B
Backward Current PNÁ¢ÇÕ¿¡ ¿ª¹æÇâ Àü¾ÐÀ» °É¾úÀ» ¶§ È帣´Â Àü·ù¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.(Reverse Current¶ó°íµµ ÇÑ´Ù)
Back Flow Effect (¹è·ù È¿°ú) ³×¸¶Æ½»ó¿¡ ´ëÇÑ ¹èÇ⺤ÅÍ°¡ ½Ã°£ÀûÀ¸·Î º¯µ¿ÇÒ ¶§ ¾×Á¤ºÐÀÚÀÇ È帧À» À¯±âÇÏ´Â Çö»óÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Back Grind (µÞ¸é ¿¬¸¶) WaferµÞ¸éÀÇ ºÒÇÊ¿äÇÑ µÎ²²¸¦ °¥¾Æ³»´Â °ÍÀ» ¸»Çϸç, ÀÌ´Â Fab. °øÁ¤ÀÌ ¿Ï·áµÈ ÈÄ ÇàÇØÁö´Â °øÁ¤ÀÓ
Back Plane ÇÑÂÊ ¸é¿¡¼´Â ¼Ö´õ¸µÀ» ÇÏÁö¾Ê°í Á¢¼Ó½ÃÅ°´Â Å͹̳¯ÀÌ ÀÖ°í ´Ù¸¥ ¸é¿¡´Â ÀÏÁ¤ºÎºÐ °£À» Àü±âÀûÀ¸·Î ¿¬°á½ÃÅ°´Â ¿¬°á¼ÒÄÏÀÌ ÀÖ ´Â ±â°ü.
Back Panel Fab. Line¿¡¼ Bay°£ ¶Ç´Â Room°£ Â÷´Üº®À¸·Î ÁÖ·Î ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â °ÍÀ¸·Î PVC Back PanelÀÌ ÀÖ´Ù. ÀÌ´Â °øÁ¶ÀÇ È帧À» À¯µµ½ÃÅ° °Å³ª, ParticleÀÇ À¯ÀÔÀ» ¸·¾Æ Roomº° ûÁ¤µµ À¯Áö¸¦ ¸ñÀûÀ¸·Îµµ »ç¿ëµÈ´Ù.
Back Seal Oxide µÞ¸é ½Ç¸µ »êȸ·, Wafer³»¿¡ Æ÷ÇԵǾî ÀÖ´Â °í³óµµ ºÒ¼ø¹°¿¡ ÀÇÇÑ OutdopingÀ» °¨¼Ò½ÃÅ°·Á´Â ¸ñÀûÀ¸·Î WaferµÞ¸é¿¡ ¼ºÀå½ÃÄÑ ÁÖ´Â »êȸ·.
Back Side Grind µÞ¸é¿¬¸¶. WaferÀÇ µÞ¸éÀ» ´ÙÀ̾Ƹóµå ÈÙ·Î ¿¬¸¶½ÃÅ°´Â ÀÛ¾÷À¸·Î¼ Á¶¸³°øÁ¤À¸·Î ÀÏÁ¤ÇÑ µÎ²²ÀÇWafer¸¦ º¸³»±â À§ÇÑ ¸ñÀû°ú Get tering¸ñÀûÀ» µ¿½Ã¿¡ ¼öÇàÇÔ.
Back Seal Marking DeviceÀÇ Marking½Ã lotÀÇ Fab. Site lot#µîÀ» ±â·ÏÇϱâ À§ÇØ Device¹Ø¸é¿¡ Ç¥½ÃÇÏ´Â Marking.
Back-Annotation ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è½Ã layoutÀÛ¾÷±îÁö ¸¶Ä£ ÈÄ layout¿¡¼ ¹ß»ýµÈ ±â»ý ¼ÒÀÚµé(ijÇǽÃÅÍ ¹× ÀúÇ×)ÀÇ ½ÇÁ¦°ªÀ» ÃßÃâÇÏ¿© ÀÌ °ªµéÀ» Æ÷ÇÔ ÇÏ¿© simulationÇÏ´Â ÀÛ¾÷À» ¸»ÇÑ´Ù.
Back-Up System ÀúÀåÅÊÅ©¿¡ ÀúÀåµÈ ¾×ü»óÅÂÀÇ Áú¼Ò, »ê¼ÒµîÀÌ ±âȱ⸦ °ÅÃÄ ±âÈÇÑ ÈÄ Gas»óÅ·Π°ø±ÞµÉ ¼ö ÀÖµµ·Ï °®Ãß¾îÁø ¼³ºñ.
