasma CVD)
 
  반응가스를(4011 참조) 플라스마(1028 참조)상태로 하여, 활성인라디칼 이나 이온의 생성에 의해 화학반응을 일으키는 CVD(4001참조). 
 
385. 플라스마 개시중합  (plasma-initiated)
 
  중합개시시에 플라스마(1028 참조)를 이용하여, 고분자의 박막을 형성하는 것.
 
386. 플래시 증발  (flash evaporation method)
 
  증발재료(3021 참조)를 입상 또는 분상화하여, 고온증발원 중에 소량씩 낙하시켜, 증발원(3012 참조)상에서 순간적으로 증발 (3011 참조)시키는 것.
 
387. 피 복 률  (coverage)
 
  재료 표면에 다른 물질을 피복할 때 그 피복 물질이 덮는 면적의 전 표면적에 대한 비율. 피복도라고도 한다.
 
388. 핀 홀  (pinhole)
 
  박막(2020 참조)에 존재하는 미소한 바늘구명 모양의 결함.
 
389. 한계 에너지  (threshold energy)
 
  스퍼터링(3047 참조)을 일어나게 하는 입사입자의 최저에너지.
 
390. 할라이드 CVD  (halide CVD)
 
  염화물(할라이드)을 원료가스로 하는 CVD(4011 참조).
391. 합 체  (coalescence)
 
  핵새성(2029 참조)에 의해 형성된 핵(2027 참조)이 성장하는 단계에서 핵끼리 일체가 되는 것.
 
392. 핫 월 법  (hot wall method)
 
  리액터(4013 참조) 벽면을 가열하여, 기판(2001 참조)을 가열하는 방법. 참 고 핫 월 에피택시얼법에서는 가열한 반응관을 핫 월이라 한다. 증기를 균일온도로 유지하는 일과 수송관의 역할을 한다.
 
393. 항온 시험  (constant temperature test)
 
  상온, 저온 또는 고온의 항온분위기 중에서 표면처리막 등의 변화 를 조사하는 시험.
 
394. 해리 흡착  (dissociative adsorption)
 
  부착하는 기체분자가 해리한 화학흡착(1014 참조).
 
395. 해상력  (resolving power of resist)
 
  레지스트(7003 참조)의 미세상 형성 능력. 참고 일반적으로, 프린트 배선판이나 반도체 등의 패턴형성에서 형성되는 최소의 선 폭 및 간격을 지칭한다.
 
396. 핵  (nucleus)
 
  과냉각상이나 과포화상으로부터 주로 결정화 또는 상석출을 할때 형성되는 원자 도는 분자의 작은 집합체.
 
397. 핵 생 성  (nucleation)
 
  과냉각상이나 과포화상으로부터 핵(2027 참조)이 형셩되는 것. 참 고 핵 형성에는 균일 핵생성 및 불균일 핵생성이 있다.
 
398. 핵 성 장  (nucleus growth)
 
  생선된 핵(2027 참조) 중 임계반지름 이상의 크기로 된 핵이 성장하는 것. 참 고 핵성장에는 2차원 핵성장 및 3차원 핵성장이 있다.
 
399. 헤테로 에피택 시얼 성장  (heteroepitaxial growth)
 
  단결정 기판상에 그것과 다른 물질의 단결정 박막이 에피택시얼 성장(2057 참조)하는 것.
 
400. 헬륨리크 티텍터  (helium leak detector)
 
  탐색기체에 헬륨가스를 사용하여 진공장치 등의 밀폐용기의 누설, 장소, 리크량을 조사하는 장치.
 
 401. 현장 관찰  (in situ observation)
 
  막의 퇴적이나 에칭(7016 참조) 등을 하는 장소에서 그 상태를 직접 관찰ㆍ분석하는 것.
 
402. 형광 X선 분석법  (X-ray fluorescence analysis)
 
  시료에 X선을 조사하여, 발생하는 형광 X선을 분광결정을 이용하 여 분광, 검출, 기록하여 성분원소를 분석하는 방법. 약칭 XFA 또는 XRF.
 
403. 형광 X선법  (Z-ray fluorescence method)
 
  시료에 X선을 조사하였을 때, 기판(2001 참조) 및 막으로부터 방 사되는 원소에 특유의 형광 X선의 강도를 측정하는 것에 의해 막 두께를 구하는 방법.
 
404. 호모 에피택시얼 성장  (heteroepitaxial growth)
 
  단결정 기판상에 그것과 동종 물질의 단결정 박막이 에피택시얼 성장(2057 참조)하는 것.
 
405. 홀로 캐소드 이온도금  ( hollow cathode discharge ion plating)
 
  홀로 캐소드(중공음극) 방전 전자총으로부터 저전압 대전류의 전자 빔을 증발원(3012 참조)에 인입하는 것에 의해, 증발재료(3021 참조) 를 증발(3011 참조)시킴과 동시에 이온화(1031 참조)를 하는 이온도 금(3036 참조). 약칭HCD.
 
406. 화학 반응  (chemical reaction)
 
  1종 또는 2종 이상의 물질이 그 구성원소의 짝지움을 바꾸어, 새로운 물질을 만들어내는 변화. 참 고 화학증착(4001 참조)에서는 열분해 반응, 산화 반응, 환원 반응, 불균화 반응, 가수분해 반응 등이 이용된다.
 
407. 화학 스퍼터링  (chemical sputtering)
 
  플라스마(1028 참조) 중의 이온이나 라디칼과 고체표면의 반응에 의해 휘발성이 높은 분자를 생성시켜 이 분자가 고체표면으로부터이탈하는 현상. 참 고 성막보다 에칭(7016 참조)으로서 사용된다.
 
