A
ABIOS(Advanced Basic I/O System) PCÀÇ ½Ç¸ðµå BIOS´Â À¯»çÇÑ ·çƾµéÀÇ ÁýÇÕÀÌ°í, ABIOS´Â º¸È£¸ðµå·Î ÀÛµ¿µÇµµ·Ï ¼³°èµÈ °ÍÀÌ´Ù.
Abrasive ¼ºÇü ¿Ï·áµÈ PKG³ª ¸®µåÇÁ·¹ÀÓ¿¡ ÀÜÁ¸ÇÏ´Â ¼öÁö ÇǸ·À» Á¦°ÅÇϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÈ ¿¬¸¶Á¦.
Absorption Constant (Èí¼ö»ó¼ö) ¸ÅÁúÀÌ ºûÀ» Èí¼öÇÏ´Â Á¤µµ¸¦ ³ªÅ¸³½ °íÀ¯°ª.
Absorption Dichroism (Èí¼ö ÀÌ»ö¼º) Ã༺¾×Á¤¿¡ ÀÖ¾î¼ ±¤ÀÇ Æí±¤ ¹æÇâ¿¡ ÀÇÇØ ±¤ÀÇ Èí¼öÁ¤µµ°¡ ´Ù¸¥ Çö»óÀ¸·Î Á÷¼± Æí±¤ÀÇ Áøµ¿ ¹æÇâÀÇ Â÷ÀÌ¿¡ ÀÇÇØ Èí¼ö°è¼ö°¡ ´Ù¸¥ Á÷¼± ÀÌ»ö¼º ¶Ç´Â ¼±±¤¼ºÀ» ³ªÅ¸³»´Â ¿ë¾×µî¿¡ ÀÖ¾î¼ ÁË¿ì ¿øÆí±¤ÀÇ Èí¼ö°è¼ö°¡ ´Ù¸¥ ¿øÆDZ¤ ÀÌ»ö¼ºµîÀÇ Á¾·ù°¡ ÀÖ´Ù.
Accel Mode ÀÌ¿Â ÁÖÀԽà °¡¼Ó¿¡³ÊÁö¸¦ °¡ÇØ ÁØ »óÅ¿¡¼ ÁÖÀÔÇÏ´Â ÇüÅ (¿¡³ÊÁö ¹üÀ§ 32-200KeV.)
AC Characteristic Device°¡ µ¿À۽à °®°í Àִ Ư¼º Áß ÀÔÃâ·Â ÆÄÇüÀÇ Timimg °ú °ü·ÃÇÑ ¿©·¯ °¡Áö Ư¼ºÀ» ¸»ÇÔ.
Acceptable Quality Level ÇÕ°ÝÇ°Áú¼öÁØ. Sampling¿¡¼, ¸¸Á·ÇÒ ¸¸ÇÑ °øÁ¤Æò±ÕÀ¸·Î »ý°¢ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Lot ȤÀº Batch³»ÀÇ ÃÖ´ë º¯µ¿¼ö(variant unit)¸¦ ¸» ÇÑ´Ù. º¯µ¿¼ö(variant unit)¶ó´Â ¸»Àº ÀÌ»ó Á¤µµ ¶Ç´Â °áÇÔ(ºÒ·®)Á¤µµ¶ó´Â º¸´Ù ´õ ±¹ÇÑµÈ ÀǹÌÀÇ ´Ü¾î·Î ´ëüÇÒ ¼öµµ ÀÖ´Ù.
Acceptance Sampling Á¦Ç° ȤÀº ÀçÈÀÇ ÇÕ.ºÎÆÇÁ¤À» À§ÇÑ Sampling °Ë»ç Áï, Sampling°Ë»ç¿¡ ÀÇ°ÅÇÏ¿© ÇÕ,ºÎÆÇÁ¤À» ÇÏ´Â ÀýÂ÷¿¡ °üÇÑ ¹æ¹ýÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Acceptance Tests (Àμö½ÃÇè) °ø±ÞÀÚ°¡ ±¸¸ÅÀÚ°£¿¡ Á¦Ç°À» ÀμöÇÒ °ÍÀΰ¡¸¦ µ¿ÀÇÇϰųª °áÁ¤Çϴµ¥ ÇÊ¿äÇÑ Å×½ºÆ®.
Acceptor 3°¡ÀÇ ºÒ¼ø¹°À» ½Ç¸®ÄÜ¿¡ ÁÖÀÔÇÏ¸é °øÀ¯°áÇÕ¿¡ ÀÇÇØ È¦(hole;Á¤°ø)À» ¸¸µå´Âµ¥ À̶§ 3°¡ÀÇ ºÒ¼ø¹°À» Acceptor¶ó ÇÑ´Ù.
