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■ 변환기 출력(mV/V)과 변형 량(×10-6 )의 관계
변형 게이지（gauge）식 변환기의 출력 단위는"mV/V"로 표기하고 있습니다．이 단위는 브리지（bridge）에 입력 전압 1V를 가한 때의 규격시 출력으로 ，변형 량(×10-6 변형)단위에 차식의 관계
e＝(1/4)*K*E*ε K：변형 게이지（gauge）의 게이지（gauge） 비율
E：브리지（bridge） 전압(V)
e：출력 전압(V)
ε：변형 량(×10-6 변형)
게이지（gauge） 비율(K)＝2.00，인가 전압(V)＝1이라고
2e＝ε 의 관계가 되고，변형 량ε(μstrain＝×10 -6 변형)와 브리지（bridge） 출력 전압 e(μV)는 ２ 배의 관계
예）3000μstrain-----1500μV/V＝1.5mV/V
■ 브리지（bridge）의 한 변에 병렬 저항 삽입에 의한 간단한 등가 변형 발생 법
휘트스톤 브릿지（Wheatstonebridge） 회로에서는 브릿지（bridge）의 한 변에 병렬 저항을 삽입한 것에 의하고 등가 변형을 발생시키는 방법．
그림과 같이 변형 게이지（gauge）에 병렬 저항（ｒp）을 삽입하면 ，교정 변형（ε），삽입 저항（ｒp）과 게이지（gauge） 저항（Ｒg）은 차식의 관계．
Ｒg/(ｒp＋Ｒg)＝K*ε
로부터
ｒp Ｒg/(K*ε)
아래 표와 같이 등가 변형， 및 변환기 출력의 발생용으로서 이용 가능．
단，게이지（gauge） 율：2.00
| 변환기 출력(mV/V) |
0.050 |
0.100 |
0.250 |
0.500 |
1.000 |
1.500 |
| 등가 변형 양(×10-6 변형) |
100 |
200 |
500 |
1000 |
2000 |
3000 |
| 120Ω계 삽입 저항(kΩ) |
600 |
300 |
120 |
60 |
30 |
20 |
| 350Ω계 삽입 저항(kΩ) |
1750 |
875 |
350 |
175 |
87.5 |
58.3 |
■ 로드 셀（cell） 및 각종 변환기의 정밀도， 및 분해 성능에 관하여
변형 게이지（gauge）식 변환기의 정밀도는 ，직선 성，히스테리시스（hysteresis），반복 성 및 온도 등 외적인 안정성을 종합하고 정밀도 클래스（class）의 선택을 필요합니다． 일반적으로는 ，각각 성능 보증된 오차의 ２승화의 제곱근으로서 아래 식에 적용．
＜로드 셀（cell）의 종합 정밀도＞
δs＝[α1^2＋α2^2＋α3^2＋(α4*Δt)^2＋(α5*Δt)^2]^(1/2) (%R.O)
α1：직선 성 (%R.O)
α2：히스테리시스（hysteresis） (%R.O)
α3：반복성 (%R.O)
α4：영점의 온도 영향 (%R.O/℃)
α5：출력의 온도 영향 (%LOAD/℃)
Δt：온도 변화 (℃)
＜로드 셀（cell）가 복수개／병렬 일본 종합 정밀도＞
Σδs＝δs/n^(1/2) (%R.O)
n：사용한 로드 셀（cell）의 개수
또한, 측정기의 오차를 포함한 종합 정밀도（δ）의 표기에는 로드 셀（cell）의 종합 정밀도（δs）와 측정기의 종합 정밀도（δi）제곱근으로서 취급합니다．
δ＝[δs^2＋δi^2}^(1/2)
＜로드 셀（cell）의 분해 성능＞
계측 기기의 디지털화에 수반하고 로드 셀（cell）의 분해 성능에 관한 질문이 많이 전해집니다． 기본적으로는 로드 셀（cell）는 변형 게이지（gauge）를 이용한 아날로그（analog） 센서（sensor）인 것으로 일반적으로는 분해 성능이라고 한 표현은 하고 있지 않습니다．（디지털（digital） 로드 셀（cell）를 제외하다） 그러나，계측기의 고분해 성능화로부터 온도 등 외적 영향을 받지 않는 한, 고정밀도 로드 셀（cell）(0.05%R.O 이상※１ )로는 1/10000 정도의 안정성을 얻을 수 있으시기 때문에 ，규격 용량의 1/100∼1/1※２ 의(것) 범위를 실측하는데도 무방한 성능을 갖고 있습니다． |
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