Baffle È®»êGasÀÇ È帧À» controlÇØ ÁÖ´Â Ä¡°ø±¸.
Bake Wafer¸¦ ¿À» ÀÌ¿ëÇÏ¿© ±Á´Â °ÍÀ¸·Î Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake°¡ ÀÖ´Ù. 1) Pre-bake : Wafer¿¡ Resist¸¦ µµÆ÷Çϱâ Àü¿¡ WaferÇ¥¸éÀÇ ½À±â¸¦ Á¦°ÅÇÏ¿©150¡¾10¡ÉÀÇ Oven¿¡¼ Wafer¸¦ ±Á´Â °Í 2) Hard-bake : EtchÀü WaferÇ¥¸éÀÇ Resist¸¦ ±Á´Â°Í 3) Soft-bake : Àû¿Ü¼±À» ÀÌ¿ëÇÏ¿© Photo-Resist¸¦ ±»Çô ÁÖ´Â °Í
Base Array ASIC ProcessÁßÀÇ ÀϺÎÀ̸ç ÀÌ´Â ¹Ì¸® ȸ·ÎÀÇ ±âº»ÀÌ µÇ´Â Gate ȸ·Î (2 Input Nand gate or 2 Input Nor gate)¸¦ userable gat e º°·Î array»ó¿¡ ¹è¿ÇÑ LSI¸¦ ¸¸µé¾î ÁÖ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Base Line Spec ¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚ Á¦À۽à µ¿ÀÏÇÑ Æ¯¼ºÀ» ¾ò±â À§ÇØ ±× ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º¿¡ ¸Â°Ô process flow¸¦ ¼³Á¤ÇÏ°í Á¦¾îÇϱâ À§ÇÑ Áöħ¼.
Base Line °øÁ¤ ¿¬±¸¼Ò °øÁ¤ °³¹ß½Ç¿¡¼ °øÁ¤°³¹ßÀÌ ¿Ï·áµÇ¾î FAB¿î¿µ½Ç·Î ÀÌ°üµÈ °øÁ¤
Base Material (±âÃÊÁ¦) Ç¥¸é¿¡ ȸ·Î¸¦ Çü¼º½Ãų ¼ö ÀÖ´Â ºñÀüµµ¼º ¹°Áú
Basic Dimension (±âº»À§Ä¡) ¾î¶² ȦÀ̳ª ºÎÇ°ÀÇ À§Ä¡¸¦ ÀÌ·ÐÀûÀ¸·Î Á¤È®ÇÏ°Ô Ç¥ÇöÇÑ ¼öÄ¡.
Batonnet µî¹æ¼º ¾×Á¤»ó¿¡¼ ¿Âµµ¸¦ ¶³¾î¶ß·Á ½º¸Þƽ ºÀ»óÀÇ À̹漺 ¾×Á¤À» ¼®Ãâ½ÃÅ°´Â °ÍÀÌ´Ù.
B/B Ratio (Book to Bill Ratio) ¼öÁÖ ´ë ÃâÇϺñÀ² ÃÖ±Ù 3°³¿ù Æò±Õ ¼öÁÖ¾×À» 3°³¿ù Æò±Õ ÃâÇϾ×À¸·Î ³ª´« °ª ÀϹÝÀûÀ¸·Î WSTS(¼¼°è¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÅë°è)ÀÇ Åë°è Da ta¸¦ ±âº»À¸·Î ÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ö±Þ»óÈ°À» ³ªÅ¸³»´Â ÁöÇ¥¸¦ °¡¸®Å²´Ù. ƯÈ÷, ¹Ì±¹½ÃÀå B/B Ratio¼Óº¸Ä¡´Â ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀ嵿ÇâÀÇ ¼±ÇàÁöÇ¥ ·Î½á »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
BC (Buried Contact) POLY1À» N+ Active¿¡ ¿¬°áÇÏ´Â contactÀ¸·Î POC 13 dopingÀ» ÀÌ¿ëÇÑ´Ù.
BCD Technology Bipolar, CMOS, DMOS Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ µ¿ÀÏ Ä¨»ó¿¡¼ ±¸ÇöÇÏ´Â ±â¼ú·Î¼, ÁÖ·Î BipolarÆ®·£Áö½ºÅÍ´Â °í¼Ó³í¸® ȸ·Î ¹× ¾Æ³¯·Î±×ȸ ·Î, CMOS´Â digital logic¹× DMOSÀÇ Ãâ·Â±¸µ¿¿¡ »ç¿ëµÈ´Ù. (BCD ±â¼úÀº ¼³°èÀÇ À¶Å뼺À» Áõ°¡½ÃÅ°°í ¿©·¯ °³ÀÇ ºÐ¸®µÈ ĨÀ» ÇÑ °³ÀÇ Ä¨À¸·Î ±¸ÇöÇÔÀ¸·Î½á systemÀÇ reliability¸¦ Áõ°¡½Ãų ¼ö ÀÖÀ¸³ª °øÁ¤´Ü°¡°¡ ³ôÀº ´ÜÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù.)