Acceptor Level(Acceptor ÁØÀ§) ¹ÝµµÃ¼ ¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°·Î¼ È¥ÀÔµÈ ¿øÀÚ¿¡ ÀÇÇؼ HoleÀÌ »ý°Ü ¹ÝµµÃ¼°¡ PÇüÀ¸·Î µÇ´Â ºÒ¼ø¹° ¿øÀÚ¸¦ ¿¢¼ÁÅͶó°í Çϸç ÀÌ »óŸ¦ ¿¡³ÊÁö´ëÀÇ ±×¸²À¸·Î ³ªÅ¸³ÂÀ» ¶§ ¿¢¼ÁÅÍ¿¡ ÀÇÇؼ ±ÝÁö´ë¼Ó¿¡ »ý±ä ¿¡³ÊÁö LevelÀ» Acceptor LevelÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
ACI (After Cleaning Inspection) ½Ä°¢°øÁ¤Áß °Ç½Ä, ½À±â ¹× °¨±¤¾× Á¦°ÅÈÄ Çö¹Ì°æ ¹× ÃøÁ¤ÀåÄ¡¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ½Ä°¢ÀÇ Á¤È®¼º, À̹°ÁúÀÇ ÀÜÁ¸, CD(Critical Dimension : ÀÓ°èÄ¡¼ö) µîÀ» °Ë»çÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Active Matrix Drive (´Éµ¿ ¸ÅÆ®¸¯½º ±¸µ¿) ÁÖ»çÀü±Ø°ú ½ÅÈ£Àü±ØÀÇ ¸ÅÆ®¸®½º ±³Á¡ºÎ ȼҸ¶´Ù ½ºÀ§Äª ¼ÒÀÚ¿Í ÇÊ¿ä¿¡ µû¶ó ÃàÀüÁö¸¦ ÃàÀûÇÏ¿© contrast³ªresponseµîÀÇ ¼ÒÀÚ ¼º´ÉÀ» Çâ»ó½ÃÅ°´Â ±¸µ¿¹æ½ÄÀ¸·Î ½ºÀ§Äª ¸ÅÆ®¸®½º ±¸µ¿À̶ó°í ÇÑ´Ù. ÀÌ ¹æ½ÄÀº °¢ ½ºÀ§Äª ¼ÒÀÚ¿¡ ¿¬°áµÈ È¼Ò Àü±ØÀ» ¼·Î µ¶¸³ ½ÃŲ °ÍÀ¸·Î ÀÜ»ó Çö»óÀ» ¹æÁöÇÏ°í ´ÙÀ½ ÇÁ·¹ÀÓ±îÁö ½ÅÈ£ ÀüÇÏ°¡ ÃàÀüÁö¿¡ ÀÇÇÏ¿© À¯ÁöµÈ´Ù.
Accumulation MOSÀÇGate¿¡ °¡ÇØÁö´Â Bias¿¡ µû¶ó¼ silicon surface Gate¾Æ·¡¿¡ Majority Carrier(Áï, substrate ¿Ü °°Àº Carrier)¿Í Density °¡ Áõ°¡ÇÏ´Â °æ¿ì°¡ ÀÖ´Â µ¥ À̸¦ ÀÏÄÃÀ½.
Accuracy Á¤È®µµ, ÃøÁ¤°ªÀÌ ¾ó¸¶¸¸Å Âü°ª¿¡ °¡±î¿î °¡¸¦ ³ªÅ¸³»´Â ôµµ.
Active Element (´Éµ¿¼ÒÀÚ) ºñ¼±ÇüºÎºÐÀ» Àû±ØÀûÀ¸·Î ÀÌ¿ëÇÏ´Â ¼ÒÀÚ. Áø°ø°ü°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ ´ëÇ¥ÀûÀÌ´Ù.
ADART (Automatic Distribution Analysis in Real Time) ÀÚµ¿ºÐ¼® Program, ÆĶó¸ÞŸ °Ë»ç°á°úÀÇ ºÐÆ÷¸¦ ³ªÅ¸³»´Â °Í.
A/D Converter (Analog to Digital Converter) ¿¬¼Ó°è·®ÀûÀ¸·Î º¯ÈÇÏ´Â ½ÅÈ£¸¦ °è¼öÇü ½ÅÈ£ÀÎ "1"°ú "0"À¸·Î ¹Ù²Ù´Â ÀåÄ¡. ÈçÈ÷ ADC¶ó°íµµ ÇÑ´Ù.
Additive Process (¾ÖµðƼºêÍïÛö; ݾó·ÍïÛö) µ¿¹ÚÀ̳ª µ¿¹ÚÀÌ¿ÜÀÇ ºÎºÐÀÇ Ç¥¸é¿¡ ¼±ÅÃÀûÀ¸·Î Àüµµ¼º ¹°ÁúÀ» ºÎÂø½ÃÅ´À¸·Î¼ ȸ·Î¸¦ Çü¼ºÇÏ´Â °ø¹ý.
Address Pre-Decoder Row/Column Address DecodingÀÇ Æí¸®¸¦ À§ÇÏ¿© Address Buffer·ÎºÎÅÍÀÇ internal Address AN, / AN¸¦ ¹Þ¾Æµé¿© Decoding À» ÇÏ ´Â ȸ·ÎÀÌ´Ù.
