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▼변형이란
재료에 인장력（ 또는 압축 력）Ｐ가 더해지면 ，이것에 대한 응력σ 이(가) 재료 내부에 발생합니다．이 응력에 비례한 인장 변형（압축 변형）이 발생하고，길이Ｌ의 재료는 ，Ｌ+ΔＬ（ 또는 Ｌ-ΔＬ）에 변형합니다．이 때의 Ｌ과 ΔＬ의 비율을 변형이라고 말합니다．
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ε：변형
Ｌ：재료의 처음의 길이
ΔＬ：외력Ｐ에 의한 변화 분 |
변형이 나타내고 쪽은 ，1×10<SUP>-6</SUP> 변형을 기준으로 하시기 때문에 위의 값과 같이 1000×10<SUP>-6</SUP> 변형（ 또는 1000×10<SUP>-6</SUP> ）으로 나타냅니다．읽는 법은 「1000 마이크로（micro） 변형」으로 됩니다． |
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▼변형 게이지（gauge）란
금속（저항체）은 외력을 가하고 신축시키면 ，있는 범위에서 그 저항치도 증감합니다．따라서 변형이 생기는 측정 대상물에 전기 절연물을 이용하고 접착해 두면，측정 대상물의 신축에 비례하고 금속（저항체）이 신축하고 저항치가 변화합니다．변형 게이지（gauge）（전기 저항 식）는 이 저항 변화에 의하여 변형을 측정한 센서（sensor）입니다． |
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▼변형 게이지（gauge）의 구조
변형 게이지（gauge）는 ，얇은 전기 절연물의 베이스（bass）의 위에 격자상의 저항선 또는 포토（photo） 에칭（etching） 가공한 저항박을 형성하고，인출선을 붙을 수 있었던 것입니다．이것을 측정 대상물（공시체）의 표면에 전용 접착제로 접착하고 측정합니다．
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▼변형 게이지（gauge）의 원리
측정 대상물에 변형이 발생하시면 ，변형 게이지（gauge）의 베이스（bass）를 경유하고 저항체（선·박）에 변형이 전해지고 옵니다．발생한 변형에 대응한 저항 변화와 변형의 관계는 차식과 같이 됩니다．
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ε：구한 변형
Ｒ：게이지（gauge） 저항
ΔＲ：변형을 받았던 때의 저항 변화량
Ｋ：게이지（gauge） 비율
（게이지（gauge） 패키지（package）에 기재） | |
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변형 게이지（gauge）의 저항 변화는 미소한 값이기 때문에 휘트스톤 다리（Wheatstonebridge） 회로를 이용하고 전압에 변환합니다．
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브리지（bridge） 회로의 출력 전압은 ，
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ｅ
Ｅ
Ｒ1
Ｒ2 ∼Ｒ4 |
：출력 전압
：입력 전압
：변형 게이지（gauge）의 저항 치
：고정 저항의 값 |
로 됩니다．
Ｒ=Ｒ 1=Ｒ 2=Ｒ 3=Ｒ 4라고 한다면 변형 게이지（gauge）에 변형이 더해지고 변형 게이지（gauge）의 저항Ｒ이 Ｒ+ΔＲ이 되다 따라서 변형에 의한 출력 전압 Δe（변화 분）은
로 됩니다．
변형 게이지（gauge）를 변형 측정기에 접속한다면 휘트스톤 다리（Wheatstonebridge） 회로가 구성되고，브리지（bridge） 회로의 입력 전압（브리지（bridge） 전원）가 변형 측정기로부터 공급되기 위해(때문에) ，변형 양（ε）을 디지털（digital） 표시나 아날로그（analog） 출력등으로 측정한 것이 가능합니다． |
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▼변형 게이지（gauge）의 우위 성
변형 게이지（gauge）는 많은 편리성을 구비하고 있지만，한편으로 한계가 있는 것도 사실입니다．온도，변형 양，피로，환경등에 대하고 일정한 사용 한계가 있으시기 때문에 ，미리 한계를 확인하고 변형 게이지（gauge）를 사용한 필요가 있습니다．
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변형 게이지（gauge）의 특징
구조가 간단하고 질량，용적이 작게 측정 대상물의 응력 상태를 어지럽히지 않는다.
표점 거리를 단축할 수 있고，국소적인 평가를 할 수 있다．
주파수 응답성이 좋고，응력의 급격한 변화에 추종할 수 있다．
다점의 동시 측정，원격 측정을 할 수 있다．
출력이 전기량이므로，데이터（data） 처리가 용이．
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