H
H.A.L(Host Solder Air Leveling) P.C.BÇ¥¸é µµ±Ý¹æ¹ýÀÇ Á¾·ù.
Handler PackageÈµÈ ´Ù·®ÀÇ ¼ÒÀÚµéÀ» µ¿½Ã¿¡ TtestÇϱâ À§ÇØ ¼ÒÀÚ¿Í Test system(Tester)°ú ¿¬°á½ÃÄÑ ÁÖ´Â Àåºñ.
Half Cutting Wafer¸¦ 70 ~ 80 % Àý´ÜÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Halide ÇÒ·Î°Õ ¿ø¼Ò¿Í À̺¸´Ù Àü±â À½¼ºµµ°¡ ÀÛÀº ¿ø¼Ò¿ÍÀÇ 2¿ø ÈÇÕ¹°. Ç÷οÀµå.
Hard Fail ½ÃÇè°øÁ¤¿¡¼ ±ÔÁ¤µÈ ¿©·¯ Á¶°Ç¿¡ °ü°è¾øÀÌ ºÒ·®ÀÌ ³ª´Â °æ¿ì º¸Åë defect¿¡ ÀÇÇÑ °æ¿ì°¡ ´ëºÎºÐÀ̸ç ÀÌ¿Í °°Àº ºÒ·®Çö»óÀ» ¸» ÇÑ´Ù.
HCT (High Speed C-MOS TTL) °í¼ÓÀÇ C-MOS TTLÀÌ¸ç ±âÁ¸ÀÇ LSTTLÁ¦Ç°ÀÌ Áö´Ï´Â ´ÜÁ¡ (°í ¼ÒºñÀü·Â)À» º¸¿ÏÇÑ °ÍÀ¸·Î¼ Com-puter ¹× computer±â¼úÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÏ´Â °¢ ÀüÀÚºÎÇ°³»ÀÇ CPU, Menory, ÁÖº¯±â±â ÁÖ¿ä ICµé°ú ÇÔ²² ³»ÀåµÇ¾î °¢ ±â´ÉÀ» »óÈ£ ¿¬°á½ÃÄÑ ÁÖ´Â ¿ªÇÒÀ» ¼öÇàÇÏ´Â Á¦Ç°.
Heat Sink Plane (¹æÃâÆÇ) ±âÆÇÇ¥¸éÀ̳ª ³»Ãþ¿¡¼ ¿¿¡ ¹Î°¨ÇÑ ºÎÇ°µé·ÎºÎÅÍ ¿À» Á¦°ÅÇÏ¿© ÁÖ´Â ¿ªÇÒÀ» ÇÏ´Â ÆòÆÇ.
HEMT (High Electron Mobility Transistor) °íÀüÀÚ À̵¿µµ Transistor¶ó ºÎ¸£¸ç, GaAsÀ» ÀÀ¿ëÇÑ ÃÊ°í¼Ó, Àú¼ÒºñÀü·ÂÀÇ FET¹ÝÀý¿¬¼º GaAs±âÆÇ»ó¿¡ undoped GaAsÃþ,±× À§¿¡ N Çü AIGaAsÃþÀ» ¼ºÀå½ÃŲ ±¸Á¶·Î¼, AIGaAsÃþ¿¡¼ ¿µ¿ªÀ¸·Î À̵¿ÇÏ¿© Àü·ù ChannelÀ» Çü¼º½ÃÄÑ °íÀüÀÚÀ̵¿µµ¸¦ ½ÇÇöÇÏ°í ÀÖ´Ù.
Hepa Box Clean°øÁ¶ÀÇ ¸»´Ü¿¡ Room³»¿¡ Hepa Filter¸¦ ÀåÄ¡ÇÑ Box.
HEPA Filter (High Efficiency Particulate Air Filter) Clean Room¿¡ ¼³Ä¡µÈ °í¼öÀ²Á¤¹Ð Filter¿À¼ ±â·ù°¡ ¼öÁ÷¹æÇâÀ¸·Î È帥´Ù. (0.1¥ìm - 99.9995 %)
Hetero Junction ÇϳªÀÇ ¹ÝµµÃ¼ °áÇÕ¼Ó¿¡¼ PÇüÀ¸·ÎºÎÅÍ NÇüÀ¸·Î ¹Ù²î¾î °¡´Â ºÎºÐÀÌ ÀÖÀ» ¶§ ±× Á¢ÇÕ ºÎºÐÀ» PN JunctionÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. ´ëºÎºÐÀÇ °æ¿ì PÇüºÎºÐÀ̳ª NÇüºÎºÐ ¸ðµÎ °°Àº Á¾·ùÀÇ ¹ÝµµÃ¼·Î µÇ¾îÀÖ´Ù. ±×·¯³ª ÇϳªÀÇ ´Ü°áÁ¤ÀÌ¸é¼ 2°³ÀÇ Á¾·ù°¡ ´Ù¸¥ ¹ÝµµÃ¼¸¦ Æ÷ÇÔ ÇÏ´Â °æ¿ì°¡ ÀÖ´Â µ¥ ÀÌ°ÍÀ» HETERO JuctionÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
High Power Inspection Wafer°¡°ø»ó »ý±ä Die Ç¥¸é°ú °¢ ȸ·Î»óÀÇ ºÒ·®À» °í¹èÀ² Çö¹Ì°æÀ» »ç¿ëÇÏ¿© °Ë»çÇÏ´Â ÀÛ¾÷
Hfe(DC Current Gain) EmitterÁ¢Áö »óÅ¿¡¼ Á÷·ù Àü·ù À̵æ.