Addressing Technology (¾îµå·¹½º ±â¼ú) ¾×Á¤ Ç¥½Ã ¼ÒÀÚ¿¡ ¿øÇϴ ǥ½Ã¸¦ ³ªÅ¸³»±â À§ÇÏ¿© Àü±ØÇü¼º°ú Àü±ØÀÌ Çü¼ºµÈ ¾×Á¤Ç¥½Ã¼ÒÀÚ¸¦ ±¸µ¿½ÃÅ°´Â ±â¼ú·Î LCD-Addressing ¹æ¹ýÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
Adhesion Á¢Âø·Â ƯÈ÷ WF¿¡ µµÆ÷µÈ °¨±¤¾×°ú WF±âÆÇ°£ÀÇ Á¢Âø·Â. (°¢ ¸·Áú°£ÀÇ Á¢Âø·Â)
ADI(After Development Inspection) »çÁø °øÁ¤Áß Çö»óÀÌ ³¡³ ÈÄÀÇ Çü¼ºµÈ °¨±¤¾×, PatternÀÇ Á¤È®¼º, CDµîÀ» °Ë»ç. Agitation(±³¹Ý) ½À½Ä ½Ä°¢½Ã ½Ä°¢À²À» ³ôÀÌ°¡³ª ½Ä°¢ ±ÕÀϵµ¸¦ ÁÁ°Ô ÇϱâÀ§ÇØ WF¸¦ ½Ä°¢¾×¿¡ ³ÖÀº »óÅ¿¡¼ Èçµé¾î ÁÖ´Â °Í
AGV (Automatic Guided Vehicle, ÀÚµ¿ ¹Ý¼Û½Ã½ºÅÛ) Intra-bay³»¿¡¼ cassette¸¦ ¹Ý¼ÛÇÏ´Â 6Ãà À̵¿ ·Îº¸Æ®ÀÌ´Ù. LCD°øÁ¤¿¡¼ ´Ù·®ÀÇ ±âÆÇÀ¯¸®¸¦ Á¦Á¶½Ã lotÀÇ Áß·® ¹× °áÁ¡¹ß»ýÀ» °í·ÁÇÏ¿© °øÁ¤´Ü°èº° ±âÆÇÀ¯Áö¸¦ À̵¿½Ãų ¶§ ÀÚµ¿À¸·Î ¿î¼Û½ÃÄÑ ÁÖ´Â ½Ã½ºÅÛ.
AH (Absolute Humidity) °ø±âÁßÀÇ Àý´ë½Àµµ¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
AHU (Air Handling Unit) °ø±â¸¦ ÀÏÁ¤¿Âµµ, ½Àµµ¸¦ Á¶ÀýÇÏ°í, °ø±âÁß Particle¸¦ Á¦°ÅÇÏ¿© ½Ç³»¿¡ ±× Á¤ÈµÈ °ø±â¸¦ °ø±ÞÇÏ´Â ±â°è.
Air Gun ¾ÐÃà°ø±â¸¦ ÀÌ¿ë, À̹°Áú ¶Ç´Â Â±âµîÀ» ºÒ¾î³»´Â ±â±¸.
Air Shower FAB Line ÃâÀԽà ¹æÁøº¹, ¹æÁøÈ¿¡ ºÎÂøµÈ ¸ÕÁö³ª ÀÌ ¹°ÁúÀ» Á¦°ÅÇϱâ À§ÇÑ ÀåÄ¡·Î¼ ¹ÐÆóµÈ box¿¡ ±ú²ýÇÏ°í °ÇÑ °ø±â¸¦ ºÒ¾î ¼ ¸ÕÁö¸¦ Á¦°ÅÇÔ.
Alignment »çÁø°øÁ¤Áß Àü ´Ü°è¿¡¼ WF¿¡ Çü¼ºµÈ ȸ·Î¿¡ »õ·Î Çü¼ºÇÒ maskÀÇ È¸·Î¸¦ Á¤¸³½ÃÅ°´Â ÀÛ¾÷. ÀÌ·¯ÇÑ ÀÛ¾÷À» Çϱâ À§ÇÑ Àåºñ¸¦ Ali gner(Á¤·Ä³ë±¤±â)¶ó°í ÇÑ´Ù.
Alignment Mark Áߺ¹µÇ´Â Align °øÁ¤¿¡¼ Á¤È®ÇÑ Align À» À§ÇÏ¿© Ç¥½ÃµÈ ±âÁØÁ¡À» ¸»ÇÑ´Ù.
Alloy Si¿Í AIÀÇ Á¢ÃËÀ» ÁÁ°Ô Çϱâ À§ÇÏ¿© ÇձݽÃÅ°´Â °ÍÀ» ¸»Çϸç È®»ê·Î¸¦ ÀÌ¿ëÇÔ.