BCG Approach (Boston Consulting Group Approach) º¸½ºÅæ ÀÚ¹®´Ü¹ý, Àü·«»ê¾÷´ÜÀ§(SBU)¸¦ ¼ºÀåÀ²°ú Á¡À¯À²ÀÇ 2°¡Áö ±âÁØ¿¡ µû¶ó Æò°¡,°ËÅäÇÏ¿© ¼ºÀå.Á¡À¯ ¸ÞÆ®¸¯½º¿¡ ºÐ·ùÇÏ¿© Ç¥ ½ÃÇÏ´Â ¹æ¹ý.
BCR (Bar Cod Reader) Bar Code¸¦ Àо´Â ÀåÄ¡.
Bean Line Source¿¡¼ »ý¼ºµÈ lon BeamÀÌ Åë°úÅë·Î.
Beam Mask Ãʱ⿡ »ý¼ºµÈ »ç°¢ÇüÀÇ BeamÀÇ ÇüŸ¦ ¿øÇüÀ¸·Î Çü¼º½ÃÄÑ, Wafer¿¡ ÁÖ»çµÇ°Ô Â÷Æó ¿ªÇÒÀ» Çϴ ź¼Ò°ü.
Beam Spectrum ºÐÀÚ È¥ÇÕ¹°ÀÇ »óÅ¿¡¼ ÀüÀÚ¿Í Ãæµ¹½ÃÄÑ ¾ç ÀÌ¿ÂÀ» »ý¼º, ¸¶±×³×ƽ Àü·ùÀÇ Áõ°¨¿¡ µû¶ó °¢°¢ ´Ù¸¥ ÀÌ¿ÂÀÌ ºÐ¼®µÇ¾î Á°¨Ãà¿¡ ³ªÅ¸³½ »óÅÂ.
Behavioral Description SystemÀÇ ±â¼ú¹æ¹ýÀ¸·Î input°ú output»çÀÌÀÇ °ü°è¸¦ computer language¿Í °°ÀÌ ¼¼úÇÏ´Â ¹æ¹ýÀÌ´Ù. ¼¼ú¾ð¾î´Â VHDL(very high speed hardware descri-ption language), HDLµîÀÌ ÀÖ´Ù.
Bench Test ƯÁ¤ÇÑ ¸ð¾çÀ¸·Î ¸¸µé¾î ³õÀº Test PatternÀ̳ª ½ÇÁ¦ Die¸¦ DC ÃøÁ¤¿ë °èÃø±â¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ProbingÀ» ÇÏ¸é¼ ¿©·¯ °¡Áö Electric al Paramet-er¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ´Â ÀÏ
Bent Lead (°æ»ç¸®µå) ¾à 45µµ·Î ÈÖ¾îÁ® ÀÖ´Â ¸®µå.
Bias Ä¡¿ìħ. ÃøÁ¤Ä¡³ª °Ë»ç°á°úÀÇ Æò±Õ°ú Âü°ª(ºñ±³Ä¡)»çÀÌÀÇ Â÷À̸¦ ³ªÅ¸³»´Â System error.
Bias TR¿¡¼ ¹Ì¸® ¼ø¹æÇâÀÇ Á÷·ùÀü¾ÐÀ» °¡ÇØÁÖ¾î ½ÅÈ£ÀÔ·ÂÀÌ 0ÀÎ »óÅ¿¡¼µµ ¾î´À Á¤µµÀÇ Àü·ù°¡ È帣°Ô ÇÏ¿© ¹«½ÅÈ£½ÃÀÇ µ¿ÀÛÁ¡À» ¹Ì¸® ¾î¶² À§Ä¡·Î ¿Å°Ü¿Í Á÷·ù¿Í °ãħÀ¸·Î½á 0ÀÇ »óÅ·κÎÅÍ ¹þ¾î³ª°Ô Çϴ°ÍÀ» Bias¶ó°í ÇÑ´Ù.