408. 화학 양론 조성  (stoichiometry)
 
  분자식으로 나타낼 수 있는 화합물의 조성.
 
409. 화학 증착  (chemical vapor deposition)
 
  기상 화학반응에 의해 기판(2001 참조)상에 막을 형성시키는 것. 화학기상이라고도 한다. 약칭 CVD.
 
410. 화학 흡착  (chemisorption)
 
  표면에 원자나 분자가 부착하였을 때, 표면 제1층의 원자와 부착한 원자나 분자 사이에서 전자의 교환을 이루어 화학결합을 형성하는 흡착(1013 참조).

411. 화학수송법  (chemical transport method)
 
  고온부에 설치한 고체물질을 화학반응(4002 참조)에 의해 기체로 하여, 이 물질을 저온부에서 새로운 화학반응에 의해 본래의 고체로 하여 석출키는 방법.
 
412. 확산 침투법  (cementatation)
 
  금속 재료의 표면층의 경도, 내열성, 내식성등을 향상시키기 위해, 고온도의 각종 매제 중에서, 다른 원소를 표면에 확산시키는 방법.
 
413. 활 성 종  (activated species)
 
  빛.열 등의 에너지를 흡수하여, 에너지가 높은 상태로 여기되어, 화학반응(4002 참조)을 일으키기 쉬운 상태로 되어 있는 원자나 분자
 
414. 활성화 반응성 증착  (activated reactive evaporation)
 
  (광의) 반응성 이온도금(3037 참조)과 같다. (협의) 전자빔 증발원과 기판(2001 참조) 사이에 설치한 보조전극에 양(+)의 전위를 인가하여 방전(1022 참조)을 일으켜서, 증발입자와 반응가스를 이온화(1031 참조)시켜 화합물 막을 형성시키는
 
415. 활성화 에너지  (activation energy)
 
  화학반응(4002 참조)을 일으키는 데 필요한 최소의 에너지.
 
416. 회전 타깃  (rotary tagets)
 
  동일한 진공조(8015 참조)에 배치한 복수의 각종 재료 타깃(3059참조)이 회전되는 방식.
 
417. 후 막  (thick film)
 
  대체로 수 ㎛이상 두께의 막.
 
418. 후 처 리  (posttreatment)
 
  표면처리(1001 참조) 후, 사용목적에 적합하도록 피막에 하는 처리. 참 고 피막의 평활화를 위해 하는 연마, 피막의 특성을 조정하는 가열, 피막의 밀착성을 향상시키기 위해서 하는 가열 등이 있다.
 
419. 흡 착  (adsorption)
 
  기체의 원자나 분자가 고체 또는 액체의 표면에 머물러 있는 현상.
 
420. 흡착 시험  (adsorption test)
 
  고체표면에 특정목적으로 선택된 원자나 분자를 흡착시켜, 표면의 상태를 조사하는 시험.

 421. CVI  (chemical vapor)
 
  성막 중, 간헐적으로 감압하는 것에 의해 다공질 기판의 공공에 반응가스(4011 참조)를 도입하여, 다공질 내부에도 피복 또는 충전하는 CVD(4011 참조).
 
422. ECR 반응성 이온 빔 에칭  (ECR reactive ion beam etching)
 
  ECR 이온원으로부터 인출한 고밀도의 반응성 이온을 이용하는 반응성 이온빔 에칭(7030 참조). 참 고 이온의 인출에는 발산자장을 사용하는 방법 및 인출전극 을 사용하는 방법이 있다.
 
423. ECR 스퍼터링  (ECR sputtering)
 
  마이크로파와 자계를 인가하여, 저자 사이클로트론 공명(ECR)방전 (1027 참조)을 발생시켜, 플라스마와 타깃 전위를 독립걱으로 제어 하여 하는 스퍼터링(3047 참조).
 
424. ICP 발광 분석법  (indyctively coupled plasma spectrometry)
 
  불활성기체의 기류 중에 있는 코일에 고주파 발진기로부터 고주 파 전류를 흘릴 때 발생하는 무극방전 플라스마 중에 시료를 도 입하여 그 발광을 분광시켜 성분분석을 하는 분석법.
 
425. MOCVD  (metalorganic CVD)
 
  유기금속 화합물을 원료가스(4011 참조)로 하는 CVD(4011 참조). 유기금속 기상도금이라고도 한다.
 
426. X선 광전자 분광법  (X-ray photoelectron spectroscopy)
 
  고진공하에 놓여진 시료표면에 연X선을 조사하여, 광전효과에 의 해 시료 중의 원자의 내각ㆍ외각 레벨로부터 방출되는 전자의 운 동에너지로부터 전자의 결합에너지를, 그 수로부터 에너지상태로 존재하는 원자의 수를 결정하는 방법. 약칭 XPS, ESCA 라고도 한다.
 
427. X선 회절법  (X-ray diffraction method)
 
  X선을 결정(2008 참조)에 조사하면, 브라그의 반사조건 또는 라 우에의 회절조건에 따라서 그 결정에 특유의 회절패턴이 얻어지 는 것을 이용하여, 결정의 구조해석(9047 참조)을 하는 방법. 약칭 XD 또는 XRD. 
 
428. β 선 법  (β back-scatter method)
 
  시료의 β선을 조사하여 후방산란하는 β선 강도가 막두께에 따라 변화하는 것을 측정하여 막두께를 구하는 방법.