ALPG (Algorithmic Pattern Generator) ¸Þ¸ð¸® Device½ÃÇè¿¡ »ç¿ëµÇ´Â DataÀÇ Àбâ, ¾²±â¸¦ ½ÃÇèÇϱâ À§ÇÑ instructionÀ» CodingÇÏ´Â ÀåÄ¡
Alpha-particle ¹æ»ç´É ¹°ÁúÀÇ ºØ±«½Ã ¹æÃâµÇ´Â ÀÌÁßÀ¸·Î ÀÌ¿ÂÈµÈ He¿øÀÚÇÙ()À¸·Î¼ ÀÚü¿¡ ÀÖ´Â U ¹× Th¿ø¼Ò·ÎºÎÅÍ trace contaminationµÇ¾î IC¿¡ Á¸ÀçÇÒ ¼ö Àִµ¥, sillicon°ú Àü±âÀûÀ¸·Î »óÈ£ ÀÛ¿ëÇÏ¿© ¿¡³ÊÁö¸¦ ÀÒÀ¸¸é¼ Áö³ª´Â °æ·Î¸¦ µû¶ó hole-electron pairs¸¦ »ý ¼ºÇÏ¸é¼ Soft error¸¦ ¹ß»ý½ÃŲ´Ù.
Al-Target WaferÇ¥¸é¿¡ Al(¾Ë·ç¹Ì´½)À» ÁõÂøÇϱâ À§ÇÑ Alµ¢¾î¸®.
Ambient È®»ê ¶Ç´Â ħÀû °øÁ¤À» ÁøÇàÇÒ ¶§ ÁÖÀ§ÀÇ Carrier GasÁ¾·ù¸¦ ¸»ÇÔ (N2, O2, H2µî)
AMLCD (Active Matrix Liquid Crystal Display) ȸéÀ» ¼ö¸¸¿¡¼ ¼ö½Ê¸¸°³·Î ºÐÇÒÇÏ¿© °¢ ȼҿ¡ ±¸µ¿¼ÒÀÚ¸¦ Á¦ÀÛÇÏ°í ½ºÀ§Äª Ư¼ºÀ» ÀÌ¿ëÇØ È¼ÒÀÇ µ¿ÀÛÀ» Á¦¾îÇÏ´Â ¹æ½ÄÀ» ¸» ÇÔ.
Amorphous ¾î¶² °íü°¡ ¹Ýº¹Àû ¿øÀÚ¹è¿ »óÅÂÀÎ °áÁ¤À» ÀÌ·çÁö ¾Ê°í ÀÖ´Â »óÅ Áï ºñÁ¤Áú »óŸ¦ ¸»Çϸç SiliconÀÇ °æ¿ì Á¦ÇÑµÈ »ý¼ºÁ¶°Ç À» ¸¸µé¾î ÁÖ¸ç ºñÁ¤Áú »óÅ°¡ µÉ ¼ö ÀÖ´Ù.
Amplification (¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿©) ¹Ì¾àÇÑ ½ÅÈ£¸¦ ¿øÇÏ´Â ¼öÁØÀÇ ½ÅÈ£·Î ÁõÆø½ÃÅ°´Â Àü±âÀûÀÎ ÀÛ¿ëÀ» ¸»ÇÔ.
Analog ¿¬¼ÓÀûÀÎ ¼ýÀÚ³ª °ªÀ» ³ªÅ¸³»´Â °Í.
Analog IC µðÁöÅÐ IC¿¡ ¹Ý´ëµÇ´Â ¸»·Î¼ ¾Æ³¯·Î±× ½ÅÈ£¸¦ Ãë±ÞÇÏ´Â ÁýÀûȸ·Î¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Analog Memory ¾Æ³¯·Î±×·®À» ±â¾ïÇÏ´Â ¸Þ¸ð¸®
Analysis of Variance (ANOVA) ºÐ»êºÐ¼® ÃßÁ¤ÇÑ ºÐ»ê¼ººÐÀ̳ª ¸ðÇüÀÇ º¯¼ö¿¡ ´ëÇÑ °¡¼³À» Áõ¸íÇÒ ¸ñÀûÀ¸·Î ÃѺ¯µ¿·®À» Ưº°ÇÑ º¯µ¿¿äÀΰú °ü·ÃµÈ ÀǹÌÀÖ´Â ¼º ºÐÀ¸·Î ºÐÇØÇÏ´Â ±â¹ýÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Analyzer ÀüÀÚ¼®À» ÀÌ¿ëÇؼ Wafer³»¿¡ ÁÖÀÔ½ÃÅ°°íÀÚ ÇÏ´Â ÀÌ¿ÂÀ» ºÐ¼®ÇÏ´Â Àåºñ.
Anelva ±Ý¼Ó(Al, Cu, Tiµî)À» ÁõÂø, »êȸ·µîÀ» ½Ä°¢ÇÏ´Â Àåºñ¸¦ Á¦Á¶ÇÏ´Â ÀϺ»ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Àåºñ¾÷ü.