Bidirectional Buffer ¿ÜºÎ signal¿¡ ´ëÇÑ voltage levelÀ» ¼ÒÀÚ ³»ºÎ¿¡ ¸Â°Ô ¹Þ¾ÆµéÀÏ ¼ö ÀÖ°í, sense AMP¿¡¼ ÁõÆøµÈ data¸¦ ext-ernal load¸¦ driv eÇϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÉ ¼öµµ ÀÖ´Â Buffer.
Bipolar ÀüÀÚ(electron)¿Í Á¤°ø(hole) µÎ Á¾·ùÀÇ Àü±â ¸Å°³Ã¼°¡ µ¿¿øµÇ¾î µ¿À۵Ǵ ÇüÅ (¶Ç´Â ÀÌ°Í¿¡ ÀÇÇØ µ¿À۵Ǵ Transistor¸¦ ¸»ÇÔ )
Bipolar TR ÀüÀÚ¿Í Á¤°øÀÌ °øÁ¸ÇÏ´Â TR·Î½á NPN Type¿Í PNP TypeÀÇ 2Á¾·ù°¡ ÀÖ´Ù. Emitter, Base, CollectorÀÇ 3Àü±ØÀÌ ÀÖÀ¸¸ç, BaseÀü±Ø¿¡ È帣´Â Àü·ù¿¡ ÀÇÇØ Emitter¿Í Collector°£ÀÇ Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÑ´Ù. Transistor´ÜÇ°À¸·Î »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó Bipolar IC·Î½áµµ Æø ³Ð°Ô »ç ¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. BI-MOS ¹ÙÀÌÆú¶ó¿Í MOS¸¦ Á¶ÇÕÇÏ¿© ÇϳªÀÇ ChipÀ§¿¡ ¸¸µç ȸ·ÎÀÌ´Ù.
BiCMOS (Bipolar-CMOS) Bipolar Transistor¿Í CMOS Transistor¸¦ Á¶ÇÕ½ÃÄÑ µ¿ÀÏ Chip»ó¿¡ µ¿ÀÛ½ÃŲ IC. Bipolar TransistorÀÇ °í¼Ó¼º, °íÀü·ù ±¸µ¿´É·Â°ú CMOSÀÇ Àú¼ÒºñÀü·Â ¿ì¼ö¼ºÀ» µ¿½Ã¿¡ ¸¸Á·½ÃÅ°´Â °ÍÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.
Binary Number System (2Áø¹ý) ÇÑÀÚ¸®¸¦ 0°ú 1ÀÇ µÎ¼ö¸¸À¸·Î ³ªÅ¸³»´Â ¼öÀÇ Ç¥½Ã¹æ¹ý.
B/I (Burn-in) °í¿Â¿¡¼ ¾î¶² ƯÁ¤ ±æÀÌÀÇ ½Ã°£ (¿¹¸¦ µé¸é 83¡É, 63½Ã°£)µ¿¾È ȸ·Î¸¦ µ¿ÀÛ½ÃÄÑ Ãʱ⠼ö¸í ¶Ç´Â Ãʱâ°íÀåÀÌ ½É»çµÇ´Â ºÎÇ° °Ë »çÀÇ ´Ü°è.
Bin °Ë»çÇÑ °á°ú¿¡ µû¶ó ¾çÇ°°ú ºÒ·® ¶Ç´Â µ¿ÀÛ¼Óµµ¸¦ ³ª´©´Â ±âÁØ. ¿¹) Bin 1-¾çÇ°, Bin13-±â´ÉºÒ·®, Bin 15-ParameterºÒ·® µî.
Bin 1 Check TestµÈ ¾çÇ°ÀÇ µ¿ÀÛ¼Óµµ»óŸ¦ Á¡°ËÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Bin Grade Down Test °¢StepÀ» ÁøÇàÁß Good DeviceÀÇ speed³ª power ¼Ò¸ðµµ°¡ º¯ÈµÇ¾î ³ª»Û ¿µÇâÀ¸·Î º¯È¯µÈ Á¦Ç°.
Bit Line Memory¿¡¼ data¸¦ ÀúÀå½ÃÅ°°Å³ª data¸¦ »ÌÀ» ¶§ data°¡ À̵¿µÇ´Â Åë·Î·Î¼ »ç¿ëµÇ´Â µµ¼±.
Bit Map MemoryÀÇ ±âº»µ¿ÀÛÀ» CheckÇÏ¿©Memory³»ÀÇ °¢ DataÀÇ ÀúÀåCellÀÌ ¹Ù·Î µ¿ÀÛÇÏ°í ÀÖ´ÂÁö¸¦ Ç¥½ÃÇÑ µµÇ¥ (Á×Àº CellÀ» ã¾Æ³»¾î ºÐ¼®Çϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÊ)
Bit Mapper Á¦Á¶°øÁ¤ÀÌ ¿Ï·áµÈ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ µ¿ÀÛƯ¼º À¯,¹«¸¦ ÆǺ°ÇÏ°í Fail PointÀÇ Address¹× FailƯ¼ºÀ» Á¦°øÇÏ¿© ÁÖ´Â F/A¿ë Tool.