Hierarchy LSI Design½Ã ÁÖ¿ä »À´ëºÎºÐºÎÅÍ ¼¼¹ÐÇÑ ºÎºÐ±îÁö Â÷·Ê·Î DesignÇØ ³ª°¡´Â ¹æ¹ý.
High Pressure Cleaner Àý´ÜµÈ Wafer¼¼Á¤Àåºñ·Î¼ CO2°¡ ÇÔÀ¯µÈ °í¾ÐÀÇ D-I Water·Î ¼¼Á¤ÇÏ´Â °Í.
Hillock »êȸ· À§¿¡ ±Ý¼Ó ¹Ú¸·¹ÚÀ» ÁõÂø½ÃÄÑ ¿Ã³¸® ÇÒ ¶§ ¿ ÆØâ °è¼öÂ÷¿¡ ÀÇÇØ »ý°Ü³ª¸ç »ó¾îµî Áö´À·¯¹Ì ¸ð¾çÀÇ ¼Ú¾Æ¿À¸¥ ÇüŸ¦ °¡Áü.
HMDS(Hexa Methyl Di Silazane ó¸®) °¨±¤¾×°ú WaferÇ¥¸éÀÇ Á¢Âø·ÂÀ» ³ôÀ̱â À§ÇØ °¨±¤¾× µµÆ÷Àü Wafer¿¡ ÁÖ´Â Primer(Á¢Âø°ÈÁ¦)ÁßÀÇ ´ëÇ¥ÀûÀÎ ÇÑ Á¾·ù.
H-MOS(High-performance MOS) ´ÜÀÚ ¼ÒÀÚÀÇ Å©±â¸¦ ÁÙÀÓÀ¸·Î¼ MOS ICÀÇ ¼Óµµ¸¦ Áõ°¡½ÃÅ°´Â °í¼º´É N-NOSÁ¦Á¶±â¼ú ¶Ç´Â ÀÌ°ÍÀ¸·Î ÀÌ·èµÈ °í¼º´É MOS.
Hold Time ±âÁؽÅÈ£¿¡ ´ëÇÏ¿© data°¡ ÃÖ¼ÒÇÑ À¯ÁöµÇ¾î¾ß ÇÏ´Â ½Ã°£À¸·Î ±âÁؽÅÈ£¿¡ µû¶ó tCAH(Column Address Hold Time) tRAH(Row Addres s Hold Time), tDH (Data Hold Tome)µîÀÌ ÀÖ´Ù.
Hole Á¤°ø. ¹ÝµµÃ¼¼Ó¿¡¼ °¡ÀüÀÚ´ë¿¡ ÀÖ´Â ÀüÀÚÀÇ À̵¿À¸·Î »ý±â´Â ºñ¾îÀÖ´Â ÀüÀÚÀÇ ÁØÀ§¸¦ ¸»ÇÔ.
HOPL(High Temperature Operating Life Test) "°í¿Â µ¿ÀÛ ¼ö¸í½ÃÇè"À¸·Î¼ 125¡É Oven¼Ó¿¡¼ 7.5(V) Bias, 1000½Ã°£À» °¡ÇÏ¿© ½ÃÇèÇÏ´Â "¼ö¸í½Ã°£"À» ¸» ÇÑ´Ù.
Hot DI water ¶ß°Å¿î DI water(85¡É), Wafer¼¼Á¤½Ã »ç¿ë.
Hot Run RUN(lot)µé Áß¿¡¼ Ưº°ÇÑ ¸ñÀûÀ» ÀÇÇØ ´Ù¸¥ RUN¿¡ ¿ì¼±ÇÏ¿© ÁøÇà½ÃÄÑ¾ß ÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ. ÀÛ¾÷ÀÇ ½Å¼Óȸ¦ À§ÇØ Normal RUNº¸´Ù »¡¸® °øÁ¤À» ÁøÇàÇÔÀÌ ¿ä±¸µÇ´Â RUN.
Hot Test Á¦Ç°À» °í¿Â»óÅ¿¡¼ TestÇÏ´Â °Í.