Angstrom () ÆÄÀåÀ» Àç´Â ´ÜÀ§ 1 =1¥ª10-8 cmÀÇ ±æÀÌ H+ = 0.0592¥ª10-8
Anicon LTO(Low Temperature Oxide) deposition Àåºñ À̸§
Anisotropic Etching À̹漺 ½Ä°¢, ½Ä°¢¹ÝÀÀÀÌ ÇÑÂʹæÇâ(¼öÁ÷)À¸·Î¸¸ ÁøÇàµÇ´Â ½Ä°¢ÇüÅ ¡ÁIsotropic Etching (µî¹æ¼º ½Ä°¢)
Annealing ¿Ã³¸®¸¦ ÀǹÌÇϸç, ÁÖ·Î Si°ú ¹ÝÀÀÄ¡ ¾ÊÀº N2³ª Ar gas ºÐÀ§±âÇÏ¿¡¼ ÀÌ·ç¾îÁö¸ç OxideÀÇ quality ³ª bulk silicon ÀÇ defect °¨¼Ò¹× ÀÌ¿Â ÁÖÀÔÈÄ damage °°Àº °ÍÀ» cureÇÏ´Â µ¥ ÀÌ¿ëµÊ.
Annular Ring (µÕ±Ù °í¸®) Ȧ ÁÖº¯¿¡ Àüµµ¼º ¹°ÁúÀÌ ¿ÏÀüÇÏ°Ô µÑ·¯½×°í ÀÖ´Â ºÎºÐ.
Anode À½ÀÌ¿ÂÀÌ ²ø·Á¿À´Â Àü±Ø. Áï ¾ç±Ø.
ANSI (American National Standard Institute) ¹Ì±¹ °ø¾÷Ç¥ÁØÇùȸ.
Antimony Wafer Á¦Á¶°øÁ¤¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ºÒ¼ø¹°·Î¼, NÇü ºÒ¼ø¹°¿¡ ÇØ´çÇÏ¸ç ±âÈ£´Â SbÀÌ´Ù.
Anti Reflect Polycide ±¸Á¶¿¡¼ siliconÀÇ ±¼ÀýÀ²ÀÌ 11.0ÀÌ»óÀ¸·Î photo°øÁ¤¿¡¼ patternÇü¼º¿¡ ¹®Á¦°¡ ¹ß»ýÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. µû¶ó¼ ±¼ÀýÀ²ÀÌ ³· Àº SiO2³ª TiNµîÀ» silicideÃþÀ§¿¡ Çü¼º½ÃÄÑ pattern Çü¼ºÀÇ ¿ëÀÌÇÔÀ» ²ÒÇÏ´Â TiN¸¦ ARC¶ó ÇÑ´Ù.
Antistatic Á¤Àü±â ¹æÁö
AOQ (Average Outgoing Quality) °è¼ö ¼±º°Çü °Ë»ç¿¡¼ ´Ù¼öÀÇ lot°¡ ¼±º°µÈ °Ë»ç¸¦ ¹Þ¾Æ¾µ ¶§ °Ë»ç¸¦ Åë°úÇÑ ´Ù¼öÀÇ lotÀÇ Æò±ÕÇ°ÁúÀ» º¸ÁõÇÔÀ» ¸»ÇÑ´Ù. Æò±Õ Ç°Áúº¸Áõ(AOQ)= LOTºÒ·®À²<P> ¥ªLOTÇÕ°ÝÀ¸·Î µÉ ºñÀ² <L(p)>>
AOQL (Average Outgoing Quality) Æò±ÕÃâ°Ë Ç°ÁúÇÑ°è : AOQ°î¼±ÀÇ ÃÖ´ëÄ¡
Application Test ½ÇÀå(ãùíû)Å×½ºÆ®¶ó°íµµ ºÒ¸®¿ì¸ç, ¹ÝµµÃ¼ ½ÅÁ¦Ç°ÀÇ »ý»ê½Ã ½ÇÁ¦ÀûÀ¸·Î ÇØ´çÁ¦Ç°ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â ½Ã½ºÅÛ¿¡ ÀåÂøÈÄ °í°´ÀÌ Å×½ºÆ®ÇÏ ´Â Á¶°Ç°ú µ¿ÀÏÇÏ°Ô ½Ç½ÃÇÏ´Â Å×½ºÆ®¸¦ ÀÏÄÂÀ½.