Bit¼º Fail Device Test°á°ú RandomÇÑ AddressÀÇ CellÀÌ FailµÈ °æ¿ì.
Black & White SPOT ¼¿ ³»ºÎ¿¡ À̹°, ¸ÕÁö µîÀÌ µé¾î°¡°Å³ª ¸¶½ºÅ©ÀÇ pinholeµîÀ¸·Î ÀÎÇÏ¿© seakÁ¦³ª Æ®·£Áö½ºÅÍÁ¦°¡ ¸é³»¿¡ ÀμâµÇ¾î Æ÷ÁöƼºêÇüÀº ÈæÁ¡À¸·Î ³×°¡Æ¼ºêÇüÀº ¹éÁ¡À¸·Î ³ªÅ¸³ª´Â Çö»ó.
Black Hole Á¦Á¶ ±â¼úºÎ¿¡¼ F/A½Ã »ç¿ëÇÏ´Â ¿ë¾î·Î ContactºÎÀ§¿¡¼ Contact Pattern°ú ±× À§ÀÇ Poly or Metal Pattern °úÀÇ MisalignÀ̳ª ¶Ç´Â Over Etch·Î ÀÎÇØContact OverapÀÌ ºÎÁ·ÇÏ¿© Contact Edge¿¡ Chemi-calÀÌ Ä§ÅõÇÏ¿© ContactÀ» ºÎ½Ä½ÃÄÑ »ý°Ü³ Defect.
Black Stripe SM Ä®¶ó ¾×Á¤ µð½ºÇ÷¹ÀÌ¿¡¼ ºûÀÇ Åõ°ú°¡ ÀϾÁö ¾Ê´Â Æ®·£Áö½ºÅͳª ÃàÀüÁö ºÎºÐÀ» °ËÀº»öÀÇ ¹°Áú·Î µ¤¾î¼ ºûÀÇ °£¼·À» ¸·¾Æ ÈÁúÀ» ³ôÀ̴µ¥ ¾²ÀÌ´Â ¹°Áú
Blade WaferÀý´Ü½Ã »ç¿ëµÇ´Â Å鳯·Î¼ ´ÙÀ̾Ƹóµå¿Í ´ÏÄÌÀÇ ÇÕ±Ý.
Bleeding (¹øÁü) µµ±ÝµÈ ȦÀÌ º¸À̰ųª °¥¶óÁüÀ¸·Î ÀÎÇÏ¿© º¯»öµÈ °Í. ¶ÇÇÑ Àμ⿡¼ À×Å©°¡ ¾ø¾î¾ß µÉ °÷¿¡ À×Å©°¡ ¹øÁ® µé¾î°£ ÇüÅÂ.
Blister ¹ÐÂøµÈ ±âÃÊÀçÃþµé°£ÀÇ ºÎºÐÀûÀÎ µé¶äÀ̳ª ±âÃÊÀç¿Í Ç¥¸é ÀüµµÃ¼ ¸·°úÀÇ ºÎºÐÀû µé¶ä.
Block Factors BlockÀÎÀÚ. BlockÀÎÀÚµéÀº ½ÇÇè°ø°£À» Block ÀÎÀÚµéÀº ½ÇÇè°ø°£À» Block À¸·Î ±¸ºÐÇϱâ À§ÇÑ ±Ù°Å·Î Á¦°øÇÑ´Ù.
Blow Hole °³½º°¡ ºÐÃâµÇ¾î ¹ß»ýµÈ ¶«³³(Solder)º¸À̵å.
BN Wafer BoronÀÌ ¸Å¿ì ³ô°Ô ÁÖÀԵǾî ÀÖ´Â Wafer·Î¼ BoronÀ» ÁÖÀÔÇÏ·Á°í ÇÏ´Â Wafer¿Í ¸¶ÁÖ º¸°Ô ÇÏ¿© È®»ê °øÁ¤À» ÁøÇàÇÒ ¶§ »ç¿ëÇÏ´Â Wafer.
BN º¸°ü·Î BN Wafer¸¦ º¸°üÇÏ´Â Tube·Î 375¡ÉÀÇ ¿Âµµ°¡ À¯ÁöµÇ¸ç N2°¡ Èê·¯ µé¾î°¨.