Hot Electron °áÁ¤¿¡ Àü°è¸¦ °¡ÇÏ¸é °áÁ¤ ¼ÓÀÇ ÀüÀÚ°¡ Àü°èÇؼ ¿¡³ÊÁö¸¦ ¾ò´Â´Ù. º¸ÅëÀÇ »óÅÂ(Àü°è°¡ ±×´ÙÁö °ÇÏÁö ¾Ê´Â »óÅÂ)¿¡¼´Â ÀüÀÚ °¡ ¾ò´Â ¿¡³ÊÁö¸¦ °áÁ¤À» ±¸¼ºÇÏ°í ÀÖ´Â ¿øÀÚ¿¡ ÁÜÀ¸·Î ÀüÀÚ¿Í °áÁ¤ÀÇ ¿øÀÚ´Â °°Àº Á¤µµÀÇ ¿¡³ÊÁö¸¦ °®°Ô µÈ´Ù. ±×·¯³ª Àü°è°¡ °ÇØÁö¸é ÀüÀÚ´Â ¾òÀº ¿¡³ÊÁö¸¦ ¿øÀÚ¿¡ ³ª´©¾î ÁÙ ¼ö ¾ø°Ô µÇ¾î °áÁ¤º¸´Ù ÀüÀÚ¿¡ ¿¡³ÊÁöÂÊÀÌ ³ôÀº »óÅ·ΠµÈ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ »óÅ¿¡ ÀÖ´Â ÀüÀÚ¸¦ Hot ElectronÀ̶ó ÇÑ´Ù.
HP4145 Wafer level¹ÝµµÃ¼ÀÇ DCƯ¼ºÀ» ¿©·¯ °¡Áö Á¶°ÇÀ» º¯È ½ÃÄÑ ÁÖ¸é¼ ±× °á°ú¸¦ Graphic ¶Ç´Â µµÇ¥·Î Ç¥½ÃÇÏ¿© ÁÖ´Â Bench Test T ool.
H/S (Heat Sink) ¹æ¿ÆÇ. Áï PKG¿¡ ºÙ¾î ÀÖ¾î ¿À» ¹æÃâ½ÃÅ°´Â ÀÛ¿ëÀ» ÇÏ´Â ÆÇ.
HTO (High Temperature Oxidation) °í¿Â»êÈ. ½Ç¸®ÄÜ Ç¥¸é¿¡ »êȸ·À» Çü¼ºÇϴµ¥ ÀÖ¾î¼ °¡Àå ¸¹ÀÌ ¾²ÀÌ´Â ¹æ¹ýÁßÀÇ ÇϳªÀÌ´Ù. °í¿Â ¼Óµµ(900¡É)¿¡¼ Si Wafer¸¦ ³Ö°í ÀÌ°Í¿¡ »ê¼Ò, ¼öÁõ±â¿Í °°Àº »êȼº °¡½º¸¦ º¸³»¼ Si WaferÇ¥¸é¿¡ »êÈÇÏ¿© SIO2¸¦ ¸¸µå´Â ¹æ¹ý.
HTRB (High Temperature Reverse Biase) "°í¿Â ¿ªBias½ÃÇè"À¸·Î¼ Device¿¡ Bias¸¦ Àΰ¡ÇÏ¿© °í¿ÂÀÇ Oven¼Ó¿¡¼ ÁøÇàµÇ´Â ½ÃÇèÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
HTS (High Temperature Storage) "°í¿Â º¸°ü½ÃÇè"À¸·Î¼ °í¿Â (125¡É)ÀÇ Oven¼Ó¿¡¼ Device¸¦ ÀúÀåÇϴ ȯ°æ½ÃÇèÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
HVAC (Heating Ventilation and Air Conditioning) ½Ç³»°ø±âÀÇ ¿Â,½Àµµ Á¶Àý ¹× Åëdz(¼øȯ)À» Æ÷ÇÔÇÑ °ø±âó¸® ½Ã½ºÅÛ.
Hybrid-Circuit ÇÑ ±âÆÇÀ§¿¡ ¿©·¯ Á¾·ùÀÇ ´Éµ¿Á¶»ç, ¼öµ¿Á¶»ç ¶Ç´Â ÁýÀûȸ·ÎµîÀ» ºÎÂø½ÃŲ ÀüÀÚȸ·Î¸¦ ¸»Çϸç, È¥¼ºÁýÀûÀ̶ó°íµµ ÇÑ´Ù. Hybrid I.C ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°ú ¹Ú¸·(THIN FILM) ¶Ç´Â Èĸ·(THICK FILM)±â¼úÀÇ ¾çÂÊÀ» È¥¼ºÇÏ¿© ¸¸µé¾îÁö´Â I.C¸¦ ¸»ÇÏ¸ç ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú¿¡ ÀÇÇØ ´Ù ÀÌ¿Àµå³ª Æ®·£Áö½ºÅ͵îÀ» ¸¸µç ±âÆÇ À§¿¡ ´Ù½Ã Àý¿¬ÃþÀ» ¸¸µç ÈÄ ¹Ú¸·±â¼ú ¹× Èĸ·±â¼ú¿¡ ÀÇÇØ ¹è¼±À̳ª ÀúÇ×,Äܵ§¼ ºÎºÐµîÀ» ¸¸µé¾î ³»´Â È¥¼ºÇüI.C¸¦ ¸»ÇÔ. ¹ÝµµÃ¼ IC·Î½á´Â °ï¶õÇÑ °íÁ¤¹Ðµµ,°íÁÖÆļö, °í³»¾Ð, ´ëÀü·ÂÀ» ¿ä±¸ÇÏ´Â ºÐ¾ß¿¡ ÀÌ¿ëµÈ´Ù. |