APCVD Atmospheric Dressure CVD(Chemical Vapor Deposit-ion). ÈÇÐÀû ±â»óµµ±Ý ¶Ç´Â ÈÇÐÁõÂøÀ̶ó°í ÇÏ´Â °í¼øµµ °íÇ°ÁúÀÇ ¹Ú¸·À» Çü¼ºÇÏ´Â ±â¼ú·Î Àú¿Â¿¡¼ ±âÈÇÑ Èֹ߼ºÀÇ ±Ý¼Ó¿°(Vapor)°ú °í¿Â¿¡ °¡¿µÈ µµ±ÝÇÒ°íü¿ÍÀÇ Á¢ÃËÀ¸·Î °í¿ÂºÐÇØ, °í¿Â ¹ÝÀÀÇÏ°í ¿©±â¿¡ ±¤¿¡³ÊÁö¸¦ Á¶»ç½ÃÄÑ Àú¿Â¿¡¼ ¹°Ã¼Ç¥¸é¿¡ ±Ý¼Ó ¶Ç´Â ±Ý¼ÓÈÇÕ¹°ÃþÀ» ¼®Ãâ½ÃÅ°´Â ¹æ¹ýÀ¸·Î ÈÇÐ GasµéÀÇ ÈÇÐÀû ¹ÝÀÀ ¹æ ¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© ¸·À» ÁõÂø½ÃÅ°´Âµ¥ À̶§ Chamber»óÅ°¡ ´ë±â¾Ð Á¶°Ç¿¡¼ ÀÌ·ç¾îÁö´Â ÁõÂø.
APD (Avlanche Photo Diode) ½Ç¸®ÄÜÀÇ PNÁ¢ÇÕ¿¡ ºê·¹ÀÌÅ© ´Ù¿î Á¢¾È¿¡ °¡±î¿î °íÀü¾ÐÀ» °¡ÇÏ¿© ÀüÀÚ»çÅ ȿ°ú¿¡ ÀÇÇÑ Àü·ùÁõ¹èÀÇ ÀÛ¿ëÀ» °®°Ô ÇÑ Photo Diod e´Ù.
AQL (Acceptable Quality Level) °è¼ö Á¶Á¤Çü Sampling °Ë»ç·Î ÇÕ°ÝÀ¸·Î ÇÒ ÃÖÀúÇÑÀÇ lotÀÇ Ç°ÁúÀ» ¸»Çϸç, ÀÌ ¼öÁغ¸´Ù ÁÁÀº Ç°ÁúÀÇ lot¸¦ Á¦ÃâÇÏ´Â ÇÑ °ÅÀÇ ´Ù ÇհݽÃÅ°´Â °ÍÀ» ÆǸÅÀÚ Ãø¿¡¼ º¸ÁõÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù.
Ar Argon ÀÇ ¿ø¼Ò±âÈ£ ¹× ±× Gas
Arc Chamber lonÀ» »ý¼º½ÃÅ°´Â »ç°¢ÇüÀ¸·Î µÈ »óÀÚ.
Arc Current Plasma»óÅ¿¡¼ BeanÀü·ù¸¦ »ý¼º½ÃÅ°±â À§ÇÏ¿© Çʶó¸àÆ®¿Í Arc Chamber¾ç´Ü¿¡ °¡ÇØÁÖ´Â Àü·ù
ARL (Acceptable Reliability Level) Çã¿ë ½Å·Ú¼º¼öÁØ ¶Ç´Â ÇÕ°Ý ½Å·Ú¼º ¼öÁØ.
Array ±â´É»óÀ¸·Î °¢°¢ µ¶¸³µÈ ¿©·¯ °³ÀÇ È¸·Î ¶Ç´Â µð¹ÙÀ̽º¸¦ ÇÑ ÀåÀÇ ±âÆÇÀ§¿¡ ±ÔÄ¢ÀûÀ¸·Î ¹è¿ÇÏ¿© »óÈ£ ¹è¼±ÇÑ ÁýÀûȸ·Î±º ¶Ç´Â Device±ºÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Array Logic FILP-FLOP, NAND, NOR, DiodeµîÀÇ Logic CircuitÀ» Array ¸ð¾çÀ¸·Î ¹è¿ÇÑ °ÍÀ¸·Î ¹Ýº¹±¸Á¶¿¡ ÀÇÇؼ ¼Ò¸ÁÀÇ ³í¸®(ÇÔ¼ö)¸¦ ½ÇÇö ÇÏ´Â Device´Ù.
Artwork Master ÀÛ¾÷¿ë ê¹FilmÀ» Á¦ÀÛÇÏ´Â µ¥ ¾²ÀÌ¸ç ¹èÀ²ÀÌ Á¤È®ÇÏ°Ô 1:1ÀΠȸ·ÎÀÇ ÇüÅÂ
As ºñ¼ÒÀÇ ¿ø¼Ò±âÈ£(Arsenic)
Ashing °Ç½Ä/½À½Ä½Ä°¢À̳ª ÀÌ¿ÂÁÖÀԵ ÀÇÇØ ±»¾îÁø °¨±¤¾×ÀÇ °Ç½Ä Á¦°Å(Dry Strip)¶Ç´Â ½À½Ä Á¦°ÅÀÛ¾÷.