Boat È®»ê·Î¿¡ Wafer¸¦ ³ÖÀ» ¶§ »ç¿ëµÇ´Â °ÍÀ¸·Î ¼®¿µÀ̳ª SiC ÀçÁú·Î ¸¸µé¾îÁ® ÀÖÀ¸¸ç Wafer°¡ ÇÑ À徿 ¼¼¿öÁöµµ·Ï ȨÀÌ ÆÄÁ® ÀÖÀ½.
Boat Holder Boat°¡ ¿ÜºÎ¹°Áú¿¡ ´êÁö ¾Êµµ·Ï ¹ÞÃÄÁÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¼®¿µÀ̳ª Poly-SiÀçÁú·Î µÇ¾î ÀÖÀ½.
Bonding ÁÖ·Î wire bondingÀ̶ó°í ÀÏÄþî Áö¸ç ¹ÝµµÃ¼ Á¦Ç°ÀÇ Á¶¸³½Ã ChipÀÇ PAD¿Í ¿ÜºÎ´ÜÀÚ¸¦ µµ¼±À¸·Î ¿¬°áÇÏ´Â ÀÛ¾÷ÀÓ.
Bond Diode ¹ÝµµÃ¼ Ç¥¸é¿¡ ±Ý¼±À» ¿ëÁ¢ÇÏ°í Àü±âÆÞ½º¿¡ ÀÇÇØ Á¢ÇÕÀ» Çü¼ºÇÏ´Â °Í
Bonding Layor (Á¢ÂøÃþ) ´ÙÃþ±âÆÇÀÇ ¹ÐÂø½Ã °¢°¢ÀÇ ÃþµéÀ» Á¢Âø½ÃÄѼ °áÇÕ½ÃÅ°´Â Ãþ
Bonding Pad Chip¿¡ wire¸¦ bonding ÇÒ ¶§ º»µùÇÒ ºÎºÐ¿¡ ÁõÂøÇÑ ¾Ë·ç¹Ì´½µîÀÇ ±Ý¼Ó ÁõÂøÇǸ· ºÎºÐÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Bond Strength (Á¢Âø·Â) ±âÆÇÀÇ ÀÎÁ¢ÇÑ µÎ ÃþÀ» ºÐ¸®½ÃÅ°´Â µ¥ ÇÊ¿äÇÑ ´ÜÀ§ ¸éÀû´ç ¼öÁ÷À¸·Î ÀÛ¿ëÇÏ´Â ÈûÀÇ Å©±â.
Bottom Up Design Æ®¸® ±¸Á¶¸¦ ¾Æ·¡¿¡¼ À§·Î ±¸¼ºÇØ ³ª°¡´Â ¹æ¹ýÀ¸·Î½á Primitive CellÀ» ±âº»À¸·Î Circuit Level, Logic Level, Architechure L evel¼øÀ¸·Î ÁøÇàÇÏ´Â IC ¼³°è¹æ½Ä.
Boulder FAB°øÁ¤Áß Ä§Àû ¶Ç´Â Diffusion °øÁ¤½Ã Á¤»ó¼ºÀåÀÌ µÇÁö ¾Ê°í ºñÁ¤»ó ¼ºÀåÀ̳ª °áÁ¤ µ¢¾î¸®¿¡ ÀÇÇØ »ý°Ü³ ºñÁ¤»óÀû ¼ºÀå°áÁ¤Ã¼ .
Bow (ÈÚ) Wafer¶Ç´Â WaferÀ§¿¡ ÁõÂøµÈ filmÀÇ ÀÎÀå·ÂÀ» ÃøÁ¤Çϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÇ´Â ÈÚÁ¤µµ¸¦ ÀǹÌÇÔ
BPSG Boron Phosphorus Silicate GlassÀÇ ¾àÀڷμ ÆòźÈÀÇ ¼ö´ÜÀ¸·Î »ç¿ëÇÏ´Â ¿¿¡ ´ëÇÑ flow¼º (850¡É¿¡¼Vis-cosity°¡ ±Þ°ÝÈ÷ º¯ ÇÏ´Â)ÀÌ ÁÁÀº ¸·ÁúÀÓ. Oxide Film¿¡ B,PµîÀÇ ºÒ¼ø¹°À» ÷°¡½ÃÄÑ ³·Àº ¿Âµµ¿¡¼ Æòźȵǵµ·Ï Çϴµ¥ »ç¿ëµÇ´Â Àý¿¬¸·.
BPT (Bond Pull Test) º»µå ÀÎÀå·Â ½ÃÇèÀ¸·Î¼ÀÇ bondabilityÃøÁ¤ÀÇ ÇÑ ¹æ¹ýÀ¸·Î GRAM weight gauge¸¦ »ç¿ëÇÏ¿© ball°ú stitchÁß°£À» µé¾î¿Ã·Á bondÀÇ ÀÎÀå°µµ¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ´Â ½ÃÇè.
Bread Board ICÈ Çϱâ Àü¿¡ °³º°ºÎÇ°À» »ç¿ëÇÏ¿© ¸ñÀûÇÏ´Â ICȸ·Î¿Í µ¿µîÇÑ ±â´ÉÀ» °®´Â ȸ·Î¸¦ ¸¸µé¾î ±× ICȸ·ÎÀÇ ¸ðÀÇ ¼³°è¸¦ ÇÏ´Â °Í
Break-Down PNÁ¢ÇÕ¿¡ ¿ª¹æÇâ Àü¾ÐÀ» °¡ÇÏ°í ±× Àü¾ÐÀ» Â÷Ãû ³ô¿© °¡¸é ¾î¶² Àü¾Ð¿¡¼ ¿ª¹æÇâ Àü·ù°¡ ±Þ°ÝÈ÷ Áõ°¡ÇÏ´Â À̸¥¹Ù BreakdownÀÇ Çö»óÀÌ ÀϾÙ. ÀÌ·¯ÇÑ Çö»óÀÌ ÀϾ´Â °ÍÀº °ø°£ ÀüÇÏ ¿µ¿ªÀÇ Àü°è °µµ°¡ ¸Å¿ì Ä¿Áö±â ¶§¹®À̸ç, ±× ±â±¸·Î´Â avalanche br eakdown°ú zener breakdownÀÌ ÀÖ´Ù.
Breakdown Voltage P-NÁ¢ÇÕ Diode¿¡¼ µÎ Á¢ÃË¿µ¿ª »çÀÌ·Î Å« Àü¾ÐÀ» °É¾îÁÖ¸é ¿ª ¹æÇâÀ¸·Î ¸¹Àº Àü·ù¸¦ È帣°Ô µÇ¸ç À̶§ °¡ÇØÁÖ´Â Àü¾ÐÀ» Breakd ownÀü¾ÐÀ̶ó ÇÑ´Ù.
Break-Up Half Cutting µÈ Wafer¸¦ Full Cutting½ÃÅ°´Â ÀÛ¾÷.
Bridging ȸ·Îµé »çÀÌ°¡ Àüµµ¹°Áú¿¡ ÀÇÇÏ¿© ºÙ¾î¹ö¸° ÇüÅÂ.
Broken (±ú¾îÁü) Wafer³ª Quartzware°¡ ±ú¾îÁüÀ» ¸»ÇÔ.
BT Stress (Bias & Temperature Stress) ¼ÒÀÚ ½Å·Úµµ¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ´Â ¹æ¹ýÀÇ ÀÏÁ¾À¸·Î Bias(Àü¾Ð)Àΰ¡¿Í µ¿½Ã¿¡ ¿Âµµ¸¦ ³ô¿©¼ ÇÏ´Â Stress Àΰ¡¹æ½Ä.
BT Test (Bias and Temperature Test) TR, DiodeµîÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ °í¿Â¿¡¼ Bias¸¦ °Ç »óÅ·ΠÇصδ ½ÃÇèÀÌ´Ù.
Bubbler ¼ø¼öÇÑ ¹°(D-I Water)ÀÌ Èê·¯³ª¿Í ³ÑÄ¡¸é¼ Áú¼Ò°¡ ¹Ù´ÚÀ¸·ÎºÎÅÍ ºÐÃâµÇ¾î WaferÇ¥¸éÀ» Ç󱸾î ÁÖ´Â ÀåÄ¡.
Bubbler Memory ÇÕ±Ý, ¼®·ù¼® µî¿¡ Àڰ踦 °É¾îÁÖ¾î ¿©·¯ °³ÀÇ °ÅÇ°°°Àº ¸ð¾çÀ» ¸¸µé¾î ³õÀº ±â¾ï¼ÒÀÚ.
Buffer ¾î¶² ³í¸®È¸·Î¿Í ´Ù¸¥ ³í¸®È¸·Î¸¦ °áÇÕÇÒ ¶§ ±× Á÷Á¢°áÇÕ¿¡ ÀÇÇÑ ³ª»Û ¿µÇâÀ» ÇÇÇϱâ À§ÇØ ´Ü°£¿¡ »ðÀÔÇϴ ȸ·Î¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Buried Layer Transistor¿¡¼Collector ÀúÇ×À» ÁÙÀ̱â À§ÇØ CollectorÇϺο¡ Çü¼ºÇÏ´Â ³·Àº ÀúÇ× ¿µ¿ª.