ASIC (Application Specific IC) ƯÁ¤¿ëµµ ÁýÀûȸ·Î (÷åïÒéÄÔ² ó¢îÝüÞÖØ), ÀüÀÚÁ¦Ç°ÀÇ °æ¹Ú´Ü¼Ò(ÌîÚÝÓá³)Ãß¼¼¿¡ µû¶ó ¹ý¿ë¼ºÀÌ ³ôÀº Ç¥ÁØIC¿Í´Â ´Þ¸® °í°´À̳ª »ç¿ëÀÚ°¡ ¿ä±¸Çϴ ƯÁ¤ÇÑ ±â´ÉÀ» °®µµ·Ï ¼³°è, Á¦ÀÛµÈ IC¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
ASIC Memory ƯÁ¤¿ëµµ¿¡ ÀûÇÕÇÑ »ç¾çÀ» °¡Áø Memory. Computer ºÐ¾ß¿¡´Â Multi-port Video RAM(VRAM), data cache memory , dark memoryµîÀÇ Á¦Ç°ÀÌ ÀÖ´Ù. ¹Î»ýºÐ¾ß¿¡´Â Frame memory ³ª Line memory µîÀÇ Á¦Ç°ÀÌ ÀÖ´Ù. ±âŸ·Î´Â Dual-port memory ³ª FIFO(First In First Out)µîÀÇ Á¦Ç°µµ ÀÖ´Ù.
ASIC micon User°¡ ¿ä¸ÁÇϴ ȸ·Î¸¦ 1chipÈ ½ÃŲ micon. microprocessor³ª microcontrollerÀÇ CPUȸ·Î(CPU core¶ó ºÎ¸§), CPUÁÖº¯È¸·Î, ROM, RAM, Random Logicȸ·Î µîÀ» Á¶ÇÕ½ÃŲ User ¿ä¸Á system ȸ·Î¸¦ 1 chip È ½ÃŲ °ÍÀÌ´Ù. User¿¡ µû¶ó¼´Â »óÇ°ÀÇ Â÷º°È°¡ °¡´ÉÇÏ°í ¼ÒÇüÈ, ºÎÇ°°¹¼öÀÇ Àý°¨, ¼ÒºñÀü·ÂÀÇ °¨¼Ò, ½Å·Ú¼ºÀÇ Çâ»ó µîÀ» µµ¸ðÇÏ°í ÀÖ´Ù.
Aspect Ratio Step Coverage³ª Æòźȵ ¿¬°üµÈ ¿ë¾î·Î¼ ÀÌ¹Ì ÔµÑÑµÈ È¦ÀÇ Á÷°æ¿¡ ´ëÇÑ È¦ÀÇ ±æÀÌ¿ÍÀÇ ÝïëÒ.
Assembly ½ÇÀåÇ° ºÎÇ°µéÀ̳ª º¸Á¶ ½ÇÀåÇ°µéÀÌ Á¶ÇÕÀ» ÀÌ·ç¾î °áÇյǾî ÀÖ´Â °Í.
ASRP (Autoexec Spreading Resistance Probe) Silicon WaferÀÇ ÁöÁ¡º° ºÒ¼ø¹° ³óµµ ºÐÆ÷¸¦ ¿¬¼ÓÀûÀ¸·Î ÃøÁ¤ÇÏ´Â ¼³ºñ.
Assignable Cause º¯µ¿ÀÇ ºÐÆ÷¸¦ ±¸¼ºÇÏ´Â ¿ä¼Òµé Áß ¿øÀÎÀ» ±Ô¸íÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °Í.
ASSP (Application Specific Standard Product) ƯÁ¤¿ëµµ¿ëÀÇ Àü¿ëÇ¥ÁØÇ° IC. ¹ÝµµÃ¼¾÷ü°¡ °¢ ÀÀ¿ëÁ¦Ç°¿¡ ƯȽÃÄÑ °³¹ßÇÏ¿© ´Ù¼öÀÇ user¸¦ ´ë»óÀ¸·Î ÆǸÅÇÏ´Â IC·Î½á, Åë½Å ¿ë, ÀüŹ¿ë IC³ª º¹»ç±â, Printerµî °¢Á¾ ÀüÀÚ±â±âÀÇ controller°¡ Æ÷ÇԵȴÙ.
ATE (Automatic Test Equipment) ÀüÀÚ ¼ÒÀÚµéÀ» ¼ÒÇÁÆ®¿þ¾î¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© TestÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Àåºñ¸¦ ¹ÐÇÔ.
Au-Bond (gold ball Bond) ±Ý¼±À» »ç¿ëÇÑ Bonding ¹æ¹ý
Auto-Doping ºÒ¼ø¹°ÀÌ ³ô°Ô ÁÖÀԵǾî ÀÖ´Â »óÅ¿¡¼ ´Ù¸¥ °øÁ¤À» ÁøÇàÇÒ ¶§ ÁøÇà°øÁ¤ÀÇ ¸ñÀû°ú ÇÔ²² ¶Ç´Â º°°³·Î ºÒ¼ø¹°ÀÌ ´Ù¸¥ Áö¿ªÀ¸·Î È® »êµÇ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Auto Loader ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶(FAB, TEST, ASS'Y) ¾î¶² °øÁ¤¿¡¼µç °øÁ¤ÀÌ ÁøÇàµÉ ¶§ ½ÃÀ۵Ǵ °ÍÀÌ ÀÚµ¿ÀûÀ¸·Î ÁøÇàµÇ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Automatic Loading System Carrier¿¡ ´ã±ä Wafer¸¦ ÇÑ °³¾¿ ÁÖÀÔÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °÷±îÁö ¿î¹ÝµÇ´Â ÀåÄ¡.
Auto Transfer Wafer¸¦ Boat¿¡¼ ±â°è·Î Loading ¶Ç´Â Unloading ÇÏ´Â ±â±¸·Î¼ Á¦Á¶°øÁ¤¿¡¼ »ç¿ëÇÑ´Ù.
Auto Transport System (ÀÚµ¿¹Ý¼Û ½Ã½ºÅÛ) ÀÚµ¿È °øÀå¿¡¼ ¹°·®¹Ý¼ÛÀ» computer system ÀÇ Á¦¾îÇÏ¿¡ ÀÚµ¿À¸·Î ¸ñÀûÁö ±îÁö ÇàÇÏ´Â ÃÑ°ýÀûÀÎ System.
Av Voltage Gain, Àü¾Ð ÁõÆøµµ
AV TFT-LCD(AUDIO-VIDEO, TFT-LCD) ¿Àµð¿À, ºñµð¿À¿ë µð½ºÇ÷¹ÀÌ¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ÆdzڷΠ°íÈÁúÀÇ TFT-LCDÄ®¶óÈ°¡ ¿ä±¸µÇ¸ç 1.1 inch ÀÌÇÏÀÇ È¼Ò¼ö 12¸¸ Á¤µµÀÇ Ä·ÄÚ ´õ¿ë µð½ºÇ÷¹ÀÌ ÆdzÚÀÌ ´ëÇ¥ÀûÀÌ´Ù.
Avalanche breakdown Pin Diode¿¡ ¿ªÀü¾Ð(reverse bias)¸¦ Å©°Ô °¡ÇØ ÁÖ¸é breakdownÀÌ µÇ¸é¼ ±Þ°ÝÇÑ Å« Àü·ù°¡ È帣°Ô µÇ´Â °ÍÀ¸·Î Zener breakdow n mechanism°ú ´Þ¸® Àú³óµµ·Î doping µÈ Junction¿¡¼ transition regionÀÇ °ÇÑ Field¿¡ ÀÇÇØ electronÀÌ °áÁ¤°ÝÂ÷¿Í Ãæµ¹ÇÏ¿© electron-hole pairs¸¦ »ý¼ºÇÏ´Â impact ionization mechanismÀ» ¹Ýº¹ÇÏ¸é¼ carrier¼ö°¡ ±Þ°ÝÈ÷ Áõ°¡µÇ¾î Breakdown¿¡ À̸£´Â Çö»óÀ» ¸»ÇÔ.
Avalanche Injection Diode °íÀúÇ× °Ô¸£¸¶´½ Æç·¿ÀÇ ÇÑÂÊ ¸éÀ» Àε㳳À¸·Î ÇÕ±ÝÇÏ¿© P+¿µ¿ªÀ» ¸¸µé°í ´Ù¸¥ÂÊ ¸é¿¡ ±Ý ¾ÈƼ¸ó ¼±À» º»µåÇÏ¿© N+¿µ¿ªÀ» Çü¼º ÇÑ ±¸Á¶ÀÇ Diode´Ù
Avalanche Transistor ÀüÀÚ»çÅ TRÀ̶ó°íµµ Çϸç TR¿¡ ³·Àº Àü¾ÐÀ» °¡ÇßÀ» ¶§¿¡µµ OFF»óÅÂÀÌ¸ç ³ôÀº Àü¾ÐÀ» °¡ÇßÀ» ¶§¿¡´Â Avalanche BreakdownÀ» ÀÏ À¸ÄÑ ÃæºÐÈ÷ ³·Àº ÀúÇ×ÀÇ ON»óÅ·ΠµÇ´Â ½ºÀ§Äª¿ëÀÇ ºÎ¼º ÀúÇ×¼ÒÀÚÀÌ´Ù.
Average Outgoing Quality Level (AOQL) Æò±ÕÃâ°ËÇ°ÁúÇÑ°è. ÁÖ¾îÁø sampling°Ë»ç¿¡ ÀÖ¾î¼, ÀÔ°í°Ë»çÇ°Áú¿¡ ´ëÇØ Çã¿ë°¡´ÉÇÑ ÃÖ´ë Æò±ÕÃâÇÏÇ°Áú(AOQ)¼öÁØÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
A.W.W (Acid Waste Water) »êÆó¼ö·Î¼ ¾àÇ°Áß »êÀ» »ç¿ëÇÏ´Â Àåºñ¿¡¼ ¹èÃâµÇ´Â Æó¼ö¸¦ ¸»ÇÔ.
Axial Fan ¹æ½Ä ´ëÇü Ãà·ù FanÀ» »ç¿ëÇÏ¿© Clean Room¿¡ °ø±â¸¦ °ø±Þ, ¼øȯ½ÃÅ°´Â ¹æ½Ä. |