Buried Via Hole ¿ÏÀüÈ÷ °üÅëÀÌ µÇÁö ¾Ê°í Áß°£ÀÌ ¸·Èù ºñ¾ÆȦ
Burr Àý´Ü. Trim °øÁ¤½Ã ¹ß»ýÇÏ´Â ºÒ·®ÀÇ ÇÑ Ç׸ñÀ¸·Î Lead³¡À̳ª ¸öü¿¡ Ȥó·³ Â±â°¡ ºÙ¾îÀÖ´Â °Í.
Burn in Á¦Ç°ÀÇ ÀáÀçÀûÀÎ ºÒ·®À» Ãʱ⿡ ¹ß°ßÇϱâ À§ÇÏ¿© Á¦Ç°¿¡ °í¿Â(85¡É ~ 125¡É)À¸·Î Device¿¡ ¿Àû Stress¸¦ Àΰ¡ÇÏ¿© TestÇÏ´Â °Í À̸ç, IC°¡ ½ÇÁ¦ »ç¿ëÇÒ ¶§ »ç¿ë °¡´É Çϵµ·Ï ½Å·Ú¼º(Reliability)À» ³ô¿©ÁÖ±â À§ÇØ ½ÇÁ¦ »ç¿ë»óÅ º¸´Ù ³ôÀº Àü¾Ð, Àü·ùµîÀÇ Pa rameter¸¦ °¡ÇÏ¿© Àå½Ã°£ Over Stress¸¦ ÇàÇÏ´Â Test.
Burner °í¾ÐÀÇ °ø±â ¶Ç´Â Áõ±â¸¦ »ç¿ëÇÏ¿© °íÁ¡µµÀÇ ¾×ü ¿¬·á¸¦ ¹«È½ÃŲÈÄ ºÐ»ç½ÃÅ°´Â ÀåÄ¡.
Burnt Burn-inÁß Device°áÇÔ È¤Àº ¿ÜºÎÀÇ °úµµÇÑ Àü±âÀû Stress·Î ÀÎÇÏ¿© High Current°¡ Device³»ºÎ¸¦ È帧À¸·Î ÀÎÇØ Device°¡ °í¿Â À¸·Î °¡¿µÇ¾î ±ú¾îÁö°Å³ª º¯»öµÇ´Â Çö»ó.
BVcob (Collector-Base Breakdown Voltage with Emitter Open) ¿¡¹ÌÅÍ ´ÜÀÚOpen»óÅÂÀÇ ÄÝ·ºÅÍ-º£À̽º°£ ¿ªÀü¾Ð, ¿¡¹ÌÅÍ È¸·Î¸¦ °³¹æÇÏ°í Collector¿Í Base´ÜÀÚ »çÀÌ¿¡ BreakdownÀÌ ÀϾ±â Àü±îÁö °¡ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÃÖ´ë ¿ª¹æÇâ ¹ÙÀ̾ Àü¾Ð.
BVcer (Collector-Base Breakdown Voltage with Specified Resistance) º£À̽º ´ÜÀÚ¿Í ¿¡¹ÌÅÍ ´ÜÀÚ°£ ÀÏÁ¤ÇÑ ÀúÇ×À» ¿¬°áÇÑ »óÅ¿¡¼ÀÇ ÄÝ·ºÅÍ-º£À̽º°£ ¿ªÀü¾Ð.
BVces (Collector-Emitter Breakdown Voltage with Emitter Short-Circuited to base) º£À̽º-¿¡¹ÌÅÍ°£À» Short »óÅ¿¡¼ÀÇ ÄÝ·ºÅÍ-¿¡¹ÌÅÍ°£ ¿ªÀü¾Ð.
BVcev (Collector-Emitter Voltage with Specified Reverse Voltage Between Emitter And base) ¿¡¹ÌÅÍ-º£À̽º°£ ¿ªÀü¾ÐÀΰ¡ »óÅ¿¡¼ÀÇ ÄÝ·ºÅÍ-¿¡¹ÌÅÍ Àü¾Ð.
BVebo (Emitter-Base Breakdown Voltage with Collector Open) Collector´ÜÀÚ open»óÅ¿¡¼ ¿¡¹ÌÅÍ-º£À̽º°£ ¿ªÀü¾Ð |